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公开(公告)号：CN107706079A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710868864.9
申请日：2017-09-22
申请人： 深圳市创新维度科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32412 , H01J37/32458 , H01J37/32504
摘要： 本发明公开了一种等离子体注入腔室内衬结构，包括可拆卸式固定在等离子体注入腔室内的侧壁和顶壁，所述侧壁由至少十个基板和两个透明基板沿圆周方向首尾相接组合构成，两个所述透明基板左右对称分布，所述顶壁包括呈正十二边形的基板和十二个呈扇形的基板拼接组合构成，内衬的侧壁和顶壁由多块基板拼接组合构成，可以根据实际处理生物材料的需求，灵活快速地更换选择不同特性涂层的基板，充分地防止内壁元素被溅射到样品中，造成样品的注入污染。
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公开(公告)号：CN102822378A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080065780.8
申请日：2010-12-08
申请人： 佳能安内华股份有限公司
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3447
摘要： 本发明公开了一种溅射设备，它防止沉积薄膜粘附在排气腔室上，且抑制颗粒的产生。溅射设备（1）包括：闸板容纳单元（23），该闸板容纳单元（23）可拆卸地布置于排气腔室（8）中，并容纳闸板（19）；以及屏蔽部件（40a、40b），该屏蔽部件至少局部覆盖排气腔室（8）的排气口，并至少局部环绕闸板容纳单元（23）的开口部分而形成。
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公开(公告)号：CN108884559A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201680073063.7
申请日：2016-11-03
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C23C4/134 , C23C14/34 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/45525 , C23C16/50 , C23C18/1646 , C23C18/1689 , C23C18/31 , C23C18/48 , C25D3/02 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25D17/00 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3476
摘要： 本公开内容的实施方式涉及用于在处理腔室中使用的改良的屏蔽物。在一个实施方式中，所述屏蔽物包括具有圆柱形状的中空主体和形成在主体的内表面上的涂覆层，所述圆柱形状大致上关于所述主体的中心轴对称。涂覆层由与在所述处理腔室中使用的溅射靶相同的材料形成。屏蔽物通过减少屏蔽物与溅射靶之间的发弧而有利地减少使用RF‑PVD沉积的膜中的颗粒污染物。发弧因屏蔽物的内表面上存在涂覆层而减少。
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公开(公告)号：CN103924206B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410187146.1
申请日：2010-12-08
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3447
摘要： 本发明公开了一种溅射设备，包括处理腔室、基板保持器、靶保持器、闸板、驱动装置、闸板容纳单元以及将气体引入处理腔室中的气体引入管；气体引入管布置成使得气体引入闸板容纳单元且从气体引入管引入闸板容纳单元的气体通过闸板容纳单元的开口部分引入至处理腔室。闸板能够运动成采取屏蔽状态和后退状态中的一个，在该屏蔽状态中，闸板屏蔽在基板保持器和靶保持器之间的间隙，在该后退状态中，闸板从在基板保持器和靶保持器之间的间隙后退。闸板容纳单元有开口部分，闸板将通过开口部分伸出至处理腔室并从处理腔室后退，且构造成容纳处于后退状态的闸板。它防止沉积薄膜粘附在排气腔室上，且抑制颗粒的产生。
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公开(公告)号：CN101293771B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200710122759.7
申请日：2007-07-04
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C04B35/50
CPC分类号： C04B35/505 , B32B18/00 , C04B35/486 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/6582 , C04B2235/668 , C04B2235/762 , C04B2235/80 , C04B2235/9669 , H01J37/32467 , H01J37/32504 , Y10T428/31678
摘要： 本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中，该陶瓷由以下成分形成，即：摩尔浓度变化范围从约50％摩尔比到约75％摩尔比的氧化钇；摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆；以及选自包括氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化钕、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及上述物质的组合的至少一个其他成分，所述至少一种其他成分浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比。在第二实施方式中，陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到约70％摩尔比的氧化钇，以及摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷，其中所述陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从约2μm到约8μm。在第三实施方式中，该陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到约94％摩尔比的氧化锆，以及摩尔浓度变化范围从约4％摩尔比到约6％摩尔比的氧化钇形成的陶瓷。
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公开(公告)号：CN107768279A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710728796.6
申请日：2017-08-23
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01J37/32504 , C23C16/40 , C23C16/56 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J2237/0213 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67011 , H01L21/02
摘要： 本公开内容的实现方式提供用于处理腔室中的腔室部件。腔室部件包括：主体，所述主体在等离子体处理腔室中使用；氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层形成在主体的暴露表面的至少一部分上，氧化物阻挡层具有约2gm/cm3或更大的密度；以及氟氧化铝层，所述氟氧化铝层形成在氧化物阻挡层上，氟氧化铝层具有约2nm或更大的厚度。
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公开(公告)号：CN103107055B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210396411.8
申请日：2012-10-18
CPC分类号： H01J37/32651 , H01J37/08 , H01J37/321 , H01J37/32504 , H01J2237/0206 , H01J2237/026 , H01J2237/31749
摘要： 本发明涉及用于聚焦射束系统的电感耦合等离子体离子源。一种用于聚焦带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括等离子体室内的导电屏蔽以便减少到等离子体的电容耦合。内部导电屏蔽被偏置电极或被等离子体被保持在与等离子体源基本上相同的电位。内部屏蔽允许等离子体室的外部上的更多种冷却方法。
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公开(公告)号：CN103632916B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310380150.5
申请日：2013-08-27
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： H01J37/32477 , C23C14/564 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32449 , H01J37/32495 , H01J37/32504 , H01J37/32559 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J2237/022
摘要： 本发明涉及调整等离子体处理系统的方位非均匀性的对称返回衬垫，公开了用于调整等离子体处理室中的方位非均匀性的方法和装置。装置包括具有等离子体处理室和室衬的等离子体处理系统。调整方位非均匀性包括提供成组的导电带以将室衬连接至接地环，其中该成组的导电带中的导电带数量大于8。替代地或另外地，镜像切口针对室衬中的配对的现有切口或端口而提供。替代地或另外地，室衬具有针对配对结构而提供的虚设结构，该配对结构阻碍室中的气流和RF返回电流中的至少一者。
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公开(公告)号：CN103107055A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210396411.8
申请日：2012-10-18
申请人： FEI公司
CPC分类号： H01J37/32651 , H01J37/08 , H01J37/321 , H01J37/32504 , H01J2237/0206 , H01J2237/026 , H01J2237/31749
摘要： 本发明涉及用于聚焦射束系统的电感耦合等离子体离子源。一种用于聚焦带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括等离子体室内的导电屏蔽以便减少到等离子体的电容耦合。内部导电屏蔽被偏置电极或被等离子体被保持在与等离子体源基本上相同的电位。内部屏蔽允许等离子体室的外部上的更多种冷却方法。
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公开(公告)号：CN102138198A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980133993.7
申请日：2009-08-24
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01J37/32495 , C23C14/35 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/4407 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/3408
摘要： 本文提供了一种用于制程腔室中的制程套组屏蔽件以及该制程套组屏蔽件的使用方法。在一些实施例中，制程套组屏蔽件可包含具有壁的主体，该壁包含第一层以及与该第一层结合的第二层，其中，第一层包含第一材料，该第一材料能抵抗用来移除在制程过程中沉积在第一层上的材料的化学清洁剂，并且其中，第二层包含第二材料，第二材料与第一材料不相同并且具有与该第一材料基本相似的热膨胀系数。在一些实施例中，制程套组屏蔽件可以被设置在具有处理容积和非处理容积的制程腔室中。该制程套组屏蔽件可以被设置在处理容积和非处理容积之间。
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