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公开(公告)号：CN117096120A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311022871.9
申请日：2023-08-15
IPC分类号： H01L23/473 , H01L25/07 , H01B3/20
摘要： 本发明提供了一种功率半导体封装结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体封装结构的主体中设有芯片单元，主体上设有对芯片单元进行液冷散热的冷却腔。本申请还提供包括上述半导体封装结构的阀串结构。该半导体封装结构通过冷却腔对芯片单元进行液冷散热，能够提高半导体封装结构的散热能力和对短时电流过冲的耐受能力。该半导体组件通过散热腔中的绝缘油进行散热，提升了组件内部绝缘介质的介电强度，从而有效减小半导体组件的体积和寄生参数，另外还能够提升器件内部的绝缘性能。
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公开(公告)号：CN116995045A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311022874.2
申请日：2023-08-15
摘要： 本发明提供了一种功率半导体器件及阀串结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体器件包括主体，所述主体内设有芯片单元，所述主体内设有油腔，所述芯片单元位于所述油腔中。该功率半导体器件可以通过油腔中填充绝缘油来有效减小器件的体积和寄生参数，同时提升器件的散热效率和对短时电流过冲的耐受能力，并且能够提升模块的绝缘能力，减少器件内部芯片的局部放电和沿面放电。
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公开(公告)号：CN115910950A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211410185.4
申请日：2022-11-10
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/485 , H01L23/31
摘要： 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块，功率半导体器件封装结构包括：下导电散热板，所述下导电散热板的一侧的部分表面具有沉槽；功率芯片，位于所述沉槽中，所述功率芯片与所述下导电散热板电连接。所述功率半导体器件封装结构的散热效果好、功率密度大且寄生电感低。
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公开(公告)号：CN115662975A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211325118.2
申请日：2022-10-27
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/34 , H01L25/07 , H01L25/16
摘要： 本发明提供了一种功率芯片封装结构，包括：相对设置的上板组件和下板组件；依次串联连接的第一互联单元、第三互联单元组和第二互联单元，均位于上板组件和下板组件之间，第三互联单元组包括至少一个第三互联单元；第一互联单元包括若干并联连接的第一芯片、第二互联单元包括若干并联连接的第二芯片、第三互联单元包括若干并联连接的第三芯片。本发明的功率芯片封装结构能够满足高电压大功率器件的要求。
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公开(公告)号：CN118099115A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211442627.3
申请日：2022-11-17
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/31 , H01L23/373 , H01L21/66
摘要： 一种高压功率半导体单芯片封装模块及方法，包括：底板、外壳、功率回路电极端子、控制回路电极端子、衬板、高压功率半导体芯片、键合线、硅凝胶、绝缘电压评定单元。高压功率半导体单芯片模块封装结构，围绕电极端子的出口孔设置多个伞裙增大爬电距离，显著降低了器件高度，高电压、低寄生参数、低损耗。通过更改衬板版图设计，可适配多种不同类型和尺寸的芯片封装需求，显著提高了封装灵活性。栅极采用开尔文连接方式，实现功率回路和控制回路分离，降低开关振荡，提升器件安全工作区。本发明的底板采用高热导率、低热膨胀系数材料降低器件结壳热阻，实现高功率密度封装，满足单芯片评估需求。
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公开(公告)号：CN115910985B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211405522.0
申请日：2022-11-10
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/24 , H01L23/64
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：栅极PCB板和多个并联的子模组，每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端，栅极PCB板包括驱动连接单元，栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极；栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点，多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接，流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明，使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致，实现了栅极寄生参数均衡化，从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力，提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升，能够在增加并联子模组的同时，提升其安全可靠性。
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公开(公告)号：CN115910985A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211405522.0
申请日：2022-11-10
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/24 , H01L23/64
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：栅极PCB板和多个并联的子模组，每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端，栅极PCB板包括驱动连接单元，栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极；栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点，多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接，流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明，使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致，实现了栅极寄生参数均衡化，从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力，提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升，能够在增加并联子模组的同时，提升其安全可靠性。
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公开(公告)号：CN117116864A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310325506.9
申请日：2023-03-29
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/492
摘要： 一种弹性压接封装结构，包括第一电极板、芯片、弹性组件和第二电极板，弹性组件包括一体成型且依次连接的第一导电段、弹性伸缩段和第二导电段，第一电极板通过芯片与第一导电段电性连接，第二导电段与第二电极板电性连接。本发明提供的弹性压接封装结构取消碟簧杆和弹簧外框架，将多个弹性部件如碟簧片和弹簧帽进行一体化设计，简化了弹性组件的结构且缩小了弹性组件的体积。同时，整个弹性组件结构采用高热导率材料，较现有弹性组件可明显提高该热流路径上的散热能力。
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公开(公告)号：CN114019216B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111282131.X
申请日：2021-11-01
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种弹性压接IGBT器件芯片电流在线测量系统，利用能够集成在弹性压接IGBT器件内部的PCB板作为测量系统的载体，PCB板上开设有多个矩形开孔，每个矩形开孔周围设置一个矩形罗氏线圈，碟簧从矩形开孔中穿过，使用矩形罗氏线圈作为测量探头测量单个芯片的电流，实现弹性压接IGBT器件内部各芯片电流的在线测量；矩形罗氏线圈包括多个依次紧密排布的矩形单匝线圈，多个矩形单匝线圈均斜向布置在矩形开孔周围，使得矩形线圈有更均匀的绕线密度，提高了测量准确度和抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN114019216A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111282131.X
申请日：2021-11-01
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种弹性压接IGBT器件芯片电流在线测量系统，利用能够集成在弹性压接IGBT器件内部的PCB板作为测量系统的载体，PCB板上开设有多个矩形开孔，每个矩形开孔周围设置一个矩形罗氏线圈，碟簧从矩形开孔中穿过，使用矩形罗氏线圈作为测量探头测量单个芯片的电流，实现弹性压接IGBT器件内部各芯片电流的在线测量；矩形罗氏线圈包括多个依次紧密排布的矩形单匝线圈，多个矩形单匝线圈均斜向布置在矩形开孔周围，使得矩形线圈有更均匀的绕线密度，提高了测量准确度和抗干扰能力。
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