公开(公告)号：CN103765592A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280035896.6

申请日：2012-07-06

申请人： 埃皮根股份有限公司

发明人： J·德鲁恩 ,  S·迪格鲁特 ,  M·杰曼

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76213 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明涉及一种在衬底上生长III-V外延层的方法、一种半导体结构、以及包括这样的结构的设备，该半导体结构包括衬底、在衬底的顶部的缓冲层，其中，导电路径出现在衬底和缓冲层之间，其特征在于，该导电路径由一个或多个局部隔离阻断。当在Si衬底上沉积例如III-N外延层时，从沉积A1N层开始生长来抑制Si衬底的所谓“Ga回熔”。在Si和A1N间的界面处，由于在界面处的能带排列或Ga扩散到Si中，形成导电层。这一导电层对在Si上的这样的III-N缓冲层顶部构建的设备的射频操作和高压操作两者都是有害的。

公开(公告)号：CN103797581A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201280035805.9

申请日：2012-07-06

申请人： 埃皮根股份有限公司

发明人： J·德鲁恩 ,  S·迪格鲁特 ,  M·杰曼

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明涉及一种在衬底上生长III-V外延层的方法、一种包括衬底的半导体结构、包括这样的半导体结构的设备、和电路。诸如例如HEMT等的III族氮化物设备，包括在两个有源层之间，例如在GaN和AlGaN之间的2DEG。这些晶体管工作在耗尽模式操作中，这意味着必须耗尽沟道来将晶体管截止。对于诸如例如功率开关或集成逻辑等的某些应用，负极性栅极电源是不期望的。然后，晶体管可以工作在增强模式（E模式）中。

公开(公告)号：CN103765592B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201280035896.6

申请日：2012-07-06

申请人： 埃皮根股份有限公司

发明人： J·德鲁恩 ,  S·迪格鲁特 ,  M·杰曼

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76213 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明涉及一种在衬底上生长III‑V外延层的方法、一种半导体结构、以及包括这样的结构的设备，该半导体结构包括衬底、在衬底的顶部的缓冲层，其中，导电路径出现在衬底和缓冲层之间，其特征在于，该导电路径由一个或多个局部隔离阻断。当在Si衬底上沉积例如III‑N外延层时，从沉积A1N层开始生长来抑制Si衬底的所谓“Ga回熔”。在Si和A1N间的界面处，由于在界面处的能带排列或Ga扩散到Si中，形成导电层。这一导电层对在Si上的这样的III‑N缓冲层顶部构建的设备的射频操作和高压操作两者都是有害的。

公开(公告)号：CN104160510B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201280071307.X

申请日：2012-10-12

申请人： 埃皮根股份有限公司

发明人： J·德鲁恩 ,  S·迪格鲁特 ,  M·杰曼

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/283 ,  H01L21/32133 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462

摘要： 公开了一种包括特征在于二维电子气的III‑N层堆叠的器件，所述器件包括：III‑N层；所述III‑N层顶部的Al‑III‑N层；所述Al‑III‑N层顶部的钝化层，所述钝化层包括氮化硅(SiN)；其中所述钝化层包括Al‑III‑N界面处的全晶体子层并且所述全晶体子层的至少一部分包括Al和/或B；以及用于制造所述器件的相关联的方法。

公开(公告)号：CN103797581B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201280035805.9

申请日：2012-07-06

申请人： 埃皮根股份有限公司

发明人： J·德鲁恩 ,  S·迪格鲁特 ,  M·杰曼

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明涉及一种在衬底上生长III‑V外延层的方法、一种包括衬底的半导体结构、包括这样的半导体结构的设备、和电路。诸如例如HEMT等的III族氮化物设备，包括在两个有源层之间，例如在GaN和AlGaN之间的2DEG。这些晶体管工作在耗尽模式操作中，这意味着必须耗尽沟道来将晶体管截止。对于诸如例如功率开关或集成逻辑等的某些应用，负极性栅极电源是不期望的。然后，晶体管可以工作在增强模式（E模式）中。

公开(公告)号：CN104160510A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201280071307.X

申请日：2012-10-12

申请人： 埃皮根股份有限公司

发明人： J·德鲁恩 ,  S·迪格鲁特 ,  M·杰曼

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/283 ,  H01L21/32133 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462

摘要： 公开了一种包括特征在于二维电子气的III-N层堆叠的器件，所述器件包括：III-N层；所述III-N层顶部的Al-III-N层；所述Al-III-N层顶部的钝化层，所述钝化层包括氮化硅(SiN)；其中所述钝化层包括Al-III-N界面处的全晶体子层并且所述全晶体子层的至少一部分包括Al和/或B；以及用于制造所述器件的相关联的方法。