-
公开(公告)号：CN101359637B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810130071.8
申请日：2008-07-24
申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司
发明人： C·格布尔 , P·贝克达尔 , 海因里希·海尔布隆纳
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/603
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/05 , H01L29/8083 , H01L2224/0332 , H01L2224/03505 , H01L2224/05099 , H01L2224/05564 , H01L2224/05639 , H01L2224/0603 , H01L2224/0618 , H01L2224/75317 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及一种功率半导体元件，包括基体和至少一个接触面，其中在所述接触面上设置至少一个第一材料的薄的第一金属层。按本发明第二材料的与第一金属层相比较厚的另一金属层借助于所述材料的压力烧结连接设置在其上。所配设的方法具有以下主要步骤：在晶片阵列中制造多个功率半导体元件；将至少一个薄的第一金属层涂覆在各功率半导体元件的至少一个接触面上；将由第二材料和溶剂制成的糊状的层设置在各功率半导体元件的至少其中一个第一金属层上；对糊状的层加载压力；分离各半导体元件。
-
公开(公告)号：CN101359637A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810130071.8
申请日：2008-07-24
申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司
发明人： C·格布尔 , P·贝克达尔 , 海因里希·海尔布隆纳
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/603
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/05 , H01L29/8083 , H01L2224/0332 , H01L2224/03505 , H01L2224/05099 , H01L2224/05564 , H01L2224/05639 , H01L2224/0603 , H01L2224/0618 , H01L2224/75317 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及一种功率半导体元件，包括基体和至少一个接触面，其中在所述接触面上设置至少一个第一材料的薄的第一金属层。按本发明第二材料的与第一金属层相比较厚的另一金属层借助于所述材料的压力烧结连接设置在其上。所配设的方法具有以下主要步骤：在晶片阵列中制造多个功率半导体元件；将至少一个薄的第一金属层涂覆在各功率半导体元件的至少一个接触面上；将由第二材料和溶剂制成的糊状的层设置在各功率半导体元件的至少其中一个第一金属层上；对糊状的层加载压力；分离各半导体元件。
-
搜索结果
2 条记录 (耗时 0.025 秒)
