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公开(公告)号：CN119940285A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411768177.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 广州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/27 , G06N3/045 , G06N3/0464
Abstract: 本申请公开了一种基于KAN‑CNN集成的电路PVT性能优化方法及系统，方法包括：构建待优化电路的参数样本组合数据集并获取PVT向量编码；通过自适应采样策略对待优化电路的参数样本组合数据集进行赋予权重，得到具有权重系数的电路参数样本组合数据集；结合自注意力模块、KAN网络结构与CNN网络结构，构建电路PVT性能预测模型；基于电路PVT性能预测模型对具有权重系数的电路参数样本组合数据集与PVT向量编码进行预测，得到电路PVT性能预测数据表；根据电路PVT性能预测数据表进行电路PVT性能优化，得到优化后的电路。本申请实施例能够提高模型的预测效率与预测精度，实现了对电路多种PVT性能指标的同步建模与优化。本申请可以广泛应用于模拟电路优化技术领域。
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公开(公告)号：CN115657778B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202211371610.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 广州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，且公开了一种采用双向逐次逼近比较型SAR二分法电路的DLDO电路，该电路包括以双向逐次逼近比较型(SAR)为核心的二分法粗调电路、细调电路、窗口比较器、单限比较器和负载电路。其中，该二分法电路部分还包括了大尺寸二进制PMOS阵列，细调电路中包括了细调逻辑和小尺寸PMOS阵列。其中单限比较器将输出电压VOUT与参考电压VREF进行比较，得到方向FD信号，用来控制双向二分法粗调电路和细调电路的调整方向，使输入电压VOUT趋近于参考电压VREF。本发明具有瞬态响应速度快，上下冲电压小，电路结构简单，全集成化等优点，电路实现了快速将输出电压稳定在参考值附近的能力，减小了上下冲电压，并且确保了输出电压VOUT的带载能力。
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公开(公告)号：CN113919108B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202111389664.8
申请日：2021-11-22
Applicant: 广州大学
IPC: G06F30/18 , G06F30/27 , G06F30/39 , G06N3/006 , G06F111/04 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供了一种基于多种群分层协助进化的基准源结构优化方法，包括S1，在电路结构中划分出待进化模块与固定功能模块，采用改进追踪编码的方式生成待进化模块的拓扑结构；S2，利用多种群分层协助进化对待进化模块电路的拓扑结构进行寻优，获得待进化模块的最优拓扑结构；S3，将待进化模块的最优拓扑结构作为最优个体，将其参数信息传输至固定功能模块，利用多种群分层协助由局部寻优到全局寻优，获得最优电路拓扑结构。本发明生成的电路性能参数可以达到人工设计水平的模拟集成电路。本发明具有时间效率高，集成完整性强，自动设计电路结构，筛选优化电路，最终电路性能指标优越的优点。
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公开(公告)号：CN118688505A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410700322.0
申请日：2024-05-31
Applicant: 广州大学
Abstract: 本申请公开了一种基于放电时间计算的零电流检测电路及其检测方法，零电流检测电路包括放电时间模拟计算模块和数字检测与调控模块。检测方法包括：根据输入电压与输出电压计算电感零电流点，产生放电主脉冲信号并进行分频处理，得到分频后的放电主脉冲信号；获取误差调控信号，并根据分频后的放电主脉冲信号进行零电流误差检测与校准处理，生成校准后的零电流检测信号。本申请实施例能够在降低零电流检测电路的模块功耗与复杂度的同时提高零电流检测精度。本申请可以广泛应用于集成电路技术领域。
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公开(公告)号：CN114462292B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111387473.8
申请日：2021-11-22
Applicant: 广州大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/373 , G06F18/214 , G06F111/04
Abstract: 本发明提供了一种基于SQP算法的电路参数优化方法，包括S1，通过待优化电路的器件的参数生成向量x；S2，通过待优化电路的约束条件和目标性能指标定义向量y；S3，通过采样算法在样本空间(X,Y)中进行采样,调用电路仿真软件获得仿真结果,采样得到的参数对(x,y)组成训练集；S4，通过拟合y＝f(x)的函数关系，构建神经网络模型；S5，通过序二次规划算法对S4中产生的神经网络模型进行寻优，获得最优解。本发明使用神经网络构建仿真模型可以在调用电路仿真软件次数更少的情况下，更加准确全面的描述样本空间的分布。可以从全局角度获取到该结构下最优的电路参数组合。使用SQP算法的容易的获得全局最优解，而摆脱局部最优解的收敛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111555619B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010486951.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 广州大学
Abstract: 本发明公开了一种自适应脉冲序列控制的PCCM Buck变换器，包括：主电路、自适应脉冲生成电路和脉冲选择电路；其中，所述自适应脉冲生成电路包括：电压转电流电路和脉冲生成电路；所述电压转电流电路包括：第三电压比较器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻。本发明通过上述连接方式，实现自适应脉冲宽度的控制信号，使得控制信号的脉冲宽度随着输出电压的变化而变化，从而扩大电路输出电压范围，使电路在大输出电压时保持PCCM状态。此外，该电路根据不用的输出电压改变控制信号的脉冲宽度，以减小电压纹波。
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公开(公告)号：CN118199641A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410378101.6
申请日：2024-03-29
Applicant: 广州大学
IPC: H03M1/34 , H03K19/0185
Abstract: 本申请公开了一种基于交叉耦合结构的动态比较器电路及其控制方法，电路包括高增益预放大器单元和高速锁存器单元，其中，高增益预放大器单元包括交叉耦合输入单元、锁存控制单元、推挽输出单元和第一尾电流源单元，高速锁存器单元包括输入输出隔离单元、共模反馈单元、锁存结构单元和第二尾电流源单元。本申请实施例能够通过添加少量晶体管如交叉耦合管，使再生过程中的正反馈得到加强，从而显著缩短延迟时间。本申请可以广泛应用于集成电路设计技术领域。
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公开(公告)号：CN111313703B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010193793.9
申请日：2020-03-18
Applicant: 广州大学
Abstract: 本申请公开了一种脉冲序列控制的PCCM Buck变换器，包括：主电路、电流检测电路、第一电压比较器、第二电压比较器、电荷控制电路和脉冲选择电路；主电路的输出端耦合至第一电压比较器的反向输入端，第一电压比较器的正向输入端接入基准电压；第一电压比较器的输出端耦合至脉冲选择电路的输入端，脉冲选择电路的输出端耦合至主电路，以及逻辑控制电路的第一输入端；电流检测电路的输入端耦合至主电路，其输出端耦合至第二电压比较器的反向输入端，第二电压比较器的正向输入端耦合至电荷控制电路的输出端，第二电压比较器的输出端耦合至逻辑控制电路的第二输入端；逻辑控制电路的输出端耦合至电流检测电路；电荷控制电路用于提供续流值。
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公开(公告)号：CN116526980A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310103257.9
申请日：2023-02-08
Applicant: 广州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于翻转电压跟随器电流源的共源共栅运算放大器，翻转电压跟随器电流源结构、套筒式共源共栅结构、电流复用结构和共模反馈结构、电路偏置电压和偏置电流；所述翻转电压跟随器电流源结构为M1、M2、M3和M4；所述套筒式共源共栅结构为M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、VOUTN和VOUTP；所述电流复用结构为M5、M6、M11和M12；所述共模反馈结构为M14、M15、M16、M17、M18、M19、M20、M21和VCMFB；本发明能够解决现有套筒式共源运输放大器的动态电流需要依靠静态电流来决定，导致运算放大器放大效果不明显、存在失调风险和动态电流小的问题。
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公开(公告)号：CN116204024A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211493553.6
申请日：2022-11-25
Applicant: 广州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源，主要由四个部分构成，分别为特定的电流输出级、泄露隔离器、偏置电路和二级线性稳压器。其中，特定的电流输出级采用了偏衬技术和共源共栅结构，令功耗、输出精度和负载调整率均得到改善；泄露隔离器针对隔离衬底偏置引入的衬底泄露电流进行隔离；偏置电路用于产生一个与温度成反比的偏置电压，并对输出级进行温度补偿；二级线性稳压器利用两级电压基准产生一个与电源电压无关的供电电压，降低基准电流的电源线性度。本发明基于亚阈值操作和偏衬技术，在较小的电路面积上获得一个具有高精度、超低功耗和宽温度范围的基准电流。
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