公开(公告)号：CN101149969B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710170186.5

申请日：2007-08-10

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 小林广之

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/4078

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C7/20 ,  G11C8/06 ,  G11C8/10 ,  G11C8/12 ,  G11C11/401 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/4072 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4094 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/5006 ,  G11C2207/2227 ,  G11C2211/4067

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器和存储器系统。每个存储器模块具有多个存储器单元，以及连接到存储器单元上的字线和位线。预充电开关将位线连接到预充电线上。开关控制电路控制预充电开关的操作，并且设置切断功能，该切断功能在不执行存储器单元的存取操作的待机周期关断连接开关。因为在待机周期切断位线与预充电开关之间的连接，病切断位线与灵敏放大器之间的连接，所以如果在字线和位线之间存在短路故障，则可以防止泄漏电流从字线流向预充电电压线等。

公开(公告)号：CN1612267B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200410086614.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 小林广之 ,  神田达哉

IPC: G11C11/407 ,  G11C11/409

CPC classification number: G11C11/4085 ,  G11C8/08 ,  G11C2207/2227 ,  G11C2211/4067

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器。其中，增高电压生成器生成增高电压，作为字线的高电平电压。多个第一字译码器在活跃周期中根据第一地址信号来输出低电平电压或高电平电压，而在待机周期中输出高电平电压。切换电路在活跃周期中将用于向所述第一字译码器提供高电平电压的高电平电压线与增高电压线相连接，而在待机周期中将其与内部电压线相连接。向内部电压线提供的电压低于增高电压。多个字驱动器在它们的晶体管的栅极接收到来自所述第一字译码器的低电平电压时向字线提供增高电压，而当其栅极接收到来自所述第一字译码器的高电平电压时向字线输出低电平电压。

公开(公告)号：CN101206912B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710130542.0

申请日：2007-07-11

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 池田仁史 ,  佐藤贵彦 ,  神田达哉 ,  内田敏也 ,  小林广之 ,  白川晓 ,  宫本哲生 ,  山本喜史 ,  大塚龙志 ,  高桥秀长 ,  栗田昌德 ,  镰田心之介 ,  佐藤绫子

IPC: G11C8/12 ,  G11C8/14 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C11/4087 ,  G09G5/393 ,  G09G5/395 ,  G11C8/12

Abstract: 本发明公开了一种存储器设备、存储器控制器和存储器系统。该存储器设备具有：多个存储体，每个存储体具有存储器单元阵列，所述存储器单元阵列具有分别由行地址选择的多个页区域，并且每个存储体由存储体地址选择；行控制器，所述行控制器响应于第一操作代码控制每个存储体内页区域的激活；以及一组数据输入/输出端子。每个被激活的页区域内的存储器单位区域是基于列地址访问的。行控制器响应于与第一命令一起提供的多存储体信息数据和提供的存储体地址生成用于多个存储体的存储体激活信号，并响应于提供的存储体地址和提供的行地址生成多个存储体中的每一个的行地址。这多个存储体响应于存储体激活信号和由行地址计算器生成的行地址激活页区域。