公开(公告)号：CN118676239B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202411147335.6

申请日：2024-08-21

申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 ,  北京信息科技大学

发明人： 祝连庆 ,  肖惠锦 ,  鹿利单 ,  陈伟强 ,  董明利 ,  何彦霖

IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。

公开(公告)号：CN118676239A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202411147335.6

申请日：2024-08-21

申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 ,  北京信息科技大学

发明人： 祝连庆 ,  肖惠锦 ,  鹿利单 ,  陈伟强 ,  董明利 ,  何彦霖

IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。