公开(公告)号：CN111051288B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201880057289.7

申请日：2018-09-06

Applicant: 大塚制药株式会社

Inventor： 中井雄野 ,  林真志 ,  三桥航

IPC: C07D221/28 ,  C07B59/00

Abstract: 本发明涉及一种用氘代低级烷基使哌啶衍生物中的哌啶氮单烷基化的方法，所述方法包括用芳烷基保护基保护所述哌啶氮，在中性或碱性条件下用氘代低级烷基化剂使所述哌啶氮低级烷基化，然后将所述芳烷基保护基脱保护。[化学式5]

公开(公告)号：CN113518771A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202080018369.9

申请日：2020-03-12

Applicant: 大塚制药株式会社

Inventor： 三宅将仁 ,  林真志 ,  中井雄野

IPC: C07B59/00 ,  C07C253/30 ,  C07D207/09 ,  C07D207/267 ,  C07D211/46 ,  C07D211/74 ,  C07D221/20 ,  C07D221/28 ,  C07D223/08 ,  C07D225/02 ,  C07D243/08 ,  C07D401/04 ,  C07D403/06 ,  C07D451/06 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07B61/00 ,  C07D209/08 ,  C07D215/20 ,  C07D295/03 ,  C07D487/04 ,  C07D487/10 ,  C07D205/04 ,  C07D241/08 ,  C07D241/42 ,  C07D241/44

Abstract: 本发明涉及对含有被芳烷基保护的胺的化合物的胺部分进行单氘代低级烷基化的方法，其包括如下步骤：在中性或碱性条件下，利用氘代低级烷基化剂向该胺中导入单氘代低级烷基，接着使芳烷基脱保护。

公开(公告)号：CN111051288A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880057289.7

申请日：2018-09-06

Applicant: 大塚制药株式会社

Inventor： 中井雄野 ,  林真志 ,  三桥航

IPC: C07D221/28 ,  C07B59/00

Abstract: 本发明涉及一种用氘代低级烷基使哌啶衍生物中的哌啶氮单烷基化的方法，所述方法包括用芳烷基保护基保护所述哌啶氮，在中性或碱性条件下用氘代低级烷基化剂使所述哌啶氮低级烷基化，然后将所述芳烷基保护基脱保护。[化学式5]