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公开(公告)号：CN101304012B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200810096735.3
申请日：2008-05-09
申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/48 , H01B1/02
CPC分类号： H01L21/4867 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/72 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/05644 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/75317 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H05K1/0306 , H05K3/06 , H05K3/1283 , H05K3/247 , H05K2201/0133 , H05K2201/035 , H05K2203/0191 , H05K2203/0278 , H05K2203/1131 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： 本发明描述一种功率半导体基片，包括一绝缘的面状的基体、至少一个印制导线和至少一个作为该印制导线的部分的接触面，其中在该接触面上借助于金属材料的加压烧结连接设置一材料层。配属的方法具有以下主要的步骤：制造一功率半导体基片，其包括一面状的绝缘的基体、印制导线和接触面；将一由一金属材料和一溶剂制成的膏状层设置在功率半导体基片的至少一个接触面上；对膏状层施加压力。
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公开(公告)号：CN101304012A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810096735.3
申请日：2008-05-09
申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/48 , H01B1/02
CPC分类号： H01L21/4867 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/72 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/05644 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/75317 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H05K1/0306 , H05K3/06 , H05K3/1283 , H05K3/247 , H05K2201/0133 , H05K2201/035 , H05K2203/0191 , H05K2203/0278 , H05K2203/1131 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要： 本发明描述一种功率半导体基片，包括一绝缘的面状的基体、至少一个印制导线和至少一个作为该印制导线的部分的接触面，其中在该接触面上借助于金属材料的加压烧结连接设置一材料层。配属的方法具有以下主要的步骤：制造一功率半导体基片，其包括一面状的绝缘的基体、印制导线和接触面；将一由一金属材料和一溶剂制成的膏状层设置在功率半导体基片的至少一个接触面上；对膏状层施加压力。
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公开(公告)号：CN1964039A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610136514.5
申请日：2006-10-24
申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司
IPC分类号： H01L25/00 , H01L25/07 , H01L23/538
CPC分类号： H05K3/4007 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L23/5385 , H01L23/5387 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/50 , H01L25/072 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/24226 , H01L2224/2518 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/19107 , H01L2924/20757 , H05K1/0265 , H05K1/0393 , H05K1/09 , H05K3/4046 , H05K2201/0352 , H05K2201/0367 , H05K2201/09736 , H05K2201/10166 , H05K2203/049 , H01L2924/00
摘要： 本发明描述了一功率半导体模块(10)，其包括一基片(12)，一复合薄膜(14)和至少一个在基片(12)和复合薄膜(14)之间设置的功率半导体元件(16)。该复合薄膜(14)具有一电路结构形成的逻辑电路金属层(26)和一相对厚的电路结构形成功率金属层(28)以及在上述两金属层之间的一薄电绝缘塑料薄膜(24)。复合薄膜(14)设计为带有接触凸起部(30)，此接触凸起部用于至少一个功率半导体元件(16)触点接通。在逻辑电路金属层(26)和功率金属层(28)之间设置镀通孔(32)。塑料薄膜(24)在各个镀通孔(32)的区域内在逻辑电路金属层(26)的自由区域(36)上设计具有空隙(34)。柔性的薄片导线(40)的块(38)延伸通过逻辑电路金属层(26)上的自由区域(36)和通过塑料薄膜(24)中的空隙(34)，并且通过压焊点(44，48)与逻辑电路金属层(26)和功率金属层(28)触点接通。
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公开(公告)号：CN101359637B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810130071.8
申请日：2008-07-24
申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司
发明人： C·格布尔 , P·贝克达尔 , 海因里希·海尔布隆纳
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/603
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/05 , H01L29/8083 , H01L2224/0332 , H01L2224/03505 , H01L2224/05099 , H01L2224/05564 , H01L2224/05639 , H01L2224/0603 , H01L2224/0618 , H01L2224/75317 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及一种功率半导体元件，包括基体和至少一个接触面，其中在所述接触面上设置至少一个第一材料的薄的第一金属层。按本发明第二材料的与第一金属层相比较厚的另一金属层借助于所述材料的压力烧结连接设置在其上。所配设的方法具有以下主要步骤：在晶片阵列中制造多个功率半导体元件；将至少一个薄的第一金属层涂覆在各功率半导体元件的至少一个接触面上；将由第二材料和溶剂制成的糊状的层设置在各功率半导体元件的至少其中一个第一金属层上；对糊状的层加载压力；分离各半导体元件。
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公开(公告)号：CN101304017B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200810096734.9
申请日：2008-05-09
申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司
CPC分类号： H05K3/38 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/72 , H01L21/4867 , H01L23/3735 , H01L2224/75315 , H05K1/0306 , H05K2201/0355 , Y10T428/264 , Y10T428/31678
摘要： 本发明描述一种功率半导体基片，包括一绝缘的面状的基体、至少一个在至少一个主面上设置的层序列，其包括一薄的粘附连接层、一烧结金属层和一导电层。所属的方法具有以下主要的步骤：对面状的绝缘的基本的至少一个主面的至少一部分表面涂覆粘附连接层；将一由烧结金属和一溶剂制成的膏状层设置在粘附连接层的一部分表面上或整个表面上；将导电层设置在烧结金属层上；对功率半导体基片的导电层施加压力。
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公开(公告)号：CN101409276A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810215743.5
申请日：2008-09-09
申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/538
CPC分类号： H01L23/49822 , H01L23/13 , H01L24/48 , H01L2224/48472 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明给出一种具有与至少一个半导体元件导电连接的连接装置并具有填充物的结构。其中连接装置被实现为至少包含一个绝缘薄膜和两个导电薄膜的复合薄膜，这个复合薄膜具有层结构，其中一个导电薄膜、一个绝缘薄膜以及另一个导电薄膜交替排列，并且导电薄膜被构造并从而形成导电线路。在相应导电薄膜中的至少一个凹槽被分配给至少一个半导体元件，并且填充物位于连接装置与至少一个半导体元件之间。
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公开(公告)号：CN1964039B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610136514.5
申请日：2006-10-24
申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司
IPC分类号： H01L25/00 , H01L25/07 , H01L23/538
CPC分类号： H05K3/4007 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L23/5385 , H01L23/5387 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/50 , H01L25/072 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/24226 , H01L2224/2518 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/19107 , H01L2924/20757 , H05K1/0265 , H05K1/0393 , H05K1/09 , H05K3/4046 , H05K2201/0352 , H05K2201/0367 , H05K2201/09736 , H05K2201/10166 , H05K2203/049 , H01L2924/00
摘要： 本发明描述了一功率半导体模块(10)，其包括一基片(12)，一复合薄膜(14)和至少一个在基片(12)和复合薄膜(14)之间设置的功率半导体元件(16)。该复合薄膜(14)具有一电路结构形成的逻辑电路金属层(26)和一相对厚的电路结构形成功率金属层(28)以及在上述两金属层之间的一薄电绝缘塑料薄膜(24)。复合薄膜(14)设计为带有接触凸起部(30)，此接触凸起部用于至少一个功率半导体元件(16)触点接通。在逻辑电路金属层(26)和功率金属层(28)之间设置镀通孔(32)。塑料薄膜(24)在各个镀通孔(32)的区域内在逻辑电路金属层(26)的自由区域(36)上设计具有空隙(34)。柔性的薄片导线(40)的块(38)延伸通过逻辑电路金属层(26)上的自由区域(36)和通过塑料薄膜(24)中的空隙(34)，并且通过压焊点(44，48)与逻辑电路金属层(26)和功率金属层(28)触点接通。
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公开(公告)号：CN101359637A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810130071.8
申请日：2008-07-24
申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司
发明人： C·格布尔 , P·贝克达尔 , 海因里希·海尔布隆纳
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/603
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/05 , H01L29/8083 , H01L2224/0332 , H01L2224/03505 , H01L2224/05099 , H01L2224/05564 , H01L2224/05639 , H01L2224/0603 , H01L2224/0618 , H01L2224/75317 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及一种功率半导体元件，包括基体和至少一个接触面，其中在所述接触面上设置至少一个第一材料的薄的第一金属层。按本发明第二材料的与第一金属层相比较厚的另一金属层借助于所述材料的压力烧结连接设置在其上。所配设的方法具有以下主要步骤：在晶片阵列中制造多个功率半导体元件；将至少一个薄的第一金属层涂覆在各功率半导体元件的至少一个接触面上；将由第二材料和溶剂制成的糊状的层设置在各功率半导体元件的至少其中一个第一金属层上；对糊状的层加载压力；分离各半导体元件。
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公开(公告)号：CN101304017A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810096734.9
申请日：2008-05-09
申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司
CPC分类号： H05K3/38 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/72 , H01L21/4867 , H01L23/3735 , H01L2224/75315 , H05K1/0306 , H05K2201/0355 , Y10T428/264 , Y10T428/31678
摘要： 本发明描述一种功率半导体基片，包括一绝缘的面状的基体、至少一个在至少一个主面上设置的层序列，其包括一薄的粘附连接层、一烧结金属层和一导电层。所属的方法具有以下主要的步骤：对面状的绝缘的基本的至少一个主面的至少一部分表面涂覆粘附连接层；将一由烧结金属和一溶剂制成的膏状层设置在粘附连接层的一部分表面上或整个表面上；将导电层设置在烧结金属层上；对功率半导体基片的导电层施加压力。
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