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公开(公告)号：CN105633168A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511032546.6
申请日：2015-12-31
CPC分类号： H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/7806 , H01L21/0445 , H01L29/66068
摘要： 本发明提供一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件及其制造方法，所述器件包括：1)沟槽型MOSFET：N+衬底及其上的N-漂移层，所述N-漂移层包含彼此隔离的有N+源区的P阱；所述P阱外侧的U型沟道，所述U型沟道表面有氧化层，其内有栅极；所述栅极及部分所述N+源区上的隔离层；和正面的源极及背面的漏极；2)肖特基二极管：所述N-漂移层内的所述P阱间的N-漂移层与所述源极金属形成的肖特基接触。本发明通过在沟槽型SiC MOSFET中引入肖特基二极管，在器件工作时，起续流二极管的作用，提高了电路工作的效率与可靠性，降低了电路制作成本。
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公开(公告)号：CN205595339U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201521141019.4
申请日：2015-12-31
摘要： 本实用新型提供一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件，所述器件包括：1)沟槽型MOSFET：N+衬底及其上的N‑漂移层，所述N‑漂移层包含彼此隔离的有N+源区的P阱；所述P阱外侧的U型沟道，所述U型沟道表面有氧化层，其内有栅极；所述栅极及部分N+源区上为隔离层；正面为源极及背面为漏极；2)肖特基二极管：所述N‑漂移层内的所述P阱间的N‑漂移层与所述源极金属形成的肖特基接触。本实用新型通过在沟槽型SiCMOSFET中引入肖特基二极管，在器件工作时，起续流二极管的作用，提高了电路工作的效率与可靠性，降低了电路制作成本。
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公开(公告)号：CN105047542B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510561169.9
申请日：2015-09-06
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET功率器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：1)提供第一导电类型的碳化硅外延衬底；2)于所述外延衬底上制造第二导电类型的碳化硅阱区；3)于所述碳化硅阱区表面形成第一杂质区域；4)于所述第一杂质区域制备穿过所述第一杂质区域和所述碳化硅阱区延伸至所述外延层中的沟槽；5)于所述沟槽内表面形成初始栅极；6)氧化所述初始栅极形成栅极电介质层；7)于所述栅极电介质层上制作栅电极；8)于所述碳化硅阱区和第一杂质区域表面上形成第一接触；9)于所述碳化硅衬底的背面形成第二接触。本发明改善了碳化硅氧化形成栅极电介质时，于沟道区域界面处形成碳聚集的现象，提高了栅极电介质层质量。
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公开(公告)号：CN106611705A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510685998.8
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02107 , H01L21/0223 , H01L21/02236 , H01L21/324
摘要： 本发明提供一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，所述方法包括：1)清洗碳化硅外延衬底；2)氧化步骤1)所述衬底；3)于无氧的含磷环境中，退火处理步骤2)所述氧化的碳化硅样品。本发明在传统氧化的基础上，加入磷环境下的退火，有助于提高氧化层质量，实现二氧化硅与碳化硅界面的钝化，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，提高沟道电子迁移率，减小器件的性能退化，工艺简单，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106611696A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510686428.0
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/0223 , H01L21/02312 , H01L21/02315
摘要： 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氮等离子体处理；3)高温下氩气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN105609481B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201510967719.7
申请日：2015-12-21
摘要： 本发明提供一种新型封装及其制造方法，所述封装包括同平面设置的pad区域(11)、以所述pad区域(11)为中心的发射状压焊条(12)和所述pad区域(11)外的环状压焊条(13)，以及所述pad区域(11)、所述发射状压焊条(12)和所述环状压焊条(13)的拉线。所述制造方法包括：1)制作含有pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的压焊模型；2)螺旋缠绕pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的拉线形成引线。本发明新型封装的网状压焊结构有助于电流的扩展，大大缓解由于电流扩展延迟造成的中心pad区电流聚集问题，有助于提高器件性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN105260517A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510622970.X
申请日：2015-09-25
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明提供一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构，晶胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝120°，所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成，碳硅键长为所述模型上表面沿(0001)面向偏4°；所述模型以计算机辅助构建而成，方法步骤简单易行，其制作完全按照实际生产过程中对碳化硅表面的处理方法；本发明的4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型可应用于碳化硅氧化原理、碳化硅欧姆接触、碳化硅外延等碳化硅材料与其他材料界面研究中，较通常使用的无偏角原子模型更接近于实际应用，研究结果与实际情况更接近，更具有参考价值。
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公开(公告)号：CN105140283A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510449403.9
申请日：2015-07-28
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L21/0465 , H01L29/0684 , H01L29/66068
摘要： 本发明提供一种碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)功率器件及其制作方法，该器件包括：n型的碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层包含具有一定间隔的含有n型碳化硅源区的p型碳化硅区，所述漂移层上的n型碳化硅外延层，所述外延层被所述n型碳化硅区间隔，所述外延层上的氧化层，所述氧化层上的n型多晶层；自p型碳化硅区上的n型碳化硅外延区延伸至n型漂移层上的n型碳化硅外延区的n型沟道。本发明可减少经过离子注入和高温退火处理后的SiC和栅介质之间的界面态密度，减少器件的性能退化，提高沟道载流子的有效迁移率。本发明方法利用栅接触多晶层作为源离子注入掩膜，简化了碳化硅MOSFET器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN106611705B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201510685998.8
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/324
摘要： 本发明提供一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，所述方法包括：1)清洗碳化硅外延衬底；2)氧化步骤1)所述衬底；3)于无氧的含磷环境中，退火处理步骤2)所述氧化的碳化硅样品。本发明在传统氧化的基础上，加入磷环境下的退火，有助于提高氧化层质量，实现二氧化硅与碳化硅界面的钝化，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，提高沟道电子迁移率，减小器件的性能退化，工艺简单，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106996995A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610045067.6
申请日：2016-01-22
CPC分类号： G01R1/06722 , G01R31/2886
摘要： 本发明提供的一种柔性探针，探针包括支撑臂、柔性接触探针及柔性连接点，柔性可固定连接或可拆卸，柔性接触探针为二维或三维结构；柔性接触探针为烟斗状或汤匙状且其空间体积为1μm3～0.1m3。本发明提供的探针带有可固定、可拆卸的柔性接触点，便于更换受损的探针；采用二维或三维结构的烟斗状或汤匙状结构，替换现有技术中的一维点接触结构的探针，能避免在芯片测试过程中损伤芯片表面金属层及损毁电器件；该探针与芯片电极接触面大，能在大电流器件测试过程中使电流分布更均匀，避免一维点状探针尖端带电打火烧毁器件，显著提高了电器件芯片级测试过程的安全性。
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