公开(公告)号：CN108493879A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810415237.4

申请日：2018-05-03

申请人： 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 ,  武汉大学 ,  国网新疆电力有限公司电力科学研究院

发明人： 韩纪层 ,  雷龙武 ,  肖文凯 ,  何鹏 ,  林德源 ,  翟显 ,  李勇杰 ,  何成 ,  谢恒 ,  王晗 ,  张陵 ,  蔡建宾 ,  严康骅 ,  马勤勇 ,  钟劲松 ,  何常根 ,  李惠宇 ,  李伟 ,  李瑞 ,  王欣欣 ,  赵普志 ,  付豪 ,  郑义 ,  赵建平

IPC分类号： H02G7/04 ,  H02G7/05

摘要： 本发明公开了一种用于防止导线低周疲劳断股的装置，包括套筒装置、弧形紧固件、耐张线夹和高压导线；所述耐张线夹经过压接处理，外形呈六边形；所述高压导线与耐张线夹配合使用；所述套筒装置内部左端设有一定长度的六边形内腔，用于与压接后的耐张线夹外部的六边形表面贴合固定；所述套筒装置内部右端设有一定长度的圆柱形内腔，其圆柱直径尺寸与高压导线的外径相当，并与导线表面贴合；所述弧形紧固件用于将套筒装置固定在耐张线夹的末端。该装置通过在耐张线夹与高压导线的压接处添加套筒装置，使导线与线夹压接处的应力较之前减小许多，降低了导线的摆动应力，避免了低周疲劳现象的产生，大大延长了高压导线在强风地区的使用寿命。

公开(公告)号：CN208078345U

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201820601668.5

申请日：2018-04-25

申请人： 国网新疆电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 卫程 ,  赵梅芳 ,  李瑞 ,  桓露 ,  刘卫新 ,  尹文庆 ,  王保盛 ,  刘威 ,  潘霞 ,  杨永建 ,  张晓磊 ,  王力

IPC分类号： H01R31/06 ,  H01R27/00 ,  G01R1/04

摘要： 本实用新型涉及电力校验接头连接技术领域，是一种多功能电接头连接装置，其包括主体和连接端子插头；主体包括外侧的绝缘套体和固定在绝缘套体内的导电体，在绝缘套体的底部设有与导电体底部固定连接的连接端子插头，在绝缘套体和导电体的前侧面上设有相互对应的试验线插孔，该试验线插孔自上而下设有至少两个。本实用新型结构合理而紧凑，使用方便，通过设置连接端子插头和试验线插片，能方便与不同结构的试验端子连接，设置多个试验线插孔、左夹子接线柱及右夹子接线柱，能分别连接多个带插头的试验导线和带夹子的导线，不仅提高了连接效率和连接质量，还降低了掉线的风险。

公开(公告)号：CN118588637A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410708976.8

申请日：2024-06-03

申请人： 武汉大学

发明人： 刘胜 ,  田志强 ,  王诗兆 ,  李瑞 ,  习杨

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本申请属于半导体制造封装技术领域，具体公开了一种基于混合键合的背面供电芯片结构的制备方法及芯片结构，制备方法包括：制备第一半导体结构的第一部分：在第一晶圆上依次至少制备埋入式电源轨、器件层以及信号互连层；制备第一半导体结构的第二部分：在第一晶圆中制备贯穿的第一组硅通孔TSV，且在第一组TSV中填充导电金属柱；制备第二半导体结构；第二半导体结构自下而上至少包括：第二晶圆和供电网络层；使用混合键合工艺将第一半导体结构和第二半导体结构进行键合。通过本申请，提高背面供电芯片的工艺灵活性、制备效率且有效降低成本。

公开(公告)号：CN117690799A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311828721.7

申请日：2023-12-28

申请人： 武汉大学

发明人： 刘胜 ,  孙祥 ,  吴改 ,  沈威 ,  李瑞 ,  汪启军 ,  张栋梁 ,  梁康 ,  东芳

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/16 ,  H01L29/812

摘要： 本发明公开了一种N型沟道金刚石MESFET器件及其制备方法，首先准备P型掺杂金刚石层；然后在P型掺杂金刚石层上露出源极和漏极的相应位置，采用刻蚀工艺在源极和漏极的相应位置处分别刻蚀凹槽，得到含有源极凹槽、漏极凹槽的P型掺杂金刚石层；之后利用MPCVD工艺，采用硼‑氧共掺方法在源、漏凹槽内沉积N型单晶金刚石，分别得到源极区域和漏极区域；之后移除源极区域和漏极区域以外的N型单晶金刚石；在源极区域、漏极区域以及源极区域、漏极区域之间的P型掺杂金刚石层上分别制备源极、漏极和栅极，得到N型沟道金刚石MESFET器件。本发明工艺简单，N型的源极区域和漏极区域同时兼具高电子浓度和高电子迁移率，能满足高功率器件要求。

公开(公告)号：CN111092039B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201911404448.9

申请日：2019-12-30

申请人： 武汉大学

发明人： 刘胜 ,  王诗兆 ,  东芳 ,  薛良豪 ,  李瑞

IPC分类号： H01L21/677 ,  B25J11/00

摘要： 一种高效晶片传输系统包括：2个接收超声传感器、耦合机械手、研磨控制台、清洗控制台、抛光控制台、刻蚀控制台、机械手旋转台等，各控制台包括：12发射超声传感器、晶片存储耦合装置、圆形预对准缓存台、预对准旋转台、晶片输出耦合装置等。本发明使用空间三点式确定所放晶片圆心；通过二级定位方式将耦合机械手抓取中心，与晶片圆心对准。耦合机械手在控制台中从晶片存储耦合装置中将单晶片传输到圆形预对准缓存台处理，六片晶片传输完成后实现一次工艺过程，预对准旋转台回到初始位置，晶片存储耦合装置对称旋转；按照相似操作，处理后的六片晶片传输至晶片输出耦合装置。耦合机械手将六片晶片传输至邻控制台的晶片存储耦合装置作下一工序。

公开(公告)号：CN111037580B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201911392586.X

申请日：2019-12-30

申请人： 武汉大学

发明人： 刘胜 ,  王诗兆 ,  东芳 ,  李瑞 ,  薛良豪

IPC分类号： B25J11/00 ,  B25J15/02 ,  B25J15/06

摘要： 本发明公开了一种多用碳化硅晶片传输机械手，包括衬板；主传动齿轮和副传动齿轮，主后辅臂和副后辅臂，动力输入模块，动力输入模块给机主传动齿轮提供动力输入带动主传动齿轮转动；主抓取臂和副抓取臂，主抓取臂与主传动齿轮和主后辅臂铰接，与主传动齿轮和主后辅臂铰接；主上前辅臂和主下前辅臂的一端分别铰接在衬板的上表面和下表面，另一端分别铰接在主抓取臂中部的上端和下端，副上前辅臂和副下前辅臂的一端分别铰接在衬板的上表面和下表明，另一端分别铰接在副抓取臂中部的上端和下端；直径调节模块分别安装在主抓取臂和副抓取臂的末端。本发明可实现二级抓取，实现了有限空间内不同腔体间的高效协调运作。

公开(公告)号：CN103136587A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310072258.8

申请日：2013-03-07

申请人： 武汉大学 ,  广东电网公司电力科学研究院

发明人： 杨军 ,  蔡茂 ,  董蓓 ,  余南华 ,  钟清 ,  李传健 ,  李瑞 ,  孙元章 ,  龚凌云

IPC分类号： G06N99/00

摘要： 本发明提出一种基于支持向量机的配电网运行状态分类识别方法。该方法主要基于SVM理论，同时对传统的SVM算法进行了改进。该方法从大量的数据样本中提取相似数据创建训练样本，采用小波包分解技术将故障信号分解成低频趋势信号和高频随机信号，采用SVM理论建模，合成得到配网运行状态分类数据，并训练得到基于核空间距离混合支持向量分类器(Support Vector Classifier，SVC)，建立配电网运行特征基因库，从而试图去建立一种可靠的判别机制，甄别配电网的正常和异常及故障状态。通过大量的仿真数据验证，表明所构建的分类器具有较强的泛化能力和较高的分类识别准确性，同时程序运行时间可满足工程需要。

公开(公告)号：CN118486648A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410708974.9

申请日：2024-06-03

申请人： 武汉大学

发明人： 刘胜 ,  王诗兆 ,  田志强 ,  习杨 ,  李瑞

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

摘要： 本申请属于半导体制造封装技术领域，具体公开了一种基于混合键合的背面供电芯片结构及其制备方法，制备方法包括：制备第一半导体结构，其自下而上至少包括：第一晶圆、埋入式电源轨、器件层以及信号互连层；第一晶圆中设置有贯穿的第一组TSV，且第一组TSV中填充有导电金属柱；制备第二半导体结构，自下而上至少包括：第二晶圆和供电网络层；使用混合键合工艺将第一和第二半导体结构进行键合，实现结构和电学连接，完成背面供电芯片制造。通过本申请，采用两块晶圆制备背面供电的芯片结构，在一块晶圆上制备芯片结构，另一块晶圆上制备背面供电结构；两块晶圆可以采用不同工艺制程制造相应结构，提高芯片的工艺灵活性、制备效率且有效降低成本。

公开(公告)号：CN118213283A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410290856.0

申请日：2024-03-14

申请人： 南京邮电大学南通研究院有限公司 ,  武汉大学

发明人： 王诗兆 ,  徐彬彬 ,  李瑞 ,  娄佩 ,  倪闻涛 ,  盛灿

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种混合键合方法、三维集成电路及电子设备。混合键合方法包括提供第一半导体结构和第二半导体结构。在所述第一金属触点远离所述第一半导体层的端部形成(111)晶面的第一单晶铜凸点，在所述第二金属触点远离所述第二半导体层的端部形成(111)晶面的第二单晶铜凸点。在所述第一单晶铜凸点上形成(111)晶面、(1‑10)晶面或(11‑2)晶面的锆中介层。将所述第一半导体结构和所述第二半导体结构进行对位键合。本申请能够实现低温Cu‑Cu混合键合，工艺难度低且键合效果较好、产品可靠性较高。

公开(公告)号：CN117832259A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311854735.6

申请日：2023-12-28

申请人： 武汉大学

发明人： 刘胜 ,  吴改 ,  沈威 ,  李瑞 ,  张栋梁 ,  汪启军 ,  孙祥

IPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种基于P型二维材料和异质N型金刚石的PN结及其制备方法，首先准备异质衬底；然后采用MPCVD工艺，在异质衬底上外延多晶纳米金刚石，得到异质外延的N型纳米金刚石层；之后在N型纳米金刚石层上制备P型二维材料层，得到P型二维材料和N型金刚石复合的PN结。所述N型纳米金刚石层包括异质衬底和制备于异质衬底上的纳米金刚石，所述纳米金刚石包括多晶金刚石和分散多晶金刚石之间间隙处的碳材料，多晶金刚石的晶粒尺寸为纳米级，所述异质衬底的晶格常数与多晶金刚石的晶格常数差异不超过25％。本发明相比现有材料制成的PN结能够承受更大的电压、产生更小的漏电流，形成更好的导通与截止性质。