公开(公告)号：CN118910565A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410953130.0

申请日：2024-07-16

申请人： 广东省埃森塔科技有限公司

发明人： 杨儒元 ,  刘宏 ,  明卫国 ,  李玉林 ,  周志围

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别是一种电子元件上金属图形的制作方法，包括先清洗电子元件的基底；然后绝缘材料通过物理气相沉积工艺在基底的上表面制备绝缘层；其次通过物理刻制工艺在绝缘层刻制金属图形，形成金属图形凹槽；接着贵金属材料通过物理气相沉积工艺填充金属图形凹槽至绝缘层的上表面，形成金属层；最后通过物理研磨工艺将金属层的上表面研磨至与绝缘层的上表面处于同一水平面，形成金属图形；使得该方法适用于各种厚度的目标金属膜层的金属图形制作，同时残留物中的贵金属主要以单质形式存在，贵金属材料的回收难度低，大大降低了电子元件的制造成本。

公开(公告)号：CN118762896A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410821594.6

申请日：2024-06-24

申请人： 广东省埃森塔科技有限公司

发明人： 杨儒元 ,  谭明伟 ,  李玉林 ,  明卫国 ,  周志围

IPC分类号： H01C17/08 ,  H01C17/02 ,  H01C17/12 ,  H01C17/28 ,  H01C7/00 ,  H01C1/012 ,  H01C1/16 ,  H01C1/144 ,  H01C1/02

摘要： 本发明涉及传感器技术领域，特别是一种高精度铂电阻的制造方法及其结构，方法是：首先选用热膨胀系数与铂相同或相近的绝缘材料制备基板；然后通过物理气相沉积在基板上方制备热膨胀系数与铂相同或相近的第一过渡层以及在铂薄膜层的电阻部制备第二过渡层，其中铂薄膜层通过脉冲直流或高功率磁控溅射工艺在第一过渡层的上方制备；最后通过丝网印刷工艺在第二过渡层的上方制备保护层，并在铂薄膜层的第一焊盘部和第二焊盘部制备引线焊盘层以及引线的一端焊接在引线焊盘层后，丝网印刷制备焊盘保护层包封引线的一端和引线焊盘层；从而铂薄膜层杂质少，各层间热膨胀系数相匹配，消除了层间热应力，提高了铂电阻的精度、稳定性和可靠性，且生产效率高。