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公开(公告)号:CN102668104A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080052528.3
申请日:2010-08-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/052 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/02165 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/056 , H01L31/1816 , H01L31/202 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种用于形成粗糙化的波长选择反射层的方法和设备。在一个实施例中,形成太阳能电池器件的方法包括在形成于基板上的第一p-i-n结和第二p-i-n结之间形成波长选择反射层,并对波长选择反射层进行后处理工艺以形成粗糙度大于20nm的不均匀表面。在另一个实施例中,光伏器件包括布置在形成于基板上的第一p-i-n结和第二p-i-n结之间的波长选择反射层,其中波长选择反射层具有不均匀表面,所述表面具有大于20nm的表面粗糙度。
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公开(公告)号:CN101836299B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200880112704.0
申请日:2008-10-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/075 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L31/03685 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 如权利要求所述的本发明的实施例涉及一种薄膜多结太阳能电池以及用于形成该太阳能电池的方法与设备。在一个实施例中提供了一种在基板上方形成薄膜多结太阳能电池的方法。该方法包括:在反应区中放置基板;将混合气体提供至反应区,其中所述混合气体包括含硅化合物和氢气;以第一沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第一区域;以高于第一沉积速率的第二沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第二区域;以及以低于第二沉积速率的第三沉积速率在基板上形成本征型微晶硅层的第三区域。
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公开(公告)号:CN102356474A
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN201080012538.4
申请日:2010-03-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 盛殊然 , 蔡容基 , 斯蒂芬·克莱因 , 阿米尔·阿拉-巴亚提 , 巴斯卡·库马
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/02167 , H01L31/022483 , H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/03682 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 提供了一种用以形成太阳能电池的方法及设备。在一实施例中,一种光伏器件包含:第一TCO层,所述第一TCO层设置在基板上;第二TCO层,所述第二TCO层设置在所述第一TCO层上;以及p-型含硅层,所述p-型含硅层形成在所述第二TCO层上。在另一实施例中,一种形成光伏器件的方法包含以下步骤:在基板上形成第一TCO层;在所述第一TCO层上形成第二TCO层;以及在所述第二TCO层上形成第一p-i-n结。
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公开(公告)号:CN101542745B
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN200880000178.9
申请日:2008-07-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施例一般涉及太阳能电池及其形成方法和设备。更具体地,本发明实施例涉及薄膜多结太阳能电池及其形成方法和设备。本发明实施例还包括改良的薄膜硅太阳能电池及其形成方法和设备,其中太阳能电池中一个或更多个层包括至少一个非晶硅层,该至少一个非晶硅层具有改良的电性与机械性能,并能够以比传统非晶硅沉积处理快上许多倍的速率沉积。
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公开(公告)号:CN101720495B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200880022635.4
申请日:2008-07-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67236 , H01L21/67201
Abstract: 本发明提供在薄膜太阳能电池制造过程中控制基板温度的方法及设备。方法包括在第一腔室中于基板上执行温度稳定化工艺,以预热基材一段时间;计算第二腔室的等待时间,其中所述等待时间是依据所述第二腔室的可用率、用以将基板从第一腔室传送至第二腔室的真空传送机械手的可用率,或所述第二腔室与所述真空传送机械手两者的可用率所计算而得;以及,调整所述温度稳定化时间,以补偿在所述等待时间过程中基板损失的热量。
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公开(公告)号:CN101821854B
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN200880110922.0
申请日:2008-10-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/1824 , C23C16/24 , C23C16/46 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明大体包括一种在微晶硅沉积期间用以动态控制太阳能电池基板的温度的方法。在非晶硅/微晶硅串接太阳能电池中,微晶硅可以使用比非晶硅更高的功率密度来沉积,并且被沉积到比非晶硅更厚的厚度。所施加的功率密度越高,沉积速度越快,但沉积温度可能也会增加。在高温时,掺杂质扩散进入太阳能电池的本征层且破坏太阳能电池的可能性更大。通过动态控制载座的温度,基板以及因此掺杂质都可以被维持在掺杂质会扩散进入本征层的温度以下的实质恒定温度。动态温度控制允许微晶硅能以高功率密度来沉积而不会破坏太阳能电池。
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公开(公告)号:CN115335977A
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN202080098832.5
申请日:2020-03-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/673
Abstract: 提供用于基板处理系统的传送机器人的方法和设备,基板处理系统包括耦接到多个处理腔室的传送腔室。传送腔室包含:传送机器人,传送机器人包含基底,基底耦接至支撑杆;以及托盘盒,托盘盒固定至基底,其中托盘盒包含第一托盘载体与第二托盘载体,第一托盘载体用于固持第一托盘并将第一托盘从托盘盒传送至多个处理腔室中的一个处理腔室中的基座,第二托盘载体堆叠在第一托盘载体上,第二托盘载体用于固持第二托盘,其中第一托盘载体与第二托盘载体中的每一个包含多个摩擦减小装置。
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公开(公告)号:CN101796481B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200880105071.0
申请日:2008-08-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 罗伯特·Z·巴克拉克 , 蔡容基 , 崔寿永 , 尼古拉斯·G·J·德弗里 , 雅科夫·埃尔格 , 埃里克·A·恩格尔哈特 , 米歇尔·R·弗赖 , 查尔斯·盖伊 , 帕里斯·霍金斯 , 乔伊·胡 , 詹姆斯·克雷格·亨特 , 潘查拉·N·坎卡纳拉 , 李利伟 , 温·胡·罗 , 丹尼·卡姆·托恩·鲁 , 方·梅 , 斯蒂芬·P·墨菲 , 斯鲁杰尔·帕特尔 , 马修·J·B·桑德斯 , 阿萨夫·施莱辛格 , 盛殊然 , 苏杰发 , 杰弗里·S·沙利文 , 戴维·坦纳 , 特雷莎·特罗布里奇 , 布赖斯·沃克 , 约翰·M·怀特 , 泰·K·王
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: H01L21/67236 , B23K26/364 , B26F3/002 , B26F3/004 , B65G49/064 , B65G2249/02 , B65G2249/04 , C03B33/03 , C03B33/033 , H01L21/67132 , H01L21/67712 , H01L21/67715 , H01L21/67721 , H01L21/67727 , H01L21/6776 , H01L31/022425 , H01L31/03921 , H01L31/0504 , H01L31/075 , H02S50/00 , H02S50/10 , Y02E10/548 , Y02P40/57 , Y10T29/49002 , Y10T29/49355 , Y10T29/5196 , Y10T29/53113 , Y10T29/5313 , Y10T29/5317 , Y10T29/53187 , Y10T29/53365 , Y10T29/53417 , Y10T225/10 , Y10T225/325 , Y10T225/329
Abstract: 本发明涉及利用适以在形成太阳能电池的处理中执行一或多个步骤的处理模块来形成光电装置或太阳能电池的系统。自动化太阳能电池工厂一般配置有用来形成太阳能电池的自动化处理模块和自动化设备。此自动化太阳能电池工厂因此大致包含一基板接收模块,用来接收基板;一或多个吸收层沉积群集工具,具有至少一个处理腔室可沉积含硅层在基板表面上;一或多个背接触沉积腔室;一或多个材料移除腔室;太阳能电池封装装置;热压釜模块;自动化接线箱附接模块;和一或多个质量确保模块,适以测试及合格化已完全形成的太阳能电池装置。
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