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    电力半导体装置
    2.
    发明授权
    电力半导体装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN101221980B

    公开(公告)日：2011-05-11

    申请号：CN200810003433.7

    申请日：2008-01-11

    Applicant: 富士电机系统株式会社

    Inventor： 胁本博树 ,  大月正人 ,  椎木崇

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

    Abstract: 本发明提供了一种电力半导体装置，其包括在边缘终止结构中采用厚金属膜的场板，并且即使在大侧面蚀刻量或蚀刻量变化的情况下，也能允许边缘终止结构的宽度得以减小，展现优良的长期正向阻断电压能力可靠性，并允许使正向阻断电压能力特性的变化最小化。边缘终止结构包括多个环状p型保护环，覆盖多个环状p型保护环的表面的第一绝缘膜，以及经由第一绝缘膜设置在保护环顶上的环状场板。场板包括多晶硅膜和比多晶硅膜厚的金属膜。保护环包括第一保护环和第二保护环，多晶硅膜经由第一绝缘膜设置在第一保护环上，并且由多晶硅膜和经由第二绝缘膜层叠的金属膜构成的双层场板设置在第二保护环上，第一和第二保护环交替地设置。

    半导体装置
    3.
    发明公开
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN102522427A

    公开(公告)日：2012-06-27

    申请号：CN201110414104.3

    申请日：2009-01-28

    Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

    Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

    CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

    Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。

    半导体装置
    6.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN102522427B

    公开(公告)日：2014-07-30

    申请号：CN201110414104.3

    申请日：2009-01-28

    Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

    Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

    CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

    Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。

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