一种球形多孔碳的制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118145640A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410170366.7

    申请日:2024-02-06

    摘要: 本发明提出一种球形多孔碳的制备方法,属于碳材料技术领域。本发明将含碳的固态化合物按一定重量放置在盛有溶剂并均匀混合后放置高温高压反应釜中,含碳的固态化合物可为醋酸纤维或纤维素或半纤维素或木质素以及它们的混合物;溶剂可为氢氧化钠或氢氧化钾或氯化锌以及它们的混合物的水溶液;压力P的取值范围为:40Pa≤P≤100Pa,温度T的取值范围为:300℃≤T≤450℃,反应时间的取值范围为:2小时≤t≤10小时以及升温速率的取值范围为:1℃/min≤u≤10℃/min。本发明通过高压精确控制球形碳材料的尺寸,而温度和溶剂浓度控制球形碳材料碳化程度以及比表面积大小和孔隙率;本发明因使用的温度和压力较低且重复性好、适于工业化生产。

    具有双敏感层结构的平面式甲烷气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102661978A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201210091032.8

    申请日:2012-03-30

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 具有双敏感层结构的平面式甲烷气体传感器及其制造方法属于气体传感器技术领域。现有甲烷气体传感器难以同时具备高选择性、高灵敏度、快响应恢复和长期稳定性。本发明之甲烷气体传感器甲烷气体敏感层包括纳米纤维敏感层和粒子涂层敏感层,纳米纤维敏感层位于信号电极与粒子涂层敏感层之间;纳米纤维敏感层气敏材料为掺In和Pd的SnO2,In和Pd的掺入量各占In2O3、PdO、SnO2三种氧化物总质量的5~7%,粒子涂层敏感层气敏材料为Co3O4-WO3复合材料。本发明之甲烷气体传感器制造方法在信号电极一侧先制作掺In和Pd的SnO2纳米纤维敏感层,再在所述纳米纤维敏感层上制作Co3O4-WO3复合材料粒子涂层敏感层,得到整片传感器,经切割获得1×1mm2至10×10mm2的单片传感器。该传感器四项性能俱佳。

    MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器

    公开(公告)号:CN102881762A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN201210395263.8

    申请日:2012-10-17

    摘要: MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器,采用双温区化学气相沉积方法制备MgZnO纳米线阵列,由此获得MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器,其响应度高于现有MgZnO纳米线紫外光电探测器,属于半导体光电技术领域。本发明之MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器下电极位于硅衬底背面,MgZnO纳米线分布在硅衬底正面,上电极位于MgZnO纳米线上面,并与MgZnO纳米线欧姆接触,其特征在于,所述MgZnO纳米线竖直等高、整齐分布,构成MgZnO纳米线阵列。本发明用于环境污染监控、火焰光电探测、紫外预警以及通讯等领域。

    具有纳米纤维敏感层的平面式乙炔气体传感器

    公开(公告)号:CN102645454A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201210091035.1

    申请日:2012-03-30

    IPC分类号: G01N27/12

    摘要: 一种具有纳米纤维敏感层的平面式乙炔气体传感器,气敏材料为掺杂二氧化锡纳米纤维,对于乙炔气体具有高选择性,属于气体传感器技术领域。在现有技术中尚无采用纳米纤维气敏材料的乙炔气体传感器。本发明之乙炔气体传感器在硅衬底两侧绝缘层上分别布有加热电极和信号电极,乙炔气体敏感层位于信号电极上,乙炔气体敏感层形态为SnO2纳米纤维网,气敏材料为同时掺In、Sm、Co的SnO2,In、Sm、Co的掺入量分别为In2O3、Sm2O3、Co3O4、SnO2四种氧化物总质量的5~7%、43~45%、1~2%。该具有纳米纤维敏感层的平面式乙炔气体传感器能够实现一线全天候多点乙炔气体探测。

    2μm波段钨酸钠盐激光晶体

    公开(公告)号:CN101660205A

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:CN200910067492.5

    申请日:2009-09-04

    IPC分类号: C30B29/32 H01S3/16

    摘要: 2μm钨酸钠盐激光晶体,属四方晶系,输出2μm波段的激光,具有生长周期短、完整性好、成晶率高、低阈值、高增益等特点,所制作的激光器激光输出效率高,属于光电子材料领域。现有掺有稀土激活离子的钾及稀土复合钨酸盐类激光晶体生长周期长;而掺有稀土激活离子的稀土钒酸盐类激光晶体生长原料熔点高,易因挥发而导致偏析,所生长的晶体热性能差、易开裂、有色心。本发明之激光晶体掺有2μm波段稀土激活离子,基质为钠及稀土复合钨酸盐。应用于激光测距、激光雷达、光电干扰、遥感、环境检测、光通讯以及医疗等领域。

    一种低热导率方钴矿热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106784286A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611197228.X

    申请日:2016-12-22

    IPC分类号: H01L35/34 H01L35/16

    CPC分类号: H01L35/34 H01L35/16

    摘要: 本发明公开了一种低热导率的方钴矿热电材料制备方法。本发明的制备方法拓宽了现有方法降低方钴矿热电材料需要低维纳米化和提高填充原子比例的优化渠道。本发明包括以下步骤:按预定剂量比分别取原料单质:M、Co、Sb和N,其中,M为填充材料,N为置换材料;将所称量的原料单质进行混合和研磨获得粉末状混合物;将所获得的粉末状混合物油压成柱状块体;将所得柱状块体组装在高压合成块中;将所得高压合成块置于液压机中,以预定温度和压力进行高压合成,获得热电材料MyCo4Sb12‑xNx。本发明的合成方法极为简单,并适用于工业化生产。所得产物机械性能好,热导率远低于其他方法所合成的填充型或置换型CoSb3热电材料,且具有高的热电性能。

    钬铥双掺镓酸钆激光晶体

    公开(公告)号:CN101864597A

    公开(公告)日:2010-10-20

    申请号:CN201010192355.7

    申请日:2010-06-07

    IPC分类号: C30B29/22 C30B15/00

    摘要: 钬铥双掺镓酸钆激光晶体属于光电子材料领域。现有技术中掺有稀土激活离子的的复合钨酸盐、稀土钒酸盐、铝酸盐或者氟化物受其组成、结构等方面因素所限,或此或彼地存在晶体生长周期长、生长温度高、生长困难、成晶率、晶体尺寸小等问题。本发明之钬铥双掺镓酸钆激光晶体其特征在于掺有2μm波段稀土激活离子钬和铥,分子式为Ho:Tm:GdGaO3,属于正交晶系,激光晶体基质为镓酸钆晶体。本发明可应用于激光器件制造领域。

    采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器

    公开(公告)号:CN104504838A

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201410777541.5

    申请日:2014-12-15

    IPC分类号: G08B17/12

    CPC分类号: G08B17/12

    摘要: 采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器属于消防设备技术领域。现有紫外火焰探测器采用的紫外光敏管制备工艺复杂,制作成本较高;尤其管内气体容易溢出,导致紫外光敏管功能下降,使用寿命缩短,紫外火焰探测器的维护周期缩短,使得火焰探测预警工作量增大,火焰探测预警成本进一步提高。本发明其特征在于,氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极的感光面位于紫外增透聚光镜像方焦面处,氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极与探测信号采集处理模块相连;所述氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极的结构为,在衬底上表面附着一层氧化锌基半导体薄膜,金属薄膜叉指电极位于氧化锌基半导体薄膜上表面;金属薄膜叉指电极的两根引线接探测信号采集处理模块。

    掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法

    公开(公告)号:CN101864595B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201010192338.3

    申请日:2010-06-07

    IPC分类号: C30B29/12 C30B15/00 C30B33/02

    摘要: 掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法,属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因,掺杂浓度低;在生长这种晶体的过程中,由于氟化钇锂熔点高,原料挥发严重,难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系,以稀土铒为激活离子,所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4,晶体基质为氟化钆锂;其生长方法特征在于LiF按LiF∶GdF3=16.5~17∶7.76~8过量加入,晶体生长工艺参数确定为提拉速度:0.3~0.8mm/h,旋转速度:3~10rpm,生长温度:745~755℃。掺铒氟化钆锂晶体是一种激光晶体,适用于大功率固体激光器。

    一种制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体的方法

    公开(公告)号:CN101550597B

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200910066837.5

    申请日:2009-04-17

    IPC分类号: C30B29/22 C30B15/00 H01S3/16

    摘要: 一种制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体的方法属于可调谐激光晶体技术领域。现有技术采用自发结晶法、助溶剂法制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体;Cr4+是通过直接加入三氧化二铬原料,在晶体的生长过程中所产生;二氧化锗等原料直接加入熔体中。主要问题是生长速率低、晶体尺寸小,晶体中含有较多缺陷,Cr3+未能完全转化为Cr4+,以及二氧化锗的挥发。本发明包括以下步骤:1、按照化学计量比称取所用原料三氧化二铬、三氧化铬、碳酸钙和二氧化锗,其中三氧化二铬过量1~2%(wt)称取;2、将三氧化二铬和三氧化铬混合,采用水热合成法合成二氧化铬;3、将二氧化铬、碳酸钙和二氧化锗混合后压制成型;高温烧结后研磨成粉,再次高温烧结,获得生长料;4、采用提拉法使用所获得的生长料生长Cr4+:Ca2GeO4激光晶体。