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公开(公告)号：CN118428158A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410541710.9
申请日：2024-04-30
申请人： 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆阿斯潘科技有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G06F30/10 , G06F30/12 , G06F3/0482 , G06F3/04847 , G06F3/04842 , G06F111/20 , G06F119/14
摘要： 本发明涉及电磁力计算技术领域，具体公开了一种Electron架构下的电磁力计算方法，包括：导入电磁力仿真模型，通过Electron将电磁力仿真模型导入到电磁力计算应用端中；所述电磁力计算应用端使用Vue和Tdesign的样式框架，并用于电磁力计算；设置电磁力仿真模型的运行参数，在电磁力计算应用端中，根据Vue和Tdesign的输入组件设置运行参数；电磁力仿真模型的电磁力计算，Vue和Tdesign将已设置的运行参数和电磁力仿真模型通过Electron发送到Node.js，由Node.js转发到Flask进行电磁力计算并得到一次计算结果，将一次计算结果返回电磁力计算应用端；一次计算结果可视化，利用Electron的Echarts库将一次计算结果绘制成可视化的图形。这样，提高了电磁力仿真模型的计算效率。
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公开(公告)号：CN117998825A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410222081.3
申请日：2024-02-28
申请人： 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆阿斯潘科技有限公司
IPC分类号： H05K7/20 , B64U20/92 , B64U101/40
摘要： 本发明涉及无人机动力系统散热技术领域，公开了用于无人机动力系统的电调结构及方法，包括散热器外壳，设于散热器外壳内的PCB板；在所述PCB板的顶面设有窗口，在窗口上设有第一导热垫片，所述第一导热垫片与散热器外壳的前盖贴合；在所述PCB板的底面设有第二导热垫片，所述第二导热垫片与所述散热器外壳的后盖贴合；所述散热器后盖上还设有灌封孔。本发明通过双面散热结构，实现快速散热，同时减少控制器的体积和重量，有效降低功率器件的工作温度，提升整体散热性能，延长其使用寿命。
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公开(公告)号：CN118331826A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410522959.5
申请日：2024-04-28
申请人： 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆阿斯潘科技有限公司
摘要： 本发明涉及数据分析方法领域，具体涉及一种实时捕捉波峰的方法及系统，包括，S1获取计算参数并进行计算；S2获取仿真步长、仿真时间，在开始计算后，调用预存的电机仿真计算软件在后台完成仿真计算，并将计算结果保存为.scv文件，所述.scv文件包含了在检测范围内的所有与波峰计算相关的数据；S3读取.csv文件中的数据，并通过绘制图表将原始波形在坐标系下进行展示；S4对步骤S3中的可视化图表中的数据读取波峰，并将波峰的位置和数值提取出来；S5实时监听坐标轴中x轴的变化，当调整了X轴的值时，将重复S1‑S4重新对波形进行波峰检测，并随时更新显示波峰信息。本发明自动化计算、可视化分析、自动检测和实时交互的优点。
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公开(公告)号：CN118057723A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202410222089.X
申请日：2024-02-28
申请人： 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆阿斯潘科技有限公司
摘要： 特殊情境下的光伏优化器处理方法，包括S1，按照预设周期对每个优化器进行检测，并得到每个优化器的电参数，所述电参数包括电流I，功率P和电压V：S2，根据所述电参数实时计算电参数的变化趋势，所述电参数的变化趋势包括电流变化趋势ΔI和功率变化趋势ΔP；S3，根据第一预设判断条件判断所述每个优化器电参数的变化趋势，以判断优化器是否处于所述特殊情境下，以选择并控制每个优化器的工作状态，所述优化器的工作状态包括正常输出和关闭MPPT追踪功能；S4，若优化器的工作状态处于关闭MPPT追踪功能情况下，则采用电压闭环PI控制方式优化所述优化器的电参数。所述一种特殊情境下的光伏优化器处理方法能稳定特殊情境下的光伏优化器的正常工作状态。
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公开(公告)号：CN113589207B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202110930753.2
申请日：2021-08-13
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01R33/12
摘要： 本发明公开了一种电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法，所述方法如下：针对不同型号尺寸的扇形永磁体，沿径向方向充磁，测量上表面方向上截面磁通作为参考1，测量径向方向上截面磁通作为可获取数据3，测量上表面不同位置磁强作为参考2；将参考1和2导入数据库A，将可获取数据3导入数据库B；对于某装配到电器元件当中的扇形永磁体，测量上表面截面磁通和表面磁强，作为实测数据；将实测数据与数据库A进行比对，选取数据最为相近的永磁体参考，同时获得数据库B中对应型号永磁体的截面磁通数据，作为该条形永磁体的截面磁通。本发明为不破坏电磁机构就能测量扇形永磁体截面磁通提供了可行方案。
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公开(公告)号：CN113589207A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110930753.2
申请日：2021-08-13
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01R33/12
摘要： 本发明公开了一种电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法，所述方法如下：针对不同型号尺寸的扇形永磁体，沿径向方向充磁，测量上表面方向上截面磁通作为参考1，测量径向方向上截面磁通作为可获取数据3，测量上表面不同位置磁强作为参考2；将参考1和2导入数据库A，将可获取数据3导入数据库B；对于某装配到电器元件当中的扇形永磁体，测量上表面截面磁通和表面磁强，作为实测数据；将实测数据与数据库A进行比对，选取数据最为相近的永磁体参考，同时获得数据库B中对应型号永磁体的截面磁通数据，作为该条形永磁体的截面磁通。本发明为不破坏电磁机构就能测量扇形永磁体截面磁通提供了可行方案。
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