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公开(公告)号：CN112803616A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011642542.0
申请日：2020-12-31
摘要： 本发明公开了一种球状中继线圈和无线电能传输系统。其中，该球状中继线圈包括：整个球状中继线圈分为四种不同的线圈组，分别表征为神经元的轴突、树突、突触和体细胞，神经元的三维球形结构外壳包括轴突线圈和树突线圈，分别作为能量传输和接收部分，神经元的三维球形结构内部包括体细胞线圈，体细胞线圈作为中继线圈进行能量传递。本发明解决了相关技术中无线功率传输利用率低、位置受限、空间自由度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN115497917A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210935220.8
申请日：2022-08-05
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/62 , H01L23/64 , H01L25/07
摘要： 本发明涉及高压碳化硅芯片封装技术领域，具体涉及一种碳化硅芯片封装结构，包括：芯片本体，包括层叠设置的第一子芯片和第二子芯片，第一子芯片与第二子芯片之间设有芯片绝缘层，第一子芯片与第二子芯片之间串联，芯片导电件贯穿芯片绝缘层设置；印刷线路层，平行设于芯片本体的一侧，第一子芯片与印刷线路层之间连接有发射极引出端子；复合绝缘层，平行设于芯片本体背离印刷线路层的一侧，复合绝缘层朝向芯片本体的一面设有复合导电层，第二子芯片与复合导电层之间电气连接。针对碳化硅芯片高绝缘、低感封装需求采用芯片绝缘板实现中低压碳化硅芯片的串联，串联后的芯片器件能够提高器件整体电压水平，从而实现利用现有低压芯片进行高压封装。
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公开(公告)号：CN112803616B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202011642542.0
申请日：2020-12-31
摘要： 本发明公开了一种球状中继线圈和无线电能传输系统。其中，该球状中继线圈包括：整个球状中继线圈分为四种不同的线圈组，分别表征为神经元的轴突、树突、突触和体细胞，神经元的三维球形结构外壳包括轴突线圈和树突线圈，分别作为能量传输和接收部分，神经元的三维球形结构内部包括体细胞线圈，体细胞线圈作为中继线圈进行能量传递。本发明解决了相关技术中无线功率传输利用率低、位置受限、空间自由度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN117096094B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN117096120A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311022871.9
申请日：2023-08-15
IPC分类号： H01L23/473 , H01L25/07 , H01B3/20
摘要： 本发明提供了一种功率半导体封装结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体封装结构的主体中设有芯片单元，主体上设有对芯片单元进行液冷散热的冷却腔。本申请还提供包括上述半导体封装结构的阀串结构。该半导体封装结构通过冷却腔对芯片单元进行液冷散热，能够提高半导体封装结构的散热能力和对短时电流过冲的耐受能力。该半导体组件通过散热腔中的绝缘油进行散热，提升了组件内部绝缘介质的介电强度，从而有效减小半导体组件的体积和寄生参数，另外还能够提升器件内部的绝缘性能。
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公开(公告)号：CN117096094A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN117438382A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311491470.8
申请日：2023-11-10
摘要： 一种绝缘调控结构及其制造方法，所述结构包括复合绝缘涂层、高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板；所述复合绝缘涂层为多层结构；所述高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板连接在一起，芯片电气连接通过引线键合、铜夹等工艺实现；所述覆铜陶瓷板为三明治结构，由上覆铜层、下覆铜层与中间陶瓷层连接制备。所述方法包括复合绝缘涂层的涂覆；实施外壳顶盖的安装与端子折弯工艺，完成器件制备。本发明优化封装结构电应力集中区域电场强度，提高器件绝缘特性，解决高压功率器件封装绝缘问题。
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公开(公告)号：CN117349794A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311508190.3
申请日：2023-11-13
申请人： 国家电网有限公司 , 国网天津市电力公司 , 国网天津市电力公司营销服务中心
摘要： 本发明公开了一种电力内外部数据融合的办电信息共享方法及系统。方法包括如下步骤：政企信息数据获取；内外部信息互动融合；房产数据批量新装优化；营销业务功能改造。主要实现的效果如下：业务受理环节对接市场委企业营业执照，助力营商环境优化。实时获取政务平台企业用户前期立项信息，助力开拓能源市场。贯通规自局实现房屋数据推送，助力公司业务快速开展。基于规自局房屋批次号进行低压批量新装工单用户信息导入，根据户号信息回推规自局，实现新装用户信息贯通，支撑房产信息获取、工单处理、用户建档等业务流转。
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公开(公告)号：CN115603318A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211391869.4
申请日：2022-11-08
申请人： 国家电网有限公司(CN) , 国网天津市电力公司(CN) , 国网天津市电力公司营销服务中心(CN)
IPC分类号： H02J3/00
摘要： 本发明公开了一种基于营配数据的跨地区大面积停电故障研判方法及系统。其中，方法包括如下步骤：步骤1：获取跨地区多源停电数据；步骤2：针对步骤1获取的跨地区多源停电数据，进行跨地区多源停电数据融合，输出跨地区多源停电数据融合结果；步骤3：基于步骤2输出的跨地区多源停电数据融合结果，进行基于决策树算法的跨地区大面积停电分析，输出大面积停电分析结果；步骤4：基于步骤3输出的大面积停电分析结果，进行停电工单派发。通过本发明提供的方案，高效实现了跨区域多源数据融合，解决了跨区域多源数据有效融合难题。
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公开(公告)号：CN113063990B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110310440.7
申请日：2021-03-23
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司烟台供电公司
摘要： 本发明公开了一种杂散电容及功率半导体器件电流的计算方法，包括：基于获取的功率半导体器件在瞬态开通过程中的电流及瞬态关断过程中的电压，得到功率半导体器件的电流在瞬态开通过程中的电流变化曲线和功率半导体器件的电压在瞬态关断过程中的电压变化曲线；利用电流变化曲线、电压变化曲线和杂散电容瞬时表达式，确定测试电路中的杂散电容与电压的关系；获取功率半导体器件在瞬态关断过程中当前时刻对应的电压值，基于电压值和杂散电容与电压的关系，确定测试电路在当前时刻的当前杂散电容值。本发明利用瞬态关断过程中的电压变化曲线计算杂散电容与电压的关系，更准确评估测试电路中的杂散电容。
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