公开(公告)号：CN101206912B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710130542.0

申请日：2007-07-11

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 池田仁史 ,  佐藤贵彦 ,  神田达哉 ,  内田敏也 ,  小林广之 ,  白川晓 ,  宫本哲生 ,  山本喜史 ,  大塚龙志 ,  高桥秀长 ,  栗田昌德 ,  镰田心之介 ,  佐藤绫子

IPC: G11C8/12 ,  G11C8/14 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C11/4087 ,  G09G5/393 ,  G09G5/395 ,  G11C8/12

Abstract: 本发明公开了一种存储器设备、存储器控制器和存储器系统。该存储器设备具有：多个存储体，每个存储体具有存储器单元阵列，所述存储器单元阵列具有分别由行地址选择的多个页区域，并且每个存储体由存储体地址选择；行控制器，所述行控制器响应于第一操作代码控制每个存储体内页区域的激活；以及一组数据输入/输出端子。每个被激活的页区域内的存储器单位区域是基于列地址访问的。行控制器响应于与第一命令一起提供的多存储体信息数据和提供的存储体地址生成用于多个存储体的存储体激活信号，并响应于提供的存储体地址和提供的行地址生成多个存储体中的每一个的行地址。这多个存储体响应于存储体激活信号和由行地址计算器生成的行地址激活页区域。

公开(公告)号：CN100550197C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN02829597.8

申请日：2002-11-06

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 筱崎直治 ,  神田达哉 ,  佐藤贵彦 ,  船生明裕

IPC: G11C11/406 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C29/028 ,  G11C11/401 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40603 ,  G11C29/02 ,  G11C29/50012 ,  G11C29/50016 ,  G11C2029/0403 ,  G11C2211/4061

Abstract: 一种半导体存储器。响应于在预定周期产生的刷新请求输出刷新信号，并且进行刷新操作。当在存取请求和刷新请求之间出现冲突时，刷新操作结束。结果，可以较早地开始与存取请求对应的存取操作，缩短存取时间。通过根据提供存取请求的定时改变刷新操作的结束时间，能够进一步缩短存取时间。由于形成了用于向外部通报刷新操作状态的测试电路，因此能够在短时间内评估刷新操作的操作裕度。结果，能够缩短半导体存储器的开发周期。