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公开(公告)号:CN1722363A
公开(公告)日:2006-01-18
申请号:CN200510065300.9
申请日:2005-04-19
申请人: 国际商业机器公司
发明人: 陈国仕 , 布鲁斯·B.·多丽丝 , 凯思琳·W.·瓜里尼 , 杨美基 , 舍里施·纳拉丝穆哈 , 亚历山大·拉兹尼赛克 , 克恩·拉姆 , 德温得拉·K.·萨达纳 , 师利仁 , 杰弗里·W.·斯莱特 , 杨敏
IPC分类号: H01L21/02 , H01L21/8238 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/78
CPC分类号: H01L29/7842 , H01L21/2022 , H01L21/76275 , H01L21/823807 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/045 , H01L29/78687
摘要: 提供了制作应变含硅混合衬底的方法以及用此方法制作的应变含硅混合衬底。在本发明的方法中,应变硅层被形成来覆盖再生长的半导体材料、第二半导体层、或二者。根据本发明,应变硅层的晶向与再生长的半导体层或第二半导体层的晶向相同。此方法提供了一种混合衬底,其中至少一个器件层包括应变硅。
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公开(公告)号:CN100378917C
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN200510065300.9
申请日:2005-04-19
申请人: 国际商业机器公司
发明人: 陈国仕 , 布鲁斯·B.·多丽丝 , 凯思琳·W.·瓜里尼 , 杨美基 , 舍里施·纳拉丝穆哈 , 亚历山大·拉兹尼赛克 , 克恩·拉姆 , 德温得拉·K.·萨达纳 , 师利仁 , 杰弗里·W.·斯莱特 , 杨敏
IPC分类号: H01L21/02 , H01L21/8238 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/78
CPC分类号: H01L29/7842 , H01L21/2022 , H01L21/76275 , H01L21/823807 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/045 , H01L29/78687
摘要: 提供了制作应变含硅混合衬底的方法以及用此方法制作的应变含硅混合衬底。在本发明的方法中,应变硅层被形成来覆盖再生长的半导体材料、第二半导体层、或二者。根据本发明,应变硅层的晶向与再生长的半导体层或第二半导体层的晶向相同。此方法提供了一种混合衬底,其中至少一个器件层包括应变硅。
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