-
公开(公告)号:CN107302005A
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201610208297.X
申请日:2016-04-05
发明人: 李玉科
IPC分类号: H01L27/1157 , G11C16/02 , H01L27/144
CPC分类号: H01L27/115 , G11C16/02 , H01L27/144
摘要: 本发明提供一种具有照相功能的闪存存储器及制备方法和电子装置。所述闪存存储器包括若干存储器单元,所述存储器单元包括:基底;栅极叠层,位于所述基底上方,包括依次层叠的隧穿氧化物层、浮栅层、隔离层和控制栅层;互连结构,位于所述栅极叠层的上方并与所述栅极叠层电连接;滤光膜,位于互连结构的上方;棱镜,设置于所述滤光膜的表面上。本发明闪存存储器是首次具有紫外图像拍摄功能的闪存(flash)存储芯片,具有非挥发性的优点,断电后图像信息不会丢失,而且很好的与闪存(flash)工艺结合。
-
公开(公告)号:CN104700890B
公开(公告)日:2017-10-17
申请号:CN201510101702.3
申请日:2010-11-24
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: G11C14/00 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L27/12 , H03K3/356 , H03K19/173
CPC分类号: H03K19/1733 , G11C14/0063 , G11C16/02 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H03K3/356008 , H03K3/35606
摘要: 提供一种新的非易失性锁存电路以及使用非易失性锁存电路的半导体装置。锁存电路具有循环结构,其中第一元件的输出电连接至第二元件的输入,并且第二元件的输出通过第二晶体管电连接至所述第一元件的输入。使用氧化物半导体作为沟道形成区的半导体材料的晶体管用作开关元件,并且设置有电连接至晶体管的源电极或漏电极的电容器,由此锁存电路的数据能保存,并且因此能形成非易失性锁存电路。
-
公开(公告)号:CN103392207B
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201280009888.4
申请日:2012-10-04
申请人: 希捷科技有限公司
CPC分类号: G06F12/0815 , G06F3/0619 , G06F3/0643 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F11/07 , G06F12/0246 , G06F12/0292 , G06F2212/1032 , G06F2212/621 , G06F2212/7201 , G06F2212/7207 , G11C16/02 , G11C16/06
摘要: 具有非易失性存储器(NVM)的非易失性存储系统提供自身日志记录和层级一致性,从而启动低延迟恢复和强制单元访问握手。主机地址和NVM中的地址之间的映射经由一个或多个映射条目来维持,从而启用对写入至NVM的主机数据的位置。NVM中存储的对象包括足够信息以恢复仅在对象本身内的对象。NVM以一个或多个数据流、映射流和检查点流的形式来管理。主机数据被写入数据流,映射条目被写入映射流,而映射条目和其他数据结构的检查点被写入检查点流。嵌入流中的时间标记使得能够在恢复期间确定流的所选部分彼此不一致且将被丢弃。
-
公开(公告)号:CN106298794A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610883736.7
申请日:2011-08-18
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H01L27/115 , H01L27/12 , G11C11/403 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号: G11C14/0018 , G11C8/08 , G11C11/401 , G11C11/403 , G11C16/02 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/34 , H01L27/1156 , H01L27/1225
摘要: 存储器件及半导体器件。提供一种能够长时间保持数据的存储器件。存储器件包括存储元件及晶体管,晶体管用作为开关元件,用以控制存储元件中的电荷的供应、存储及释出。晶体管包括用以控制阈值电压的第二栅电极以及普通栅电极。此外,由于晶体管的活性层包含氧化物半导体,因此晶体管的截止状态电流极低。在存储器件中,不通过在高电压下将电荷注入至绝缘膜围绕的浮动栅极,而是通过经由截止状态电流极低的晶体管来控制存储元件的电荷量,来存储数据。
-
公开(公告)号:CN102668377B
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201080057657.1
申请日:2010-11-24
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H03K3/356 , H01L27/10 , H01L29/786 , H03K3/037
CPC分类号: H03K19/1733 , G11C14/0063 , G11C16/02 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H03K3/356008 , H03K3/35606
摘要: 提供一种新的非易失性锁存电路以及使用非易失性锁存电路的半导体装置。锁存电路具有循环结构,其中第一元件的输出电连接至第二元件的输入,并且第二元件的输出通过第二晶体管电连接至所述第一元件的输入。使用氧化物半导体作为沟道形成区的半导体材料的晶体管用作开关元件,并且设置有电连接至晶体管的源电极或漏电极的电容器,由此锁存电路的数据能保存,并且因此能形成非易失性锁存电路。
-
公开(公告)号:CN102742003A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201080061571.6
申请日:2010-12-20
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H01L21/8247 , G11C11/402 , G11C11/405 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号: G11C11/409 , G11C11/404 , G11C16/02
摘要: 目的是提供即使没有提供电源时也可保持所存储的数据的半导体器件,且对于写入周期的次数没有限制。本发明的半导体器件,包括源极线、位线、第一信号线、第二信号线、字线、连接在该源极线和位线之间的存储单元、电连接至该位线的第一驱动电路、电连接至第一信号线的第二驱动电路、电连接至第二信号线的第三驱动电路、以及电连接至字线和源极线的第四驱动电路。使用除氧化物半导体之外的半导体材料形成第一晶体管。使用氧化物半导体材料形成第二晶体管。
-
公开(公告)号:CN102598249A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080048570.8
申请日:2010-10-05
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号: H01L27/088 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C16/02 , H01L27/0207 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L27/1156 , H01L27/1225
摘要: 本发明的目的之一就是提供一种具有新的结构的半导体装置。半导体装置中串联连接有多个存储元件,该多个存储元件中的每一个包括第一至第三晶体管,第一晶体管包含氧化物半导体层,其源极或漏极与第二和第三晶体管中的一个的栅电极接触。包含氧化物半导体层的第一晶体管的截止电流极低,允许在第二和第三晶体管中的一个的栅电极中长时间保持电荷,由此能够获得实际上永久存储器效应。在使用存储电路时,不含氧化物半导体层的第二和第三晶体管允许高速工作。
-
公开(公告)号:CN1112732C
公开(公告)日:2003-06-25
申请号:CN97110214.7
申请日:1994-08-19
申请人: 株式会社日立制作所
IPC分类号: H01L27/105
CPC分类号: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
摘要: 一种场效应半导体元件,它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据,还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小,以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变,就能在室温下实现数据存储。
-
公开(公告)号:CN1398002A
公开(公告)日:2003-02-19
申请号:CN02122083.2
申请日:1994-08-19
申请人: 株式会社日立制作所
IPC分类号: H01L27/105 , H01L29/772
CPC分类号: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
摘要: 一种场效应半导体元件,它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据,及利用其的数据处理设备。栅极—沟道电容被设定得如此地小,以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变,就能在室温下实现数据存储。
-
公开(公告)号:CN1101755A
公开(公告)日:1995-04-19
申请号:CN94109104.X
申请日:1994-08-19
申请人: 株式会社日立制作所
IPC分类号: H01L29/78 , H01L27/105
CPC分类号: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
摘要: 一种场效应半导体元件,它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据,还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小,以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变,就能在室温下实现数据存储。
-
-
-
-
-
-
-
-
-