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公开(公告)号：CN101933141A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980103495.8
申请日：2009-01-28
Applicant: 富士电机系统株式会社 , 株式会社电装
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。
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公开(公告)号：CN102522427A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110414104.3
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。
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公开(公告)号：CN105023845A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510151867.1
申请日：2015-04-01
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/0696 , G01R31/2601 , H01L22/14 , H01L22/30 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L29/0619 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/4813 , H01L2224/48139 , H01L2224/49113 , H01L2224/85399 , H01L2224/85801 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2224/45099 , H01L2924/207 , H01L29/66545 , H01L29/66553
Abstract: 本发明提供一种具备伪沟槽MOS单元，并且市场故障率低的沟槽栅型的半导体装置的制造方法、半导体装置的评价方法以及半导体装置。首先，在n-型半导体基板1的正面，形成具备在元件的深度方向上延伸的栅极电极(8)的沟槽MOS单元、和具备在元件的深度方向上延伸的伪栅极电极(18)的伪沟槽MOS单元。接下来，在n-型半导体基板(1)的正面上，形成发射极电极(9)以及筛选焊盘DG。筛选焊盘DG与伪栅极电极(18)连接。接下来，在发射极电极(9)与筛选焊盘DG之间施加规定电压，来进行针对伪栅极绝缘膜(17)的筛选。接下来，通过覆盖发射极电极(9)以及筛选焊盘DG的镀膜(13)，来将发射极电极(9)与筛选焊盘DG短路，从而完成产品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103022115A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210441210.5
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。
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公开(公告)号：CN103022115B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210441210.5
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。
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公开(公告)号：CN102522427B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110414104.3
申请日：2009-01-28
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体装置，在第1导电型基板的第1主面上形成：主电流流过的主活性区域以及第1主电极；和对流过上述主活性区域的上述主电流的变动进行检测的电流检测结构区域以及与上述第1主电极分离的第2主电极。在上述基板的第2主面上形成第3主电极，上述主活性区域具有第1沟槽栅极结构部，在上述第1沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第1虚拟沟槽结构部，上述电流检测结构区域具有第2沟槽栅极结构部，在上述第2沟槽栅极结构部之间，形成对元件的控制不起作用的第2虚拟沟槽结构部。上述主活性区域，在上述第1沟槽栅极结构部和上述第1虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第1虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第1主电极电绝缘的第1个第2导电型的层，且上述第1沟槽栅极结构部相互连接。上述电流检测结构区域，在上述第2沟槽栅极结构部和上述第2虚拟沟槽结构部之间、以及在上述第2虚拟沟槽结构部彼此之间，形成与上述第2主电极电连接的第2个第2导电型的层，且上述第2沟槽栅极结构部和上述第1沟槽栅极结构部相互连接。
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公开(公告)号：CN105023845B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510151867.1
申请日：2015-04-01
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/0696 , G01R31/2601 , H01L22/14 , H01L22/30 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L29/0619 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/4813 , H01L2224/48139 , H01L2224/49113 , H01L2224/85399 , H01L2224/85801 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2224/45099 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种具备伪沟槽MOS单元，并且市场故障率低的沟槽栅型的半导体装置的制造方法、半导体装置的评价方法以及半导体装置。首先，在n‑型半导体基板1的正面，形成具备在元件的深度方向上延伸的栅极电极(8)的沟槽MOS单元、和具备在元件的深度方向上延伸的伪栅极电极(18)的伪沟槽MOS单元。接下来，在n‑型半导体基板(1)的正面上，形成发射极电极(9)以及筛选焊盘DG。筛选焊盘DG与伪栅极电极(18)连接。接下来，在发射极电极(9)与筛选焊盘DG之间施加规定电压，来进行针对伪栅极绝缘膜(17)的筛选。接下来，通过覆盖发射极电极(9)以及筛选焊盘DG的镀膜(13)，来将发射极电极(9)与筛选焊盘DG短路，从而完成产品。
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公开(公告)号：CN101933141B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200980103495.8
申请日：2009-01-28
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0658 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7815 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。
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