公开(公告)号：CN100495712C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200410081945.7

申请日：2004-12-21

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 大川成实 ,  浅野正义 ,  野村俊雄

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种图像传感器，具有多个像素，每个包含光电转换元件和阈值电压随该光电转换元件所产生的电荷而波动的检测晶体管。该图像传感器包括第二导电类型的屏蔽区和第一导电类型的光电转换区；链接到该光电转换区的第一导电类型的阱区；环形栅极；在该环形栅极内部的第二导电类型的源极区；第二导电类型的漏极区。该图像传感器还进一步包括势袋区，其形成在该环形栅极下面的阱区中并积聚电荷，其中，该栅宽在毗邻该光电转换区的部分处比其他部分窄。

公开(公告)号：CN1716595B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200410100756.X

申请日：2004-12-13

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 野村俊雄 ,  桥本贤治 ,  铃木辉夫

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L27/0266

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其中：提供了保护晶体管，该保护晶体管保护内部电路中的内部晶体管免受电源接脚之间发生的静电所造成的破损。构成保护晶体管沟道的第一p阱的导电类型对应于构成内部晶体管沟道的第二p阱的导电类型。第一p阱的杂质浓度高于第二p阱的杂质浓度。因此，保护晶体管的漏结比内部晶体管的漏结更尖，并且该保护晶体管的寄生双极工作的启动电压比该内部晶体管中的更低。因此，能够恰当地保护该内部电路免受ESD浪涌。

公开(公告)号：CN101517653A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034926.0

申请日：2007-09-27

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 鸟井智史 ,  水谷和宏 ,  野村俊雄 ,  浅野正义 ,  福冈郁人 ,  马渡博史 ,  高桥基

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C16/0433 ,  G11C16/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，具有：存储单元阵列(10)，以矩阵状排列有存储单元(MC)，该存储单元具有选择晶体管(ST)和存储单元晶体管(MT)；列译码器(12)，用于控制位线(BL)的电位；电压施加电路(14)，用于控制第一字线(WL1)的电位；第一行译码器(16)，用于控制第二字线(WL2)的电位；第二行译码器(18)，用于控制源极线(SL)的电位；其中，列译码器由耐电压比电压施加电路及第二行译码器的耐电压低的电路构成，第一行译码器由耐电压比电压施加电路及第二行译码器的耐电压低的电路构成。由于能够以高速控制位线和第二字线，所以能够高速读取已写入存储单元晶体管中的信息。