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公开(公告)号：CN113241404A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110333526.1
申请日：2021-03-29
申请人： 天津理工大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法，涉及微电子技术领域，包括上电极层、下电极层、功能层，功能层材料位于上电极层和下电极层之间。其中，所述功能层又由介质层I、介质层II、依次堆叠构成；所述介质层I为二维氧化钼(α‑MoO3)，介质层II为二维硫化钼(MoS2)的半导体材料。与现有技术相比，本发明通过叠层方式形成的自选通器件在不扩大占用面积的情况下，解决了交叉集成阵列中的串扰问题；介质层Ⅰ与介质层Ⅱ的堆叠结构实现了自选通性能，显示出良好的非线性特性，其非线性度可以达到105，微缩性极强，工艺简单，节约成本。
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公开(公告)号：CN111004581A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911293679.7
申请日：2019-12-16
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明公开一种相变材料复合磨料的化学机械抛光液，并用于相变存储器件中的Crx-Sb2Te3相变材料抛光工艺。由于Crx-Sb2Te3是一种三元金属合金，薄膜硬度较低，使用单一磨料容易造成划痕。本发明中的新型复合磨料抛光液能够很好解决薄膜表面划伤问题。该CMP的复合磨料抛光液包括如下组分：氧化剂，表面活性剂，二氧化硅及氧化铈磨料，PH调节剂和去离子水。其特征在于两种磨料取长补短，产生协同效应对CST薄膜起到的不同作用能够使薄膜去除速率更可控、表面质量更好，满足制备相变存储器CMP的需要。
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公开(公告)号：CN107464876A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710783863.4
申请日：2017-09-04
申请人： 天津理工大学
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/085 , H01L45/142 , H01L45/145 , H01L45/16
摘要： 一种基于氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构作为阻变功能层的阻变存储器，其阻变层为氮化硼介电薄膜和硫化钼薄膜构成的三明治结构。本发明的优点是：阻变层采用氮化硼/硫化钼/氮化硼三明治结构，相比于单独氮化硼或其他氮化物介电层的阻变存储器件而言，硫化钼的插入提供了空位和缺陷，使得电荷的俘获与释放容易实现，从而降低了器件的操作电压和功耗，有利于阻变存储器件的高密度集成化，并且硫化钼的插入对单独氮化物作为介电层的阻变存储器件的开关比和数据保持能力不会产生影响。在阻变层的制备方法上，本发明给出了离子束溅射与化学气相沉积法共制备硫化钼薄膜的方法，从而可以获得大面积并且厚度可控的硫化钼薄膜。
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公开(公告)号：CN106409957A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611018756.4
申请日：2016-11-21
申请人： 天津理工大学
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/028 , H01L31/0336
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/072 , H01L31/028 , H01L31/03365
摘要： 一种大面积超薄石墨烯/二硫化钼超晶格异质材料，采用层递式转移方法制备的由石墨烯和二硫化钼薄膜构成的多层薄膜，石墨烯的厚度是0.34-2nm，面积要求是0.25mm2-1cm2，二硫化钼的厚度是0.65-3.5nm，面积要求是0.25mm2-1cm2，采用化学气相沉积方法制备，并利用湿法循环转移直至形成总厚度为3.96-110nm，形成超晶格异质结构，并将该大面积超薄石墨烯/二硫化钼形成的超晶格异质材料用于二维材料/单晶硅异质太阳能电池中。本发明的优点是：在不增加设备成本的前提下，制备新型超薄二维超晶格材料/单晶硅异质太阳能电池，最终提高了电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103794621B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410078446.6
申请日：2014-03-05
申请人： 天津理工大学
摘要： 一种双向限流器件，由下电极、介质层和上电极组成并构成叠层结构，其中介质层为氧化钒薄膜和氧化铜薄膜叠层结构；其制备方法是，首先以硅片为衬底制备二氧化硅绝缘层，再利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层；在Ti粘附层上采用磁控溅射工艺或蒸发工艺制备下电极；在下电极上采用磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铜薄膜；在氧化铜薄膜上采用直流溅射或射频溅射法沉积氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上采用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺制备上电极。本发明的优点是：该双向限流器件介质层为氧化钒/氧化铜叠层结构，具有双向限流特性，该器件可应用在阻变存储器领域，通过与阻变存储器件串联，可以作为单极性的选择器件或双极性的限流器件。
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公开(公告)号：CN105810817A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610374450.6
申请日：2016-05-31
申请人： 天津理工大学
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/085 , H01L45/142 , H01L45/16
摘要： 一种二维纳米片层MoS2垂直结构阻变器件，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层、上电极和上电极SiO2保护层组成垂直结构，其中阻变层为具有“三明治夹心”层状结构的二维纳米片层MoS2，各层厚度分别为：Ti粘附层2?5nm、下电极50?200nm、二维纳米片层MoS20.65?10nm、上电极50?200nm、上电极SiO2保护层5?10nm。本发明的优点是：1)该阻变器件采用二维纳米片层MoS2作为阻变存储器的阻变层，扩展了阻变存储器中的介质层材料体系，填补了二维纳米片层MoS2在阻变存储器中应用的空白；2)该阻变器件为单纯的垂直叠层结构，制作简单、成本低廉并且易于集成。
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公开(公告)号：CN105762273A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610119183.8
申请日：2016-03-03
申请人： 天津理工大学
CPC分类号： G11C11/1675 , H01L43/08 , C23C14/08 , C23C14/185 , C23C14/35 , G11C11/22 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元，由双层铁电薄膜和铁磁薄膜依次沉积在Pt/Ti/SiO2/Si复合衬底上构成层状结构组成，双层铁电薄膜自下而上分别为具有(111)取向的钙钛矿结构的0.3Ba(Zr0.2Ti0.8)O3?0.7(Ba0.3Ca0.7)TiO3(30BZT?70BCT)和0.7Ba(Zr0.2Ti0.8)O3?0.3(Ba0.3Ca0.7)TiO3(70BZT?30BCT)，铁磁层为具有(110)取向的Fe0.7Ga0.3合金薄膜。本发明的优点是：该存储单元具有非易失性，具有低功耗、读写速度快、绿色环保、工艺简单、环境兼容性好的优点，在室温下具有良好的铁电、压电和铁磁性能。
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公开(公告)号：CN104833410A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510237610.8
申请日：2015-05-11
申请人： 天津理工大学
IPC分类号： G01H5/00
摘要： 一种对压电材料声表面波速度进行测量的方法,在待测压电材料表面制作声表面波谐振器，包括叉指换能器和反射栅，使得二者的金属指条具有特定周期长度λ；将脉冲激励信号加载到叉指换能器，通过正压电效应生成声表面波；生成的声表面波从中间处的叉指换能器向两侧的反射栅传播，在这一过程中特定频率的声表面波信号会被增强放大并被检测到，将已有的数据代入公式VSAW＝λ·f中，计算得出压电材料的声表面波速度。本发明的优点是：该方法可以更准确的对压电材料的声表面波速度进行测量，尤其是能够准确的获得压电薄膜材料的声表面波速度，同时降低了对测试设备精度的要求，该测量方法为后续设计各种声表面波器件提供了巨大的帮助。
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公开(公告)号：CN103151459B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201310104481.6
申请日：2013-03-28
申请人： 天津理工大学
摘要： 一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层为氮氧化铪薄膜和金属铪薄膜的叠层结构；其制备方法是分别通过磁控溅射、离子束溅射或电子束蒸发方法依次制备各层薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氮氧化铪和金属铪薄膜的叠层结构作为阻变层，set过程时氮氧化铪中的氮抑制了过渡的氧空位的产生，提高了低阻态的电阻，降低了器件的reset电流，降低了器件的功耗。
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公开(公告)号：CN103794621A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410078446.6
申请日：2014-03-05
申请人： 天津理工大学
摘要： 一种双向限流器件，由下电极、介质层和上电极组成并构成叠层结构，其中介质层为氧化钒薄膜和氧化铜薄膜叠层结构；其制备方法是，首先以硅片为衬底制备二氧化硅绝缘层，再利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层；在Ti粘附层上采用磁控溅射工艺或蒸发工艺制备下电极；在下电极上采用磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铜薄膜；在氧化铜薄膜上采用直流溅射或射频溅射法沉积氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上采用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺制备上电极。本发明的优点是：该双向限流器件介质层为氧化钒/氧化铜叠层结构，具有双向限流特性，该器件可应用在阻变存储器领域，通过与阻变存储器件串联，可以作为单极性的选择器件或双极性的限流器件。
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