晶片的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113714649A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202110978556.8

    申请日:2021-08-25

    摘要: 本申请提供了一种晶片的制造方法,所述制造方法包括以下步骤:借助激光的照射,在所述晶锭内距离第一表面相当于所述晶片厚度的深度位置上沿着C面形成剥离层,所述剥离层将晶锭分成晶锭本体部分和晶锭待分离部分;晶锭的第一表面通过热加载后的粘结层粘附于固体衬底上,其中,所述粘结层的热膨胀系数与所述晶锭的热膨胀系数有差异;保持晶锭本体部分和固体衬底相对于固定,并使所述粘结层冷却用于在所述晶锭中产生应力,所述剥离层在该应力的作用下将晶锭待剥离部分剥离,生成晶片;以及降低粘结层的粘结性,将生成的所述晶片与固体衬底分离。上述晶片的制造方法的整个剥离过程简单可靠,且生产成本低。

    解键合装置及其穿刺机构

    公开(公告)号:CN110034050B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN201910307443.8

    申请日:2019-04-17

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本发明涉及一种解键合装置及其穿刺机构,该穿刺机构包括基座、滑座、刀片及弹性件,滑座滑动连接于基座;刀片与滑座相连接;弹性件与滑座弹性相抵,以通过滑座向刀片提供预压力,预压力大于或等于刺破力;其中,刺破力为刀片穿刺键合物以进入硅片与载片之间时所需的力。本发明的解键合装置及其穿刺机构,利用弹性件预压刀片来穿刺硅片与载片之间的键合物,以破除硅片与载片之间可能存在的真空吸附,以避免硅片与载片分离时硅片或载片受损。

    晶圆保护膜旋转切除装置及其切除方法

    公开(公告)号:CN114523210A

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202011217124.7

    申请日:2020-11-04

    摘要: 本发明属于晶圆制造技术领域,特别是涉及一种晶圆保护膜旋转切除装置。该晶圆保护膜旋转切除装置包括主体箱、载物台、旋转组件、切除组件以及移动机构;移动机构包括用于带动切除组件沿竖直方向移动的竖向移动组件,以及用于带动切除组件沿水平方向移动的横向移动组件;旋转组件包括安装在主体箱和移动机构之间的第一旋转件或/和安装在主体箱和载物台之间的第二旋转件;切除组件包括切割头;旋转组件用于带动载物台和切除组件相对旋转,以使得切割头将放置在载物台上的晶圆上的保护膜切除。本发明中,该晶圆保护膜旋转切除装置可用于切割晶圆周围多余的保护膜,从而提高了晶圆的生产效率和质量。

    解键合装置及其穿刺机构

    公开(公告)号:CN110034050A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201910307443.8

    申请日:2019-04-17

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本发明涉及一种解键合装置及其穿刺机构,该穿刺机构包括基座、滑座、刀片及弹性件,滑座滑动连接于基座;刀片与滑座相连接;弹性件与滑座弹性相抵,以通过滑座向刀片提供预压力,预压力大于或等于刺破力;其中,刺破力为刀片穿刺键合物以进入硅片与载片之间时所需的力。本发明的解键合装置及其穿刺机构,利用弹性件预压刀片来穿刺硅片与载片之间的键合物,以破除硅片与载片之间可能存在的真空吸附,以避免硅片与载片分离时硅片或载片受损。

    晶片的制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113714650A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202110980368.9

    申请日:2021-08-25

    IPC分类号: B23K26/362 B23K26/70

    摘要: 本申请提供了一种晶片的制造方法,所述制造方法包括以下步骤:借助激光的照射,在所述晶锭内距离第一表面相当于所述晶片厚度的深度位置上沿着C面形成剥离层;将所述晶锭的第一表面通过粘结层粘附于固体衬底上;对所述固体衬底和/或所述剥离层远离第一表面一端的晶锭施加外力,使所述剥离层两端的晶锭产生相对运动,由此以所述剥离层为界面将晶锭的一部分剥离而生成晶片;以及降低粘结层的粘结性,将生成的所述晶片与固体衬底分离。上述制造方法中晶锭的剥离过程简单可靠,降低了生产成本,提高了生产效率。

    一种激光加工调焦系统及其调焦方法

    公开(公告)号:CN112935576A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110098802.0

    申请日:2021-01-25

    IPC分类号: B23K26/38 B23K26/70

    摘要: 本发明公开了一种激光加工调焦系统,包括:拍摄模块,其用于拍摄待加工材料的轮廓;材料高度检测模块,其用于检测待加工材料的高度;调焦模块,其用于检测和调整激光焦点位于待加工材料的高度;位置检测模块,其用于检测待加工材料的水平位置;控制模块,其与拍摄模块、位置检测模块、材料高度检测模块、调焦模块电性连接;其中,控制模块用于根据待加工材料的轮廓、水平位置以及高度确定待加工材料的边缘坐标,并根据边缘坐标控制调焦模块在移出待加工材料的边缘时保持激光焦点的高度不变。通过实施本发明可以极大地改善调焦模块在待加工材料的边缘处的调焦效果。

    一种环形加热装置
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN213305783U

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202021494324.2

    申请日:2020-07-24

    IPC分类号: H05B3/20 H05B3/02

    摘要: 本实用新型属于圆盘工件的加热技术领域,特别涉及一种环形加热装置,包括固定件、加热机构、导向机构和驱动机构;驱动机构的输出端包括连续的第一段行程和第二段行程;导向机构包括导向件和滑动件,驱动机构的输出端在第一段行程时,驱动机构的输出端带动导向机构和加热机构同步运动,滑动件与导向件相对静止;驱动机构的输出端运动至第一段行程与第二段行程的相接位置时,加热机构与待加热工件抵靠保持不动,通过滑动件与导向件的相对滑动,使得驱动机构的输出端继续朝着加热机构运动以完成第二段行程,保证了良好的加热效果,又不会由于加热机构对于待加热工件的过大的压力导致易碎待加热工件的破碎,实现自重轻压接触且加热效果良好。

    一种物料清洗装置
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217595292U

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202220158932.9

    申请日:2022-01-19

    摘要: 本实用新型属于半导体行业技术领域,涉及一种物料清洗装置,物料清洗装置包括本体,本体上设置有清洗腔及与清洗腔相通的出风口;承载台,承载台安装在清洗腔内,用于承载物料;至少一个清洗机构,清洗机构与本体连接,用于清洗承载台上的物料;送风组件,送风组件安装在本体的顶部;罩体组件,罩体组件升降式设置于本体上;罩体组件包括中空、环形的防溅罩;在清洗物料时,承载台上的物料位于防溅罩内,并与防溅罩的内壁存在间隙;其中,间隙位于出风口的顶部,送风组件送出的风能压向间隙,并从出风口排出。该物料清洗装置不仅能够防止清洗液或清水飞溅,还能够抽出容纳腔体内的水雾,防止水雾凝结滴落在晶圆表面污染晶圆。

    载台机构
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217444356U

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202220235517.9

    申请日:2022-01-27

    摘要: 本实用新型涉及一种载台机构,包括晶圆框架固定机构和晶圆固定机构;晶圆框架固定机构包括晶圆框架固定板、第一夹持装置、第二夹持装置和驱动装置;晶圆框架固定板上设置有安装孔;第一夹持装置和第二夹持装置位于安装孔的相对的两侧;驱动装置用于驱动第一夹持装置和第二夹持装置相互靠近或远离,以夹紧固定晶圆框架或松开晶圆框架;晶圆固定机构包括晶圆固定板和吸附装置;晶圆固定板嵌设在安装孔内;吸附装置用于将晶圆吸附固定在晶圆固定板上。本实用新型的载台机构采用吸附装置吸附定位晶圆,采用第一夹持装置和第二夹持装置夹紧固定晶圆框架,能够夹紧固定不同形状的晶圆框架,避免晶圆框架变形影响固定的稳定性和定位精度。

    一种提篮内晶圆放置状态检测装置

    公开(公告)号:CN211879344U

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202020532428.1

    申请日:2020-04-10

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/66

    摘要: 本实用新型提供了一种提篮内晶圆放置状态检测装置,包括安装平面、控制系统、激光检测装置、检测平台和第一驱动组件,提篮内设置有至少一层的晶圆放置空间,激光检测装置包括安装支架、水平安装杆和至少三个激光光电传感器,每个激光光电传感器均可在提篮的同一层晶圆放置空间内形成检测光斑,至少三个的检测光斑在竖直和水平方向上均相互错开。本实用新型所提供的提篮内晶圆放置状态检测装置通过第一驱动组件实现激光检测装置对于提篮内的晶圆进行逐层检测,至少三个激光光电传感器用于对每一层的晶圆放置空间进行有效地检测并且判断每层晶圆的放置状态属于正常、空层、重叠或者斜置,整个检测装置成本低、结构简单以及检测判断的准确度高。