公开(公告)号：CN102763192A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180008801.7

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  C30B33/04 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691

Abstract: 本发明提供在从外延生长用衬底分离后消除了晶轴角度的偏差的结晶性膜、通过设有该结晶性膜而改善了特性的各种器件、以及结晶性膜和器件的制造方法；在作为外延生长用衬底的单晶衬底的面上通过外延生长形成厚度为300μm以上10mm以下的结晶性膜，接着，将结晶性膜从单晶衬底分离，对于分离后产生翘曲的结晶性膜的厚度方向的相对位置，在将翘曲成凹状侧的面假设为0％、翘曲成凸状侧的面假设为100％时，将脉冲激光汇聚在厚度方向的3％以上且小于50％的范围内的结晶性膜内部并进行扫描，从而利用基于脉冲激光的多光子吸收来形成改性区域图形，由此减少或消除结晶性膜的翘曲量，从而减少或消除晶轴角度的偏差。

公开(公告)号：CN102763192B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180008801.7

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  C30B33/04 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691

Abstract: 本发明提供在从外延生长用衬底分离后消除了晶轴角度的偏差的结晶性膜、通过设有该结晶性膜而改善了特性的各种器件、以及结晶性膜和器件的制造方法；在作为外延生长用衬底的单晶衬底的面上通过外延生长形成厚度为300μm以上10mm以下的结晶性膜，接着，将结晶性膜从单晶衬底分离，对于分离后产生翘曲的结晶性膜的厚度方向的相对位置，在将翘曲成凹状侧的面假设为0％、翘曲成凸状侧的面假设为100％时，将脉冲激光汇聚在厚度方向的3％以上且小于50％的范围内的结晶性膜内部并进行扫描，从而利用基于脉冲激光的多光子吸收来形成改性区域图形，由此减少或消除结晶性膜的翘曲量，从而减少或消除晶轴角度的偏差。

公开(公告)号：CN102770940B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180009701.6

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L23/564 ,  C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L29/045 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供的带多层膜的单晶衬底、带多层膜的单晶衬底的制造方法以及使用该制造方法的元件制造方法，对因多层膜的成膜而产生的翘曲进行矫正；该带多层膜的单晶衬底，包括单晶衬底(20)和形成于单晶衬底(20)一面上的具有两个以上的层且具有压缩应力的多层膜(30)，并且，在单晶衬底(20)的厚度方向上将单晶衬底(20)进行二等分而得到的两个区域(20U、20D)中，至少在单晶衬底(20)的与形成有多层膜(30)的面侧为相反侧的面侧的区域(20D)内设有热改性层(22)。

公开(公告)号：CN102753737A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009519.0

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: C30B29/20 ,  B23K26/40 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B33/04 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L31/184 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供具有任意的翘曲形状和/或翘曲量的外延生长用内部改性衬底、使用该外延生长用内部改性衬底的带多层膜的内部改性衬底、半导体器件及半导体块状衬底、以及它们的制造方法；该外延生长用内部改性衬底包含单晶衬底和通过对单晶衬底进行激光照射而形成于该单晶衬底的内部的热改性层而构成。

公开(公告)号：CN102753737B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180009519.0

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: H01L21/268

CPC classification number: C30B33/04 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L31/184 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供具有任意的翘曲形状和/或翘曲量的外延生长用内部改性衬底、使用该外延生长用内部改性衬底的带多层膜的内部改性衬底、半导体器件及半导体块状衬底、以及它们的制造方法；该外延生长用内部改性衬底包含单晶衬底和通过对单晶衬底进行激光照射而形成于该单晶衬底的内部的热改性层而构成。

公开(公告)号：CN102792420A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011562.0

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  H01L21/268

CPC classification number: C30B33/04 ,  H01L21/268 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供的单晶衬底、单晶衬底的制造方法、使用该单晶衬底的带多层膜的单晶衬底的制造方法以及利用该制造方法的元件制造方法，对因多层膜的成膜而产生的翘曲进行矫正；在由第一区域(10D)和第二区域(10U)构成的两个区域中的任意一个区域内设有热改性层，并且，设有热改性层的区域的面侧翘曲成凸状，其中，第一区域(10D)和第二区域(10U)是在衬底的厚度方向上进行二等分而得到的。

公开(公告)号：CN102792420B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180011562.0

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  H01L21/268

CPC classification number: C30B33/04 ,  H01L21/268 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供的单晶衬底、单晶衬底的制造方法、使用该单晶衬底的带多层膜的单晶衬底的制造方法以及利用该制造方法的元件制造方法，对因多层膜的成膜而产生的翘曲进行矫正；在由第一区域(10D)和第二区域(10U)构成的两个区域中的任意一个区域内设有热改性层，并且，设有热改性层的区域的面侧翘曲成凸状，其中，第一区域(10D)和第二区域(10U)是在衬底的厚度方向上进行二等分而得到的。

公开(公告)号：CN102770940A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180009701.6

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L23/564 ,  C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L29/045 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供的带多层膜的单晶衬底、带多层膜的单晶衬底的制造方法以及使用该制造方法的元件制造方法，对因多层膜的成膜而产生的翘曲进行矫正；该带多层膜的单晶衬底，包括单晶衬底(20)和形成于单晶衬底(20)一面上的具有两个以上的层且具有压缩应力的多层膜(30)，并且，在单晶衬底(20)的厚度方向上将单晶衬底(20)进行二等分而得到的两个区域(20U、20D)中，至少在单晶衬底(20)的与形成有多层膜(30)的面侧为相反侧的面侧的区域(20D)内设有热改性层(22)。

公开(公告)号：CN108511382B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201810144755.7

申请日：2018-02-12

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 古田健次 ,  里百合子 ,  松崎荣

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  B81C99/00

Abstract: 提供静电卡盘工作台的使用方法，能够抑制加工时的限制。静电卡盘工作台包含：板状的基台部，其对于照射至被加工物的激光光线的波长具有透过性，具有第1面和与该第1面相反的一侧的第2面；以及静电吸附用的电极部，其层叠于该基台部的该第1面，对于该激光光线具有透过性，其中，该静电卡盘工作台的使用方法具有如下的步骤：被加工物保持步骤(ST1)，对层叠于第1面的电极部供电而将被加工物吸附保持在第2面侧；以及改质层形成步骤(ST2)，从层叠有电极部的第1面侧照射激光光线，利用透过了基台部的激光光线在第2面所吸附的被加工物的内部形成改质层。

公开(公告)号：CN116230635A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310227412.8

申请日：2018-07-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志 ,  古田健次

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/362

Abstract: 处理衬底的方法。本发明涉及一种处理衬底(2)的方法，该衬底具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，其中，衬底(2)在第一表面(2a)上具有器件区域(20)，该器件区域具有通过多条分割线(22)分隔开的多个器件(21)。方法包括以下步骤：从第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的衬底(2)施加用脉冲激光束(LB)，其中，在脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向与第一表面(2a)隔开距离的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着各个分割线(22)的多个位置被施加于衬底(2)。