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公开(公告)号：CN106920851A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710141635.7
申请日：2017-03-10
Applicant: 同济大学
IPC: H01L29/788
Abstract: 本发明公开了一种非易失性的可编程pn结存储器。该器件主要基于双极性半导体材料的物理特性，通过半浮栅场效应晶体管的结构设计，实现控制栅对沟道层的有效调制，使沟道层可以在pn结与非pn结等不同的存储状态之间逻辑变换，具有非易失性可编程可存储的功能。由于pn结与非pn结具有不同的物理性能，因而可以在电子和光电子器件中产生新的应用，拓展传统半导体pn结与浮栅存储器的功能和应用领域。该器件主要结构和功能如下：(1)具有半浮栅场效应晶体管的器件构造；(2)组成沟道层的材料主要为双极性半导体材料，该材料的载流子类型(p型或n型)可以通过电场进行动态调控；(4)为半浮栅结构，即浮栅只覆盖部分沟道层。
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公开(公告)号：CN106409886B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610987802.5
申请日：2016-11-10
Applicant: 同济大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种基于双极性半导体的光电子器件的逻辑应用和结构设计方法。该器件主要基于纳米半导体材料的物理特性，通过场效应晶体管的结构设计，实现栅极电压对源漏沟道光电转换性能的逻辑调控，从而具有逻辑光电子的性能。该器件主要结构和功能如下：(1)具有场效应晶体管的类似结构；(2)组成沟道层的材料为双极性半导体材料，该种半导体的载流子类型(p型或n型)可以通过栅极调控；(3)栅极为半栅极结构，即栅极只覆盖部分沟道层；(4)通过这种设计，可以通过半栅极调控双极性半导体形成pn结与非pn结。通过利用不同结的光电转换性能，实现半栅极电压对沟道层不同光电转换性能状态之间的调控，使光电子器件具有逻辑功能。
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公开(公告)号：CN106920851B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201710141635.7
申请日：2017-03-10
Applicant: 同济大学
IPC: H01L29/788
Abstract: 本发明公开了一种非易失性的可编程pn结存储器。该器件主要基于双极性半导体材料的物理特性，通过半浮栅场效应晶体管的结构设计，实现控制栅对沟道层的有效调制，使沟道层可以在pn结与非pn结等不同的存储状态之间逻辑变换，具有非易失性可编程可存储的功能。由于pn结与非pn结具有不同的物理性能，因而可以在电子和光电子器件中产生新的应用，拓展传统半导体pn结与浮栅存储器的功能和应用领域。该器件主要结构和功能如下：(1)具有半浮栅场效应晶体管的器件构造；(2)组成沟道层的材料主要为双极性半导体材料，该材料的载流子类型(p型或n型)可以通过电场进行动态调控；(4)为半浮栅结构，即浮栅只覆盖部分沟道层。
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公开(公告)号：CN110161019A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910309435.7
申请日：2019-04-17
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种室温下高灵敏氢气传感器及其制备方法，该氢气传感器依次包括基底和氢气敏感层，氢气敏感层为钯掺杂的三氧化钨薄膜，其制备方法包括以下步骤：(1)制备石墨烯/Si异质结构肖特基结；(2)制作三氧化钨溶胶；(3)将所得的三氧化钨溶胶旋涂于石墨烯/Si异质结构肖特基结，得到气致变色WO3/石墨烯/Si串联传感器，即为室温下高灵敏氢气传感器。与现有技术相比，本发明能够可视化检测，反应响应时间短，灵敏度高，并且使用方便，易于操作，从而达到准确及时检测氢气泄漏的目的。
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公开(公告)号：CN106952921B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201710141643.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 同济大学
IPC: H01L27/115 , H01L27/11517 , G11C16/02
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106952921A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710141643.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 同济大学
IPC: H01L27/115 , H01L27/11517 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/115 , G11C16/02 , H01L27/11517
Abstract: 本发明的目的是通过设计一种基于双极性半导体的半浮栅场效应晶体管的器件结构方法，使器件具备一种非易失性可编程光电子存储器的新型功能，即通过调控施加在控制栅上的脉冲电压，实现器件在光电转化性能不同状态的存储和逻辑调控。一种非易失性可编程光电子存储器的设计方法，设计的结构依次为，设有电极；选择双极性半导体材料作为沟道层，位于电极之下；设有第一电介质层，位于电极沟道层之下；设有浮栅，位于第一电介质层之下，浮栅为半浮栅结构，即浮栅不覆盖整个沟道层，可以由一个半浮栅(图1)或延伸为多个半浮栅组成；设有第二电介质层，位于浮栅之下；设有控制栅，位于第二电介质层之下。
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公开(公告)号：CN103011140A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210519884.2
申请日：2012-12-07
Applicant: 同济大学
Abstract: 一种利用光刻胶制备石墨烯/石墨图案的方法，采用热处理和微加工技术，主要步骤：（1）利用标准的光刻技术在基底上形成所需要的图案；（2）在无氧环境下在不低于750摄氏度下进行热处理，形成石墨烯/石墨结构；（3）再利用标准的光刻套刻技术进行后续处理，把基底上多余的石墨烯去除。最后形成所需要的石墨烯/石墨图案。本发明不需要催化剂，可以在所需要的基底上直接形成石墨烯/石墨图案。依赖石墨烯以及石墨的不同性能，这些图案可以行使多种功能，比如在作为场效应晶体管时，石墨烯可以作为沟道，石墨作为电极使用。本发明依托于现有的商业化的光刻方法制备石墨烯/石墨图案，方法简便，成本低廉、易于集成，且对基底的依赖性不高，可以大规模制备。
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公开(公告)号：CN102963885A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210468965.4
申请日：2012-11-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 一种无催化剂大面积制备石墨烯的方法，其机理在于，在高温下通过热处理支撑物上有机物薄膜，使有机物薄膜在升温的过程中发生碳化反应，达到高温时进一步发生石墨化反应，从而形成石墨烯。本发明可以通过原位热处理或者利用气相沉积方法实现。与现有技术相比，本发明在生长石墨烯的时候不需要催化剂，直接在所需要的支撑物上生长，操作极其简便，可操作性强，可靠性强，且对支撑物的依赖性不高，可用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN106449918B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610987801.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 一种半导体异质结光电子器件的逻辑应用方法。该器件主要基于纳米半导体材料的物理特性，通过场效应晶体管的结构设计，实现栅极电压对源漏沟道光电转换性能的逻辑调控，从而具有逻辑光电子的性能。该器件主要结构和功能如下：(1)具有场效应晶体管的类似结构；(2)组成沟道层的材料为半导体异质结材料；(3)半导体异质结中包括至少一种双极性半导体，该种半导体的载流子类型(p型或n型)可以通过栅极调控；(4)通过这种设计，可以通过栅极调控半导体异质结形成pn结与非pn结。通过利用不同异质结的光电转换性能，实现栅极电压对沟道层不同光电转换性能状态之间的调控，使光电子器件具有逻辑功能。
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公开(公告)号：CN106449918A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610987801.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 同济大学
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/005 , H01L2933/0008
Abstract: 一种半导体异质结光电子器件的逻辑应用方法。该器件主要基于纳米半导体材料的物理特性，通过场效应晶体管的结构设计，实现栅极电压对源漏沟道光电转换性能的逻辑调控，从而具有逻辑光电子的性能。该器件主要结构和功能如下：(1)具有场效应晶体管的类似结构；(2)组成沟道层的材料为半导体异质结材料；(3)半导体异质结中包括至少一种双极性半导体，该种半导体的载流子类型(p型或n型)可以通过栅极调控；质结形成pn结与非pn结。通过利用不同异质结的光电转换性能，实现栅极电压对沟道层不同光电转换性能状态之间的调控，使光电子器件具有逻辑功能。(4)通过这种设计，可以通过栅极调控半导体异
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