一种高压旋喷法双液混合喷射可伸缩装置与施工方法

    公开(公告)号:CN118774108A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202411138188.6

    申请日:2024-08-19

    IPC分类号: E02D5/32 E02D15/00

    摘要: 本发明公开了一种高压旋喷法双液混合喷射可伸缩装置与施工方法,包括伸缩外筒和伸缩内筒;所述的伸缩外筒插装在伸缩内筒的外壁上,伸缩外筒可以沿着伸缩内筒的轴线方向运动;在所述的伸缩外筒尾端设置水玻璃溶液或水注入管;且水玻璃溶液或水注入管轴线与伸缩外筒轴线之间的角度可调节;在所述的伸缩内筒上设置有注浆通道和进气通道;在所述的注浆通道内设置有注浆管,所述的注浆管与伸缩内筒上的喷浆孔连通,所述的进气通道与喷气孔连通,且所述的喷气孔与喷浆孔同轴设置,喷气孔位于喷浆孔的外圈。

    一种蓬松加工装置及方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117179346A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311260200.6

    申请日:2023-09-27

    IPC分类号: A23P30/00 A23L17/60

    摘要: 本发明提供一种蓬松加工装置及方法,涉及紫菜加工设备领域,针对目前流量控制阀吹送蓬松气流时稳定性差、流量低的问题,对蓬松阀本体、上游和下游分别进行调整,调整进气管为变径结构,缓和进气波动,采用稳流管将气体平稳引入配气管,减少不同排气流道间的气压损耗,配气管通过多个排气支管输出,均分气流,保证出口流量,提高蓬松效果。

    SiC半导体探测器、矿石成分分析设备及方法

    公开(公告)号:CN118156358B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410579670.7

    申请日:2024-05-11

    摘要: 本发明属于半导体技术领域,涉及一种SiC半导体探测器、矿石成分分析设备及方法,SiC半导体探测器包括欧姆电极;4H‑SiC单晶衬底,设于欧姆电极上表面;缓冲层,生长在4H‑SiC单晶衬底上表面,缓冲层与4H‑SiC单晶衬底材质相同;外延层,生长在缓冲层上表面,外延层与4H‑SiC单晶衬底材质相同;灵敏层,为采用真空热气相沉积法在外延层上表面蒸发Ni膜电极形成的肖特基接触层;灵敏层的截面为7mm×7mm的方形,4H‑SiC单晶衬底、欧姆电极、缓冲层、外延层的截面为10mm×10mm的方形。本发明SiC半导体探测器能快速准确地探测X射线,其应用于矿石成分分析中,能提高矿石成分分析的效率及准确性。

    一种氯碱尾气中氢气的回收方法和系统

    公开(公告)号:CN116081571A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202211621002.3

    申请日:2022-12-05

    IPC分类号: C01B3/56 C01B3/00

    摘要: 本发明涉及一种氯碱尾气中氢气的回收方法和系统,其中的一种氯碱尾气中氢气的回收方法包括以下步骤:以含氢量满足设定需求的氯碱尾气为原料,依次执行脱氯、脱氧和除水工艺后,送入变压吸附单元进行吸附,得到高压产品氢气和解析气;解析气通入储氢合金,与储氢合金结合形成储氢体,剩余尾气排空;储氢体经解析处理,得到低压产品氢气。将变压吸附工艺产生的解析气通入储氢合金,氢气与储氢合金结合形成的储氢体保存解析气中的氢气,剩余的杂质气以尾气的方式排出,储氢体经过解析后能够释放出低压氢气作为产品回收利用,实现解析气中的氢气和杂质气分离,分离出的氢气不再直接燃烧,可以作为低压产品,有利于氯碱尾气中氢气的高价值回收利用。

    SiC半导体探测器、矿石成分分析设备及方法

    公开(公告)号:CN118156358A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410579670.7

    申请日:2024-05-11

    摘要: 本发明属于半导体技术领域,涉及一种SiC半导体探测器、矿石成分分析设备及方法,SiC半导体探测器包括欧姆电极;4H‑SiC单晶衬底,设于欧姆电极上表面;缓冲层,生长在4H‑SiC单晶衬底上表面,缓冲层与4H‑SiC单晶衬底材质相同;外延层,生长在缓冲层上表面,外延层与4H‑SiC单晶衬底材质相同;灵敏层,为采用真空热气相沉积法在外延层上表面蒸发Ni膜电极形成的肖特基接触层;灵敏层的截面为7mm×7mm的方形,4H‑SiC单晶衬底、欧姆电极、缓冲层、外延层的截面为10mm×10mm的方形。本发明SiC半导体探测器能快速准确地探测X射线,其应用于矿石成分分析中,能提高矿石成分分析的效率及准确性。