公开(公告)号：CN1638093B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200410047552.4

申请日：2004-05-21

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 置田阳一 ,  渡边纯一 ,  佐次田直也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/57 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法。通过溅射工艺形成一用于覆盖铁电电容器的Al2O3层。优选根据铁电电容器所需的剩余极化量和疲劳容限优化Al2O3层的厚度，例如为10nm至100nm。接下来，通过在氧气氛中进行热处理，经由Al2O3层供应氧至PZT层。结果，弥补了PZT层中氧的不足。此时，由于Al2O3层抑制了PZT层中的Pb的挥发，且抑制了由Pb量的减少引起的疲劳容限的退化。随后，通过溅射工艺形成另一层Al2O3层作为第二保护层，用于对抗后续处理中的退化因素。Al2O3层的厚度优选为充分保护铁电电容器免于后续布线过程中的退化因素，即大于20nm。

公开(公告)号：CN100539041C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200480044199.2

申请日：2004-10-22

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 置田阳一

IPC: H01L21/3205 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L21/76885 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/938 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基板(1)的上方形成含有催化剂金属的多个起点图案(3)。然后，形成覆盖起点图案(3)的绝缘膜(4)。接着，在绝缘膜(4)上形成从两端露出起点图案(3)的侧面的沟槽。然后，通过在沟槽内使具有导电性的手性的碳纳米管(5)成长，从而形成配线。然后，形成覆盖碳纳米管(5)的层间绝缘膜。