公开(公告)号：CN113675268B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202110880528.2

申请日：2021-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王炜 ,  杨伟臣 ,  张耀中 ,  苏如意 ,  林彦谷 ,  邹权炜 ,  蔡俊琳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了半导体结构。该半导体结构包括：位于衬底上的氮化镓(GaN)层；设置在GaN层上的氮化铝镓(AlGaN)层；设置在AlGaN层上的栅极堆叠件；设置在AlGaN层上并且由栅极堆叠件插入的源极部件和漏极部件；介电材料层设置在栅极堆叠件上；以及设置在介电材料层上并且电连接至源极部件的场板，其中，该场板包括阶梯式结构。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN102543951B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201110329752.9

申请日：2011-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  H01H85/046

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括基板，源极，漏极，和栅极，和堆叠在晶体管上的熔丝。熔丝包括与晶体管的漏极连接的阳极触点，阴极触点，和通过第一肖特基二极管和第二肖特基二极管分别与阴极触点和阳极触点连接的电阻器。也提供了一种制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN102214692B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201010199051.3

申请日：2010-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  霍克孝 ,  沈佳青 ,  黄柏晟 ,  郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  段孝勤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明是有关于一种高压半导体晶体管及其制造方法。此晶体管包含半导体基材、形成于半导体基材之上的栅极结构、形成于半导体基材中且位于栅极结构每一侧的源极与漏极、形成于半导体基材中的被掺杂的第一井区、及位于第一井区中的被掺杂的第二井区。第二井区的一部分环绕源极，而第二井区的另一部分在第一井区中从上述第一部分做横向延伸。本发明通过在半导体基材中设置双井结构(一延伸p型井区位于n型井区中)，可提高BV值，强化晶体管的性能。此外，P型掺杂延伸区的设置，降低了晶体管操作时的导通电阻Ron，故可节省晶体管的耗电成本。

公开(公告)号：CN102456662A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110307154.1

申请日：2011-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  姚智文 ,  苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/66166 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括电阻器和电压保护器件。所述电阻器具有螺旋形状。所述电阻器具有第一部分和第二部分。所述电压保护器件包括与所述电阻器的所述第一部分电连接的第一掺杂区域。所述电压保护器件包括与所述电阻器的所述第二部分电连接的第二掺杂区域。所述第一和第二掺杂区域具有相反的掺杂极性。

公开(公告)号：CN102214692A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010199051.3

申请日：2010-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  霍克孝 ,  沈佳青 ,  黄柏晟 ,  郑志昌 ,  柳瑞兴 ,  段孝勤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明是有关于一种高压半导体晶体管及其制造方法。此晶体管包含半导体基材、形成于半导体基材之上的栅极结构、形成于半导体基材中且位于栅极结构每一侧的源极与漏极、形成于半导体基材中的被掺杂的第一井区、及位于第一井区中的被掺杂的第二井区。第二井区的一部分环绕源极，而第二井区的另一部分在第一井区中从上述第一部分做横向延伸。本发明通过在半导体基材中设置双井结构(一延伸p型井区位于n型井区中)，可提高BV值，强化晶体管的性能。此外，P型掺杂延伸区的设置，降低了晶体管操作时的导通电阻Ron，故可节省晶体管的耗电成本。

公开(公告)号：CN101626031B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910134320.5

申请日：2009-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  蒋柏煜 ,  黄宗义 ,  蔡俊琳 ,  周建志 ,  龚正

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/38

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体结构，该结构包括一第一阱区，位于一半导体基板上，其具有一第一导电类型；一第二阱区，位于半导体基板上，且横向邻接于第一阱区，第二阱区具有相反于第一导电类型的一第二导电类型；一栅极介电质，从第一阱区上方延伸至第二阱区上方；一漏极区域，位于第二井区中；一源极区域，位于闸极介电质的一侧，并位于汲极区域与闸极介电质邻接侧的相反侧；一栅极，位于栅极介电质上，其中栅极包括直接位于第二阱区上方的一第一部分区域和直接位于第一阱区上方的一第二部分区域，其中第一部分区域具有一第一掺质浓度，其小于第二部分区域具有的一第二掺质浓度。本发明能够降低源极对漏极的导通电阻，以及降低HVMOS元件的漏电流。

公开(公告)号：CN109599394B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201811133972.2

申请日：2018-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卡思克·穆鲁克什 ,  江文智 ,  蔡俊琳 ,  霍克孝 ,  吴国铭 ,  陈柏智 ,  苏如意 ,  林炫政 ,  陈益民 ,  林宏洲 ,  邱奕正

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请的各个实施例涉及其中高压金属氧化物半导体(HVMOS)器件与高压结终端(HVJT)器件集成的集成电路(IC)。在一些实施例中，第一漂移阱和第二漂移阱位于衬底中。第一漂移阱和第二漂移阱以环形图案交界且具有第一掺杂类型。外围阱位于衬底中且具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。外围阱围绕并分离第一漂移阱和第二漂移阱。主体阱位于衬底中且具有第二掺杂类型。此外，主体阱位于第一漂移阱上方并且通过第一漂移阱与外围阱间隔开。栅电极位于第一漂移阱和主体阱之间的结上方。本申请还提供了集成电路的制造方法。

公开(公告)号：CN106653753B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610656637.5

申请日：2016-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 关文豪 ,  姚福伟 ,  苏如意 ,  蔡俊琳 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L27/10

Abstract: 在一些实施例中，一种半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件具有第一表面。第一器件包括由第一材料系统限定的第一有源区域。第二器件具有第二表面。第二表面与第一表面共平面。第二器件包括由第二材料系统限定的第二有源区域。第二材料系统不同于第一材料系统。

公开(公告)号：CN106653753A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610656637.5

申请日：2016-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 关文豪 ,  姚福伟 ,  苏如意 ,  蔡俊琳 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L27/10

Abstract: 在一些实施例中，一种半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件具有第一表面。第一器件包括由第一材料系统限定的第一有源区域。第二器件具有第二表面。第二表面与第一表面共平面。第二器件包括由第二材料系统限定的第二有源区域。第二材料系统不同于第一材料系统。

公开(公告)号：CN102915997A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201110366213.2

申请日：2011-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  郑志昌 ,  柳瑞兴

IPC: H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0646 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/36 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供了一种高电压半导体器件。该高电压半导体器件包括衬底，该衬底包括在其中设置的掺杂阱。掺杂阱和衬底具有相反的掺杂极性。高电压半导体器件包括在掺杂阱上方设置的绝缘器件。高电压半导体器件包括在绝缘器件上方设置的伸长的电阻器。该电阻器的非远端部分连接至掺杂阱。高电压半导体器件包括邻近电阻器设置的高电压结终端(HVJT)器件。本发明提供一种具有高电压结终端的高电压电阻器。