公开(公告)号：CN103875067B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201280050150.2

申请日：2012-09-10

申请人： 丹佛斯硅动力股份有限公司

发明人： 马丁·贝克尔 ,  罗纳德·艾西尔 ,  弗兰克·奥斯特瓦尔德 ,  加赛克·鲁兹基

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03438 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29399 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

摘要： 本发明涉及将具有上侧电势面的功率半导体芯片连接到厚布线或条片的方法，该方法包括以下步骤：提供与上侧电势面的形状相对应的金属成型体；将连接层涂覆到上侧电势面或金属成型体上；在厚布线结合到成型体的非被添加的上侧之前，布置金属成型体并且添加适合的材料、电导通的化合物到电势面。

公开(公告)号：CN103855124B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310597577.0

申请日：2013-11-22

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金钟薰 ,  裴弼淳

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/03312 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0579 ,  H01L2224/05839 ,  H01L2224/05847 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：半导体结构，在其一个表面上形成有用于暴露焊盘的开口；第一导电层，形成在开口中以使半导体结构的一个表面更加均匀；以及导电图案，形成在半导体结构的部分的一个表面上，该一个表面包括第一导电层。

公开(公告)号：CN106653630A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201710046807.2

申请日：2017-01-22

申请人： 大连大学

发明人： 孙旭东 ,  惠宇 ,  毕孝国 ,  刘旭东

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/03848

摘要： 本发明涉及一种硅表面金属化方法，在硅基板上均匀涂覆金属粉末，然后激光扫描烧结，硅基板表面完全金属化，形成硅覆金属板。本发明的硅基板与金属导电层之间不含有玻璃相和陶瓷相，从而保证了硅基板的导热性；同时，本发明为局部加热，因此工件整体其他部分处于常温状态，不影响破坏其他部分的功能；工艺简单，成本低。

公开(公告)号：CN101359637B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200810130071.8

申请日：2008-07-24

申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司

发明人： C·格布尔 ,  P·贝克达尔 ,  海因里希·海尔布隆纳

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/8083 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0618 ,  H01L2224/75317 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明涉及一种功率半导体元件，包括基体和至少一个接触面，其中在所述接触面上设置至少一个第一材料的薄的第一金属层。按本发明第二材料的与第一金属层相比较厚的另一金属层借助于所述材料的压力烧结连接设置在其上。所配设的方法具有以下主要步骤：在晶片阵列中制造多个功率半导体元件；将至少一个薄的第一金属层涂覆在各功率半导体元件的至少一个接触面上；将由第二材料和溶剂制成的糊状的层设置在各功率半导体元件的至少其中一个第一金属层上；对糊状的层加载压力；分离各半导体元件。

公开(公告)号：CN101479839A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780023700.0

申请日：2007-03-15

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 舟木达弥

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0331 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05794 ,  H01L2224/05839 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/1155 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81379 ,  H01L2224/81594 ,  H01L2224/81639 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/8284 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  Y10S977/779 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/01014

摘要： 本发明提供一种具有连接至少表面由Al或Al合金形成的电极和金属纳米粒子的烧结体的连接部的电子元件、使用该电子元件的电子元件装置及其制造方法，该电子元件具有：电子元件本体以及电极，该电极包含至少表面由Al或Al合金形成的第1电极、和在上述第1电极上键合的由金属纳米粒子的烧结体形成的第2电极；其特征在于，上述第1电极和第2电极的键合界面具有从上述第1电极侧向上述第2电极侧，以(a)主成分为Al的第1层，(b)主成分为Al氧化物的第2层，(c)主成分为Al和金属纳米粒子的构成元素的合金的第3层，(d)主成分为金属纳米粒子的构成元素的第4层的顺序排列的多层结构。

公开(公告)号：CN105336718B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510468210.8

申请日：2015-08-03

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·施内甘斯 ,  A·梅瑟 ,  M·米希兹 ,  M·勒斯纳 ,  M·皮恩克佐利兹

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L21/4807 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/528 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/32 ,  H01L24/49 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/08245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/03

摘要： 一种用于形成半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底中形成器件区域，半导体衬底包括第一侧和第二侧。器件区域与第一侧邻近地形成。该方法还包括：在半导体衬底的第一侧之上形成种子层；在种子层之上形成经图案化的抗蚀剂层。在经图案化的抗蚀剂层内在种子层之上形成接触焊盘。该方法还包括：在形成接触焊盘之后，去除经图案化的抗蚀剂层，以露出种子层的在经图案化的抗蚀剂层之下的部分；以及在种子层的露出的部分之上形成保护层。

公开(公告)号：CN106653627A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610888951.6

申请日：2016-10-11

申请人： 天津大学

发明人： 梅云辉 ,  闫海东 ,  李欣 ,  陆国权

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L2224/0603 ,  H01L2224/49111 ,  H01L24/03 ,  H01L23/52 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03849

摘要： 本发明涉及一种纳米银焊膏连接裸铜衬底或敷铜基板的烧结方法，包括预热阶段、干燥阶段、烧结致密化阶段和甲酸还氧烧结阶段；其中在预热阶段和干燥阶段采用非接触热传导方式实现加热板对加热托盘的加热，在烧结致密化阶段采用接触热传导方式实现加热板对加热托盘的加热。利用密闭腔体中辐射、传导和对流的热传导原理实现了可用于纳米银焊膏实现功率芯片与裸铜衬底或敷铜基板间烧结连接所需的温度曲线，并利用该真空炉量化的抽真空能力得到了可用于纳米银焊膏连接裸铜衬底或敷铜基板所需的贫氧烧结气氛。本发明借助通用真空烧结/回流焊炉平台，无需特制的烧结工艺设备，适合于电力电子领域中各种集成半导体芯片封装模块的产业化生产。

公开(公告)号：CN102856219A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210220306.9

申请日：2012-06-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K.霍赛尼 ,  J.马勒 ,  M.门格尔 ,  H.托伊斯

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： C23C24/04 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03416 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/351 ,  Y10T29/49886 ,  Y10T428/249994 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及用于把金属表面附着到载体的方法以及包装模块。提供了一种用于把金属表面附着到载体的方法，所述方法包括：将多孔层沉积在金属表面和载体侧面的至少一项之上；以及通过将一种材料引入到所述多孔层的各个孔中而将金属表面和载体侧面的所述至少一项附着到所述多孔层，从而使得所述材料形成金属表面与载体之间的互连。

公开(公告)号：CN102693992A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210070103.6

申请日：2012-03-16

申请人： 索尼公司

发明人： 香川惠永 ,  驹井尚纪

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L23/53209 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/80092 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明公开一种半导体装置，包括：第一半导体部分，其包括第一配线；第二半导体部分，其与第一半导体部分贴附并包括电连接第一配线的第二配线；和金属氧化物，其通过氧与金属材料之间的反应形成，所述金属材料比氢更容易与氧反应，所述金属氧化物扩散入包括在第一配线和第二配线之间的连接界面的区域，并且扩散入至少第一配线和第二配线之一的内部。

公开(公告)号：CN101740489A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910222014.7

申请日：2009-11-13

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 金珉硕

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76828 ,  H01L24/03 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

摘要： 本发明提供一种半导体器件中的金属线路及其形成方法。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成缓冲下金属线路，用于吸收外部冲击；形成覆盖缓冲下金属线路的前金属电介质，所述前金属电介质中形成有通孔以暴露所述缓冲下金属线路的一部分；在其中形成有所述通孔的前金属电介质的表面上形成籽晶层；形成聚酰亚胺，聚酰亚胺暴露所述通孔和所述通孔附近的前金属电介质上形成的籽晶层；使用如此暴露的籽晶层来生长上金属线路；对上面形成有所述上金属线路的半导体衬底进行热处理；通过干蚀刻去除聚酰亚胺；将一接合部接合到所述上金属线路上。