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公开(公告)号：CN102543951B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110329752.9
申请日：2011-10-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/525 , H01L27/02 , H01L21/82 , H01H85/046
CPC分类号： H01L27/0288 , H01L23/5256 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括基板，源极，漏极，和栅极，和堆叠在晶体管上的熔丝。熔丝包括与晶体管的漏极连接的阳极触点，阴极触点，和通过第一肖特基二极管和第二肖特基二极管分别与阴极触点和阳极触点连接的电阻器。也提供了一种制造这种半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN102214692B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010199051.3
申请日：2010-06-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/7816
摘要： 本发明是有关于一种高压半导体晶体管及其制造方法。此晶体管包含半导体基材、形成于半导体基材之上的栅极结构、形成于半导体基材中且位于栅极结构每一侧的源极与漏极、形成于半导体基材中的被掺杂的第一井区、及位于第一井区中的被掺杂的第二井区。第二井区的一部分环绕源极，而第二井区的另一部分在第一井区中从上述第一部分做横向延伸。本发明通过在半导体基材中设置双井结构(一延伸p型井区位于n型井区中)，可提高BV值，强化晶体管的性能。此外，P型掺杂延伸区的设置，降低了晶体管操作时的导通电阻Ron，故可节省晶体管的耗电成本。
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公开(公告)号：CN102456662A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110307154.1
申请日：2011-10-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/66166 , H01L23/5228 , H01L27/0288 , H01L27/0802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括电阻器和电压保护器件。所述电阻器具有螺旋形状。所述电阻器具有第一部分和第二部分。所述电压保护器件包括与所述电阻器的所述第一部分电连接的第一掺杂区域。所述电压保护器件包括与所述电阻器的所述第二部分电连接的第二掺杂区域。所述第一和第二掺杂区域具有相反的掺杂极性。
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公开(公告)号：CN102214692A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010199051.3
申请日：2010-06-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/7816
摘要： 本发明是有关于一种高压半导体晶体管及其制造方法。此晶体管包含半导体基材、形成于半导体基材之上的栅极结构、形成于半导体基材中且位于栅极结构每一侧的源极与漏极、形成于半导体基材中的被掺杂的第一井区、及位于第一井区中的被掺杂的第二井区。第二井区的一部分环绕源极，而第二井区的另一部分在第一井区中从上述第一部分做横向延伸。本发明通过在半导体基材中设置双井结构(一延伸p型井区位于n型井区中)，可提高BV值，强化晶体管的性能。此外，P型掺杂延伸区的设置，降低了晶体管操作时的导通电阻Ron，故可节省晶体管的耗电成本。
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公开(公告)号：CN101626031B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910134320.5
申请日：2009-04-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/086 , H01L29/1045 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/7816 , H01L29/7835
摘要： 本发明提供一种半导体结构，该结构包括一第一阱区，位于一半导体基板上，其具有一第一导电类型；一第二阱区，位于半导体基板上，且横向邻接于第一阱区，第二阱区具有相反于第一导电类型的一第二导电类型；一栅极介电质，从第一阱区上方延伸至第二阱区上方；一漏极区域，位于第二井区中；一源极区域，位于闸极介电质的一侧，并位于汲极区域与闸极介电质邻接侧的相反侧；一栅极，位于栅极介电质上，其中栅极包括直接位于第二阱区上方的一第一部分区域和直接位于第一阱区上方的一第二部分区域，其中第一部分区域具有一第一掺质浓度，其小于第二部分区域具有的一第二掺质浓度。本发明能够降低源极对漏极的导通电阻，以及降低HVMOS元件的漏电流。
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公开(公告)号：CN103545311B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201210391197.7
申请日：2012-10-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L27/0629
摘要： 本发明提供了一种高压半导体器件。该高压半导体器件包括具有栅极、源极和漏极的晶体管。源极和漏极形成在掺杂衬底中并且通过衬底的漂移区间隔开。栅极形成在漂移区上方以及位于源极和漏极的上方。晶体管被配置成处理至少几百伏的高电压条件。高压半导体器件包括形成在晶体管的源极和漏极之间的介电结构。介电结构突出进入衬底和突出到衬底之外。介电结构的不同部分具有不均匀的厚度。高压半导体器件包括形成在介电结构上方的电阻器。电阻器具有基本上均匀间隔开的多个绕组部分。本发明还提供了具有平行电阻器的高压器件。
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公开(公告)号：CN102915997B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110366213.2
申请日：2011-11-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/0646 , H01L23/535 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L29/0623 , H01L29/063 , H01L29/36 , H01L29/404 , H01L29/405 , H01L29/66136 , H01L29/7835 , H01L29/8611
摘要： 提供了一种高电压半导体器件。该高电压半导体器件包括衬底，该衬底包括在其中设置的掺杂阱。掺杂阱和衬底具有相反的掺杂极性。高电压半导体器件包括在掺杂阱上方设置的绝缘器件。高电压半导体器件包括在绝缘器件上方设置的伸长的电阻器。该电阻器的非远端部分连接至掺杂阱。高电压半导体器件包括邻近电阻器设置的高电压结终端(HVJT)器件。本发明提供一种具有高电压结终端的高电压电阻器。
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公开(公告)号：CN102769014B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110412650.3
申请日：2011-12-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L28/20 , H01L27/0207 , H01L27/0802
摘要： 本发明提供了一种具有偏置阱的高压电阻器。该器件包括位于衬底中的掺杂阱，该掺杂阱与该衬底的掺杂极性相反。半导体器件包括位于掺杂阱上的介电结构。掺杂阱邻近所述介电结构的部分的掺杂浓度高于所述掺杂阱的其余部分。半导体器件包括位于介电结构上的伸长的多晶硅结构。所述伸长的多晶硅结构具有长度L。掺杂阱邻近介电结构的部分电连接到伸长的多晶硅结构的部分，该伸长的多晶硅结构的部分与伸长的多晶硅结构的中点相距预定距离，该预定距离沿着伸长的多晶硅结构测量出。该预定距离处于大约0*L到大约0.1*L的范围内。
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公开(公告)号：CN102832211B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201110406344.9
申请日：2011-12-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/26513 , H01L21/74 , H01L21/761 , H01L21/76202 , H01L23/528 , H01L27/0676 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L29/0692 , H01L29/456 , H01L29/6609 , H01L29/8605 , H01L29/868
摘要： 本发明公开了一种具有PIN二极管隔离的高压电阻器，其中，提供了一种高压半导体器件，包括形成在衬底中PIN二极管结构。PIN二极管包括设置在第一掺杂阱和第二掺杂阱之间的本征区域。第一和第二掺杂阱具有相反的掺杂极性和大约本征区域的掺杂浓度等级。半导体器件包括形成在第一掺杂阱的一部分之上的绝缘结构。半导体器件包括形成在绝缘结构之上的伸长电阻器件。电阻器件具有分别设置在电阻器件的相对端处的第一和第二部分。半导体器件包括形成在电阻器件之上的互连结构。半导体器件包括电连接至第一掺杂阱的第一接触以及电连接至电阻器中位于第一和第二部分之间的第三部分的第二接触。
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公开(公告)号：CN103545311A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210391197.7
申请日：2012-10-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L27/0629
摘要： 本发明提供了一种高压半导体器件。该高压半导体器件包括具有栅极、源极和漏极的晶体管。源极和漏极形成在掺杂衬底中并且通过衬底的漂移区间隔开。栅极形成在漂移区上方以及位于源极和漏极的上方。晶体管被配置成处理至少几百伏的高电压条件。高压半导体器件包括形成在晶体管的源极和漏极之间的介电结构。介电结构突出进入衬底和突出到衬底之外。介电结构的不同部分具有不均匀的厚度。高压半导体器件包括形成在介电结构上方的电阻器。电阻器具有基本上均匀间隔开的多个绕组部分。本发明还提供了具有平行电阻器的高压器件。
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