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公开(公告)号：CN104779920B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510230614.3
申请日：2015-05-08
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于闭环功率控制的共源共栅射频功率放大器，包括至少一个由第一射频晶体管和第二射频晶体管组成的共源共栅晶体管对以及与之对应的由第三射频晶体管和第四射频晶体管组成的虚设共源共栅晶体管对，所述共源共栅晶体管对并联连接，所述第三射频晶体管和第四射频晶体管作为第一射频晶体管和第二射频晶体管的虚设晶体管可以实现功率放大器功率控制的温度补偿和工艺偏差补偿。
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公开(公告)号：CN106301274A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610671262.X
申请日：2016-08-16
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
IPC分类号： H03H7/01
CPC分类号： H03H7/0161 , H03H7/0138
摘要： 本发明公开了一种带通滤波器，包括：耦合线圈对，第一耦合线圈对包含第一耦合线圈和第二耦合线圈，第二耦合线圈对包含第三耦合线圈和第四耦合线圈，第三耦合线圈对包含第五耦合线圈和第六耦合线圈，第四耦合线圈对包含第七耦合线圈和第八耦合线圈。该带通滤波器，不需要使用高Q值的电容和电感元件，并且在低频阻带频点和高频阻带频点具有陷波特性，可以对特定频点进行陷波抑制。由于无需使用电容和电感元件，因此降低了结构的复杂度，并且无需占用较大的芯片面积，具有结构简单、成本低廉、易于实现的优点。
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公开(公告)号：CN106100602A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610656781.9
申请日：2016-08-11
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
IPC分类号： H03H7/38
CPC分类号： H03H7/38
摘要： 本发明公开了一种宽带巴伦阻抗变换器，包括宽带差分阻抗变换器和宽带巴伦，所述宽带差分阻抗变换器包括四个耦合线圈，两两构成两对耦合线圈对，第一耦合线圈与第二耦合线圈构成第一耦合线圈对，第三耦合线圈与第四耦合线圈构成第二耦合线圈对。所述宽带巴伦阻抗变换器，能够覆盖700MHz～2700MHz频段，在带宽范围内具有较高的幅度平衡性和相位平衡性的特点，结构简单、易于实现、成本低廉。
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公开(公告)号：CN105811899A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610239554.6
申请日：2016-04-18
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开了一种功率放大器输出级模块及射频前端模块，其中，所述功率放大器输出级模块包括衬底，功率放大电路和多个引脚；所述衬底表面设置有所述功率放大电路，所述多个引脚设置于所述衬底背离所述功率放大电路一侧表面；所述功率放大电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第一偏置电路和第二偏置电路，第一晶体管和第二晶体管的总栅宽均为预设尺寸；所述预设尺寸为第一预设参数或第二预设参数或第三预设参数。应用本申请实施例提供的射频功率放大器输出级模块只需要对应的设计三种版图即可满足需求者对于无线通信模式及射频信号的频段的任意需求，相应的降低了所述射频功率放大器输出级模块的设计成本以及后续的维护和管理成本。
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公开(公告)号：CN106209010A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610588991.9
申请日：2016-07-25
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
IPC分类号： H03H7/42
CPC分类号： H03H7/42
摘要： 本发明公开了一种巴伦，包括：耦合线圈对，第一耦合线圈的第一端作为巴伦的第一平衡端口，第一耦合线圈的第二端与第三耦合线圈的第二端、第五耦合线圈的第一端和第七耦合线圈的第一端连接；第二耦合线圈的第二端与第四耦合线圈的第二端、第六耦合线圈的第一端和第八耦合线圈的第一端连接；第四耦合线圈的第一端作为巴伦的第二平衡端口；第五耦合线圈的第二端作为巴伦的非平衡端口。该巴伦，由四个耦合线圈对组成，构造简单、成本低廉。此外，通过上述连接关系构成的巴伦，可以覆盖2G/3G/4G移动通信所需的通信频段，而且在频段范围内具有良好的幅度平衡性能和相位平衡性能。本发明还公开一种包含上述巴伦的智能终端，效果如上所述。
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公开(公告)号：CN104967414A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510415574.X
申请日：2015-07-15
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
CPC分类号： H03F1/02
摘要： 本发明公开了一种用于GSM/DCS的共源共栅射频功率放大器，包括由第一射频晶体管和第二射频晶体管组成的GSM频段共源共栅功率放大电路和由第三射频晶体管和第四射频晶体管组成的DCS频段共源共栅功率放大电路，所述GSM频段共源共栅功率放大电路和DCS频段共源共栅功率放大电路共用一个共栅级栅极去耦电容；GSM频段共源共栅功率放大电路的第一偏置电路和第二偏置电路以及DCS频段共源共栅功率放大电路的第三偏置电路和第四偏置电路连接功率控制单元，所述功率控制单元具有至少一个用于调整四个偏置电路的输出偏置电压的控制信号端。四个晶体管采用GaAs E/D pHEMT工艺，具有高性能及低成本的优势。
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公开(公告)号：CN104702226A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510146793.2
申请日：2015-03-31
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
IPC分类号： H03F3/20
CPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明公开了一种改进的共源共栅射频功率放大器，在衬底上横向设有共源级晶体管栅极G1、共源级晶体管源极S、共栅级晶体管栅极G2、共栅级晶体管漏极D；射频输入端RFin通过金属走线连接共源级晶体管栅极G1，共源级晶体管源极S通过金属走线连接接地孔阵列，共栅级晶体管栅极G2通过金属走线连接偏置电路，共栅级晶体管漏极D通过金属走线连接射频输出端RFout。采用共源共栅结构，并优化版图结构，使得该射频功率放大器具有高增益、高功率、高线性度、高效率等性能优势，同时又保持与单晶体管共源结构射频功率放大器相当的版图面积，使其具有了成本优势。
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公开(公告)号：CN105743451B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201610076293.0
申请日：2016-02-03
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开了一种射频功率放大器版图及射频功率放大器，其中，所述放大器版图中的第零层导电层用于连接所述第二晶体管的栅极作为所述射频功率放大器的第二引出端并作为第一电容的第一极板；所述第一层导电层用于连接所述第一晶体管的源极，通过所述晶圆背孔连接到所述晶圆背离所述第零层导电层一侧的接地金属层，并作为第一电容的第二极板；所述第二层导电层用于连接第二晶体管的漏极，并引出作为所述射频功率放大器的信号输出端。通过上述版图结构可以发现，由于所述第一电容的第一极板和第二极板与所述第二层导电层并不处于同一层，因此按所述放大器版图设置的所述射频功率放大器所用晶圆的面积较小，进而使得所述射频功率放大器的成本较低。
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公开(公告)号：CN106298759A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610813837.7
申请日：2016-09-09
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2924/15153 , H01L2924/19107 , H01L25/16 , H01L25/162 , H03F3/189 , H03F3/20
摘要： 本申请公开了一种射频功率放大器模块及射频前端模块，其中，所述射频功率放大器模块的硅衬底的第一表面用于设置所述控制器的功能结构，所述硅衬底的第二表面具有至少一个凹槽，所述凹槽用于设置异于所述控制器的功能结构制备工艺的开关模块、放大器模块或滤波器模块，这样所述管芯模块的焊盘可以通过设置于所述凹槽内的焊盘及通孔实现与所述控制器的功能结构的连接，有效地利用了所述硅衬底的第二表面，从而避免了现有技术中将用于实现与所述管芯模块连接的焊盘全部设置于所述第一表面而带来的所需硅衬底面积过大，而增加所述射频功率放大器模块的成本的问题。
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公开(公告)号：CN105717354A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610060218.5
申请日：2016-01-28
申请人： 宜确半导体(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开了一种功率检测电路及检测方法，其中，所述检测电路包括偏置单元和跟随放大单元，当所述检测电路的参考电压输入端输入参考电压时，所述偏置单元将所述第一晶体管偏置在放大状态；通过所述检测电路的射频信号输入端输入的射频信号经过所述第一晶体管的放大后传送给所述滤波模块，所述滤波模块对放大后的射频信号进行滤波后获得输出电压信号，所述输出电压信号通过所述检测电路的信号输出端输出，实现对所述射频功率放大器输出功率的检测。所述检测电路与现有技术中的射频功率检测电路相比具有较宽的功率检测范围。
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