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公开(公告)号：CN118910565A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410953130.0
申请日：2024-07-16
申请人： 广东省埃森塔科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别是一种电子元件上金属图形的制作方法，包括先清洗电子元件的基底；然后绝缘材料通过物理气相沉积工艺在基底的上表面制备绝缘层；其次通过物理刻制工艺在绝缘层刻制金属图形，形成金属图形凹槽；接着贵金属材料通过物理气相沉积工艺填充金属图形凹槽至绝缘层的上表面，形成金属层；最后通过物理研磨工艺将金属层的上表面研磨至与绝缘层的上表面处于同一水平面，形成金属图形；使得该方法适用于各种厚度的目标金属膜层的金属图形制作，同时残留物中的贵金属主要以单质形式存在，贵金属材料的回收难度低，大大降低了电子元件的制造成本。
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公开(公告)号：CN118762896A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410821594.6
申请日：2024-06-24
申请人： 广东省埃森塔科技有限公司
IPC分类号： H01C17/08 , H01C17/02 , H01C17/12 , H01C17/28 , H01C7/00 , H01C1/012 , H01C1/16 , H01C1/144 , H01C1/02
摘要： 本发明涉及传感器技术领域，特别是一种高精度铂电阻的制造方法及其结构，方法是：首先选用热膨胀系数与铂相同或相近的绝缘材料制备基板；然后通过物理气相沉积在基板上方制备热膨胀系数与铂相同或相近的第一过渡层以及在铂薄膜层的电阻部制备第二过渡层，其中铂薄膜层通过脉冲直流或高功率磁控溅射工艺在第一过渡层的上方制备；最后通过丝网印刷工艺在第二过渡层的上方制备保护层，并在铂薄膜层的第一焊盘部和第二焊盘部制备引线焊盘层以及引线的一端焊接在引线焊盘层后，丝网印刷制备焊盘保护层包封引线的一端和引线焊盘层；从而铂薄膜层杂质少，各层间热膨胀系数相匹配，消除了层间热应力，提高了铂电阻的精度、稳定性和可靠性，且生产效率高。
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公开(公告)号：CN117476268A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311585120.8
申请日：2023-11-24
申请人： 广东省埃森塔科技有限公司
IPC分类号： H01B1/14 , H01C7/105 , H01C7/108 , H01C17/00 , H01C17/065
摘要： 本发明涉及功能性电子材料，公开了压敏电阻用浆料及使用其制备压敏电阻的方法与其制品，压敏电阻用浆料的原料由导电粉末、复合玻璃粉末和丝印助剂组成；按照质量百分比计算，所述复合玻璃粉末的成分组成为三氧化二锑37‑65wt％、二氧化硅25‑35wt％、三氧化二硼5‑15wt％、碳酸钙4‑10wt％、碳酸钠1‑3wt％。压敏电阻用浆料用于印刷在陶瓷基片的导电银浆层的表面，通过烧结使所述压敏电阻用浆料在导电银浆层的表面形成含有钠钙硼的硅酸锑玻璃体。制备方法中的烧结温度低，能耗低，可以有效降低制造成本。制得的压敏电阻具有良好的灵敏度。
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公开(公告)号：CN221280504U
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202323372489.9
申请日：2023-12-11
申请人： 广东省埃森塔科技有限公司
摘要： 本实用新型涉及压力传感技术领域，特别是一种压力传感器芯片，包括惠斯通电桥、粗调电阻VR1、粗调电阻VR2、细调电阻VR3和细调电阻VR4；粗调电阻VR1的一端和惠斯通电桥的VCC端电连接，粗调电阻VR1的另一端和细调电阻VR3的一端电连接，粗调电阻VR2的一端和惠斯通电桥的GND端电连接，粗调电阻VR2的另一端和细调电阻VR4的一端电连接，细调电阻VR3的另一端、细调电阻VR4的另一端和惠斯通电桥的S+端或S‑端电连接；粗调电阻VR1和细调电阻VR3、粗调电阻VR2和细调电阻VR4分别组成具有喷砂调阻功能的调节电路；从而优化了调阻方式，调节电路结构简单，工艺简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN221325758U
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202323372501.6
申请日：2023-12-11
申请人： 广东省埃森塔科技有限公司
IPC分类号： G01L9/04
摘要： 本实用新型涉及压力传感器技术领域，特别是一种压力传感器结构，包括用于感测被测介质而产生形变的膜片和基座；基座的前面中央设有形变凹槽，所膜片的后面和基座的前面黏连密封后，形变凹槽和膜片合围形成一个形变空间；形变凹槽的深度不超过膜片最大下陷深度；形变凹槽的横截面为直径至少为3mm的圆。压力检测范围大、精度高，抗冲击及抗过载能力强，可搭载更多不同的压力检测电路及后继电路。
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