公开(公告)号：CN105593975A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480048809.X

申请日：2014-04-18

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  中嵨经宏 ,  井口研一 ,  立岡正明

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

摘要： 首先，在碳化硅基板(1)的表面层形成离子注入层(2)。不进行离子注入层(2)的活化。接着，在离子注入层(2)的表面形成接触电极(3)，形成接触电极(3)上的钨层(4)。接着，通过将整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，使钨层(4)发热而进行加热。而且，通过来自钨层(4)的热传导，对接触电极(3)和离子注入层(2)进行加热。由此，在离子注入层(2)与接触电极(3)的界面形成成为与离子注入层(2)的欧姆接触的硅化物层的同时，使离子注入层(2)活化。形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化，并且能够提高产量。

公开(公告)号：CN105009253A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480012085.3

申请日：2014-04-04

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 立冈正明 ,  中嵨经宏

IPC分类号： H01L21/02 ,  B23K26/00 ,  B23K26/40 ,  C09J183/06 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  C09J183/06 ,  C09J183/08 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/268 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68381

摘要： 提供一种使用了能够适用于1000℃左右的高温工艺的在半导体晶片粘接支撑基板的方法的半导体器件的制造方法。所述半导体器件的制造方法至少包括如下工序：背面粘接工序，使用硅烷偶联剂将半导体晶片的背面的至少一部分与支撑基板粘接；功能结构形成工序，在上述半导体晶片的正面形成功能结构；断裂层形成工序，向上述半导体晶片与上述支撑基板的粘接界面聚焦照射透过半导体晶片的激光的聚光点而在上述粘接界面的外周部的至少一部分形成断裂层；断裂层剥离工序，剥离上述断裂层；粘接界面剥离工序，剥离上述粘接界面；以及背面处理工序，对上述半导体晶片的背面进行背面处理。

公开(公告)号：CN105518829B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201480048546.2

申请日：2014-04-18

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 井口研一 ,  中泽治雄 ,  中嵨经宏 ,  荻野正明 ,  立岡正明

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

摘要： 首先，以覆盖MOS栅极结构上的层间绝缘膜(37)的方式形成钛层(39)。接下来，形成与源极区(33)接触的镍层(40)。接着，通过在利用微波形成的氢等离子体气氛中暴露整个碳化硅晶片，从而利用氢自由基使镍层(40)发热而进行加热。此时，钛层(39)进行表面的氧化膜的还原而不发热。因此，通过来自镍层(40)的热传导而仅加热镍层(40)的正下方的源极区(33)。这样，在碳化硅晶片与镍层(40)的界面形成硅化物层，从而能够形成接触电阻低的欧姆接触。另外，由于MOS栅极结构不被加热，所以能够防止元件特性劣化。另外，即使在形成背面电极(41，42)时，也同样地利用氢等离子体处理。

公开(公告)号：CN105518829A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480048546.2

申请日：2014-04-18

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 井口研一 ,  中泽治雄 ,  中嵨经宏 ,  荻野正明 ,  立岡正明

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

摘要： 首先，以覆盖MOS栅极结构上的层间绝缘膜(37)的方式形成钛层(39)。接下来，形成与源极区(33)接触的镍层(40)。接着，通过在利用微波形成的氢等离子体气氛中暴露整个碳化硅晶片，从而利用氢自由基使镍层(40)发热而进行加热。此时，钛层(39)进行表面的氧化膜的还原而不发热。因此，通过来自镍层(40)的热传导而仅加热镍层(40)的正下方的源极区(33)。这样，在碳化硅晶片与镍层(40)的界面形成硅化物层，从而能够形成接触电阻低的欧姆接触。另外，由于MOS栅极结构不被加热，所以能够防止元件特性劣化。另外，即使在形成背面电极(41，42)时，也同样地利用氢等离子体处理。

公开(公告)号：CN105593975B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201480048809.X

申请日：2014-04-18

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  中嵨经宏 ,  井口研一 ,  立岡正明

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78

摘要： 首先，在碳化硅基板(1)的表面层形成离子注入层(2)。不进行离子注入层(2)的活化。接着，在离子注入层(2)的表面形成接触电极(3)，形成接触电极(3)上的钨层(4)。接着，通过将整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，使钨层(4)发热而进行加热。而且，通过来自钨层(4)的热传导，对接触电极(3)和离子注入层(2)进行加热。由此，在离子注入层(2)与接触电极(3)的界面形成成为与离子注入层(2)的欧姆接触的硅化物层的同时，使离子注入层(2)活化。形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化，并且能够提高产量。

公开(公告)号：CN105518830B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201580001825.8

申请日：2015-04-17

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  中嵨经宏 ,  井口研一 ,  立岡正明 ,  中川清和

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/043 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 首先，在碳化硅基板(1)的表面形成包括过渡金属的接触电极(2)。接触电极(2)包括例如镍、钛或钨。通过将形成了接触电极(2)的整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，从而使接触电极(2)发热而进行快速加热。然后，通过从接触电极(2)向碳化硅基板(1)的在接触电极(2)侧的部分进行热传导，将碳化硅基板(1)的与接触电极(2)接触的部分加热。由此，在碳化硅基板(1)与接触电极(2)的界面形成成为与碳化硅基板(1)的欧姆接触的硅化物层(4)。由此，能够形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化。

公开(公告)号：CN105009253B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201480012085.3

申请日：2014-04-04

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 立冈正明 ,  中嵨经宏

IPC分类号： H01L21/683 ,  B23K26/00 ,  C09J183/06 ,  C09J183/08

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  C09J183/06 ,  C09J183/08 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/268 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68381

摘要： 提供一种使用了能够适用于1000℃左右的高温工艺的在半导体晶片粘接支撑基板的方法的半导体器件的制造方法。所述半导体器件的制造方法至少包括如下工序：背面粘接工序，使用硅烷偶联剂将半导体晶片的背面的至少一部分与支撑基板粘接；功能结构形成工序，在上述半导体晶片的正面形成功能结构；断裂层形成工序，向上述半导体晶片与上述支撑基板的粘接界面聚焦照射透过半导体晶片的激光的聚光点而在上述粘接界面的外周部的至少一部分形成断裂层；断裂层剥离工序，剥离上述断裂层；粘接界面剥离工序，剥离上述粘接界面；以及背面处理工序，对上述半导体晶片的背面进行背面处理。

公开(公告)号：CN105518830A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201580001825.8

申请日：2015-04-17

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 中泽治雄 ,  荻野正明 ,  中嵨经宏 ,  井口研一 ,  立岡正明 ,  中川清和

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/043 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 首先，在碳化硅基板(1)的表面形成包括过渡金属的接触电极(2)。接触电极(2)包括例如镍、钛或钨。通过将形成了接触电极(2)的整个碳化硅基板(1)暴露在利用微波形成的氢等离子体气氛中，从而使接触电极(2)发热而进行快速加热。然后，通过从接触电极(2)向碳化硅基板(1)的在接触电极(2)侧的部分进行热传导，将碳化硅基板(1)的与接触电极(2)接触的部分加热。由此，在碳化硅基板(1)与接触电极(2)的界面形成成为与碳化硅基板(1)的欧姆接触的硅化物层(4)。由此，能够形成接触电阻低的欧姆接触，并且能够防止元件特性劣化。