公开(公告)号：CN100505124C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200410089821.3

申请日：2004-11-01

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  冲电气工业株式会社 ,  东京応化工业株式会社

Inventor： 逢坂哲弥 ,  小岩一郎 ,  桥本晃 ,  佐藤善美

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1227 ,  H01G13/006 ,  H05K1/162 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/016 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49169

Abstract: 本发明提供不损害高密度组装衬底的电特性和尺寸特性，可内置在衬底内、并且具有充分的电容的薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、以及薄膜电容器的制造方法。制造下述结构的薄膜电容器，作为半导体布线板的内置用无源部件使用：至少具有高介电层和从上下夹住它的上部电极层和下部电极层而构成，上述上部和下部电极层的触点部引出到上述上部电极之上，上述高介电层的膜厚为200nm-50nm。

公开(公告)号：CN1612273A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410089821.3

申请日：2004-11-01

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  冲电气工业株式会社 ,  东京応化工业株式会社

Inventor： 逢坂哲弥 ,  小岩一郎 ,  桥本晃 ,  佐藤善美

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1227 ,  H01G13/006 ,  H05K1/162 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2203/016 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49169

Abstract: 本发明提供不损害高密度组装衬底的电特性和尺寸特性，可内置在衬底内、并且具有充分的电容的薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、以及薄膜电容器的制造方法。制造下述结构的薄膜电容器，作为半导体布线板的内置用无源部件使用：至少具有高介电层和从上下夹住它的上部电极层和下部电极层而构成，上述上部和下部电极层的触点部引出到上述上部电极之上，上述高介电层的膜厚为200nm－50nm。

公开(公告)号：CN100341137C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200410087477.4

申请日：2004-10-15

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  东京応化工业株式会社

Inventor： 逢坂哲弥 ,  横岛时彦 ,  佐藤功 ,  桥本晃 ,  萩原嘉男

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H05K3/389 ,  H05K3/465 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种半导体多层布线板的制造方法，该方法使得向基板上形成低介电常数氧化硅系层间绝缘层、通过双大马士革法形成布线形成空间、在该空间上形成由有机单分子膜构成的致密且薄的防扩散膜、向上述空间上形成布线层的这些的全部工序完全湿法化、从而使制造工序简单化、降低制造成本。在使用旋涂式玻璃材料形成于基板上的低介电常数的氧化硅系层间绝缘层中形成布线层形成空间，然后，根据需要在氧化性气氛中紫外线照射，在绝缘层表面进行处理以形成Si-OH键，然后，在上述布线层形成空间内侧使用有机硅烷化合物使使硅烷系单分子层膜密合，使用钯化合物水溶液使该单分子层膜表面催化剂化，在该催化剂化的单分子层膜中通过无电解电镀形成防铜扩散性高的电镀膜，在该防铜扩散膜上形成铜镀层，由此形成布线层。

公开(公告)号：CN1610091A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410087477.4

申请日：2004-10-15

Applicant: 学校法人早稻田大学 ,  东京応化工业株式会社

Inventor： 逢坂哲弥 ,  横岛时彦 ,  佐藤功 ,  桥本晃 ,  萩原嘉男

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H05K3/389 ,  H05K3/465 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种半导体多层布线板的制造方法，该方法使得向基板上形成低介电常数氧化硅系层间绝缘层、通过双大马士革法形成布线形成空间、在该空间上形成由有机单分子膜构成的致密且薄的防扩散膜、向上述空间上形成布线层的这些的全部工序完全湿法化、从而使制造工序简单化、降低制造成本。在使用旋涂式玻璃材料形成于基板上的低介电常数的氧化硅系层间绝缘层中形成布线层形成空间，然后，根据需要在氧化性气氛中紫外线照射，在绝缘层表面进行处理以形成Si－OH键，然后，在上述布线层形成空间内侧使用有机硅烷化合物使使硅烷系单分子层膜密合，使用钯化合物水溶液使该单分子层膜表面催化剂化，在该催化剂化的单分子层膜中通过无电解电镀形成防铜扩散性高的电镀膜，在该防铜扩散膜上形成铜镀层，由此形成布线层。