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公开(公告)号:CN105189837A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201480024263.4
申请日:2014-03-14
申请人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
IPC分类号: C30B29/20
CPC分类号: C30B15/34 , C01F7/02 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2976
摘要: 本公开涉及用于通过边缘限定薄膜供料生长方法(EFG)形成蓝宝石带的设备和方法。此外,本公开涉及具有比如为低尺寸差异度和消除在一批次中同时生长的蓝宝石带之间的空隙的特征的多个同时培植的蓝宝石带。
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公开(公告)号:CN103080388A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180040439.1
申请日:2011-07-18
申请人: 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号: C30B11/00 , B22D11/1206 , B22D11/143 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B29/64 , C30B35/00 , G01B7/105 , G01B7/107 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要: 一种材质的薄板配置在相同材质的熔融物中。在一实例中,此薄板是利用冷却板来形成。激发线圈和感测线圈配置在冷却板的下游。此激发线圈和感测线圈使用涡电流来测定位于熔融物顶部的固体薄板的厚度。
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公开(公告)号:CN102268732A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201110266454.X
申请日:2005-04-06
申请人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC分类号: C30B15/30 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
摘要: 揭示了包括蓝宝石的各种单晶。所述单晶具有所需的几何结构性质,包括宽度不小于约15厘米,厚度不小于约0.5厘米。所述单晶还可具有其它特征,例如最大厚度变化,处于形成状态的晶体可具有大体对称的颈部,具体与从晶体的颈部向主体的过渡相关。还揭示了形成这些晶体的方法和用来实施所述方法的设备。
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公开(公告)号:CN101755076A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200880018610.7
申请日:2008-06-13
申请人: 长青太阳能股份有限公司
IPC分类号: C30B15/14
CPC分类号: C30B15/007 , C30B15/14 , Y10T29/49826 , Y10T117/10 , Y10T117/1044 , Y10T117/1068
摘要: 一种带状晶拉晶炉,该带状晶拉晶炉具有用于围绕一个或多个带状晶的至少一部分的内部,并且具有定位在该内部中的后热器。该后热器具有至少一个壁,所述壁具有有助于控制炉内温度分布的一个或多个开口。
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公开(公告)号:CN1946882A
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN200580012188.0
申请日:2005-04-06
申请人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC分类号: C30B15/30 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
摘要: 揭示了包括蓝宝石的各种单晶。所述单晶具有所需的几何结构性质,包括宽度不小于约15厘米,厚度不小于约0.5厘米。所述单晶还可具有其它特征,例如最大厚度变化,处于形成状态的晶体可具有大体对称的颈部,具体与从晶体的颈部向主体的过渡相关。还揭示了形成这些晶体的方法和用来实施所述方法的设备。
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公开(公告)号:CN102268732B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201110266454.X
申请日:2005-04-06
申请人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC分类号: C30B15/30 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
摘要: 揭示了包括蓝宝石的各种单晶。所述单晶具有所需的几何结构性质,包括宽度不小于约15厘米,厚度不小于约0.5厘米。所述单晶还可具有其它特征,例如最大厚度变化,处于形成状态的晶体可具有大体对称的颈部,具体与从晶体的颈部向主体的过渡相关。还揭示了形成这些晶体的方法和用来实施所述方法的设备。
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公开(公告)号:CN103080388B
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201180040439.1
申请日:2011-07-18
申请人: 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号: C30B11/00 , B22D11/1206 , B22D11/143 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B29/64 , C30B35/00 , G01B7/105 , G01B7/107 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要: 一种材质的薄板配置在相同材质的熔融物中。在一实例中,此薄板是利用冷却板来形成。激发线圈和感测线圈配置在冷却板的下游。此激发线圈和感测线圈使用涡电流来测定位于熔融物顶部的固体薄板的厚度。
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公开(公告)号:CN102517630A
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN201210012082.2
申请日:2005-04-06
申请人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC分类号: C30B15/30 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
摘要: 本发明揭示了包括蓝宝石的各种单晶。所述单晶具有所需的几何结构性质,包括宽度不小于约15厘米,厚度不小于约0.5厘米。所述单晶还可具有其它特征,例如最大厚度变化,处于形成状态的晶体可具有大体对称的颈部,具体与从晶体的颈部向主体的过渡相关。还揭示了形成这些晶体的方法和用来实施所述方法的设备。
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公开(公告)号:CN1150355C
公开(公告)日:2004-05-19
申请号:CN00806873.9
申请日:2000-04-21
申请人: 株式会社荏原制作所
CPC分类号: C30B15/30 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B29/60 , Y10S117/911 , Y10T117/1044 , Y10T117/1072
摘要: 一种用于提拉晶体的方法,其能在开始晶体生长时将晶种准确地下降至熔融液体的指定位置并在生长开始时连续地提拉该晶体,和一种用于该方法的装置。用于连续提拉晶体的该装置的特征在于:包括:一用于垂直方向提拉晶种和在该晶种末端生长的带状晶体的直线提拉装置(30),一用于夹持并连续提拉所述带状晶体的提拉机构(40),一用于在通过提拉装置(30)提拉的晶种通过提拉机构(40)之后转换成由所述提拉机构(40)连续提拉的转换机构和一用于切断晶种(12)和带状晶体(16)的切割机构(39)。
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公开(公告)号:CN102517630B
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201210012082.2
申请日:2005-04-06
申请人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
CPC分类号: C30B15/30 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
摘要: 揭示了包括蓝宝石的各种单晶。所述单晶具有所需的几何结构性质,包括宽度不小于约15厘米,厚度不小于约0.5厘米。所述单晶还可具有其它特征,例如最大厚度变化,处于形成状态的晶体可具有大体对称的颈部,具体与从晶体的颈部向主体的过渡相关。还揭示了形成这些晶体的方法和用来实施所述方法的设备。
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