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公开(公告)号：CN106206528B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610807395.5
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 电子科技大学 , 四川绿然电子科技有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/00 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 本发明提供了基于双向TVS高压脉冲抑制的整流桥及其制作工艺。整流桥包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架上，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另两个二极管芯片固定设于第四引线框架上,顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作正、负极引脚。本发明还公开了上述整流桥的制作工艺。本发明中整流桥布局紧凑，有利于PCB板小型化发展，制造工艺与以往方法不同，方便生产。
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公开(公告)号：CN106684065A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610808064.3
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 电子科技大学 , 四川绿然电子科技有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/00 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/495 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/49537 , H01L23/49568 , H01L24/49 , H01L25/00 , H01L2224/491
摘要： 本发明提供了一种集成式Mini整流桥新结构及其制作工艺。集成式Mini整流桥新结构包括塑封体，塑封体内封装有处于同一平面内的四个引线框架；第一引线框架与第三引线框架固设于同一载体上，作为交流引脚，第二引线框架与第四引线框架固设于同一载体上，作为正、负极引脚；第二引线框架上固定设有两个二极管芯片，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第四引线框架上固定设有两个二极管芯片，顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架。本发明还提供了该集成式Mini整流桥新结构的制作工艺。本发明结构紧凑、体积小，工艺与现有的工艺方法不同。本发明适用于任意PCB电路板。
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公开(公告)号：CN106206528A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610807395.5
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 电子科技大学 , 四川绿然电子科技有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/00 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 本发明提供了基于双向TVS高压脉冲抑制的整流桥及其制作工艺。整流桥包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架上，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另两个二极管芯片固定设于第四引线框架上,顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作正、负极引脚。本发明还公开了上述整流桥的制作工艺。本发明中整流桥布局紧凑，有利于PCB板小型化发展，制造工艺与以往方法不同，方便生产。
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公开(公告)号：CN205984975U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201621042098.8
申请日：2016-09-07
申请人： 四川上特科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/00
摘要： 本实用新型提供了一种滤除瞬态高压脉冲的超薄整流桥，它包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架上，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片固定设于第四引线框架上，顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作正、负极引脚。本实用新型中整流桥布局紧凑，有利于PCB板小型化发展。
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公开(公告)号：CN107342286B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710490849.5
申请日：2017-06-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/739
摘要： 一种具有表面双栅控制的横向RC‑IGBT器件，属于功率半导体技术领域。该器件在传统结构的续流二极管上串联了一个MOS管，通过第二栅极来控制这个MOS管开启与关闭，达到和传统结构相同的器件功能：当RC‑IGBT正向工作时，MOS管关闭，传统结构中的N+集电区被MOS管隔离，此时器件相当于纯粹的IGBT，完全消除了传统结构中的电压折回现象；当器件反向工作时，通过第二栅极来控制MOS管开启，续流二极管得以正常工作。同时，与传统的纵向结构器件不同，本发明属于横向器件，器件建立在外延层上，器件的实现无需背面工艺，大大降低了工艺难度；通过RESURF结构，也增强了器件的横向耐压能力。
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公开(公告)号：CN108389853A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810271390.4
申请日：2018-03-29
申请人： 电子科技大学 , 广东成利泰科技有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川明泰电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/31 , H02M7/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构，包括塑封体、四个技术指标相同的二极管芯片、一个单向TVS芯片、第一～第四引线框架；单向TVS芯片顶面为P型，固定设于第二引线框架上，并通过导线连接第四引线框架；两个二极管芯片顶面均为P型，固定设于第二引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片顶面均为N型，固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作为输入引脚，第二、第四引线框架分别作为输出正、负极引脚。本发明将单向TVS芯片设置于传统整流桥之后，布局紧凑、成本降低、厚度更薄。本发明适用于电子器件技术领域。
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公开(公告)号：CN107342286A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710490849.5
申请日：2017-06-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/739
摘要： 一种具有表面双栅控制的横向RC-IGBT器件，属于功率半导体技术领域。该器件在传统结构的续流二极管上串联了一个MOS管，通过第二栅极来控制这个MOS管开启与关闭，达到和传统结构相同的器件功能：当RC-IGBT正向工作时，MOS管关闭，传统结构中的N+集电区被MOS管隔离，此时器件相当于纯粹的IGBT，完全消除了传统结构中的电压折回现象；当器件反向工作时，通过第二栅极来控制MOS管开启，续流二极管得以正常工作。同时，与传统的纵向结构器件不同，本发明属于横向器件，器件建立在外延层上，器件的实现无需背面工艺，大大降低了工艺难度；通过RESURF结构，也增强了器件的横向耐压能力。
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公开(公告)号：CN208368500U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201820438765.7
申请日：2018-03-29
申请人： 广东成利泰科技有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川明泰电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/495 , H02M7/00
摘要： 本实用新型公开了一种超薄带单向TVS抗浪涌的MINI整流桥，包括塑封体、四个技术指标相同的二极管芯片、一个单向TVS芯片、第一～第四引线框架；单向TVS管芯片顶面为P型，固定设于第二引线框架上，并通过导线连接第四引线框架；两个二极管芯片顶面均为P型，固定设于第二引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片顶面均为N型，固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作为输入引脚，第二、第四引线框架分别作为输出正、负极引脚。本实用新型将单向TVS芯片设置于传统整流桥之后，布局紧凑、成本降低、厚度更薄。本实用新型适用于电子器件技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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