公开(公告)号：CN109923653A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780068574.4

申请日：2017-11-07

申请人： 应用材料公司

发明人： 普莉娜·古拉迪雅 ,  阿维舍克·古什 ,  罗伯特·简·维瑟

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 用于鉴定半导体清洁溶液中的污染物的方法及设备，包括：使半导体清洁溶液接触半导体制造部件以形成含有一种或多种不溶性待测分析物的排出液；使该含有一种或多种不溶性待测分析物的排出液接触一光学设备，该光学设备经构造以感测来自该一种或多种待测分析物的荧光及可选的拉曼信号，其中该设备包括电子倍增电荷耦合器件及光栅光谱仪，以用来对该荧光进行光谱色散并将该荧光投射在该电子倍增电荷耦合器件上；及鉴定该一种或多种待测分析物。

公开(公告)号：CN109937470A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201780068725.6

申请日：2017-11-07

申请人： 应用材料公司

发明人： 普莉娜·古拉迪雅 ,  桑克萨·博伊亚尔 ,  罗伯特·简·维瑟 ,  维杰·班·夏尔马 ,  雷努卡·沙哈内

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 在此提供用于分析和检测来自半导体制造部件的液体中的纳米颗粒的方法和设备。在某些实施方式中，确定基板处理腔室部件清洁溶液中的纳米颗粒的颗粒数、颗粒尺寸及ζ电位的方法包括：(a)以来自基板处理腔室部件清洁槽内的清洁溶液填充样本槽，基板处理腔室部件清洁槽装有半导体处理腔室部件；(b)将来自激光器的光导向该样本槽，其中该清洁溶液中的纳米颗粒散射来自该激光器的光；及(c)经由位在该样本槽附近的一个或多个检测器来检测散射光以确定该清洁溶液中的纳米颗粒的ζ电位、颗粒尺寸及颗粒数。

公开(公告)号：CN109937470B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201780068725.6

申请日：2017-11-07

申请人： 应用材料公司

发明人： 普莉娜·古拉迪雅 ,  桑克萨·博伊亚尔 ,  罗伯特·简·维瑟 ,  维杰·班·夏尔马 ,  雷努卡·沙哈内

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 在此提供用于分析和检测来自半导体制造部件的液体中的纳米颗粒的方法和设备。在某些实施方式中，确定基板处理腔室部件清洁溶液中的纳米颗粒的颗粒数、颗粒尺寸及ζ电位的方法包括：(a)以来自基板处理腔室部件清洁槽内的清洁溶液填充样本槽，基板处理腔室部件清洁槽装有半导体处理腔室部件；(b)将来自激光器的光导向该样本槽，其中该清洁溶液中的纳米颗粒散射来自该激光器的光；及(c)经由位在该样本槽附近的一个或多个检测器来检测散射光以确定该清洁溶液中的纳米颗粒的ζ电位、颗粒尺寸及颗粒数。

公开(公告)号：CN107258010A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201680010536.9

申请日：2016-02-25

申请人： 应用材料公司

发明人： 维杰·班·夏尔马 ,  兰加·拉奥·阿内帕利 ,  普莉娜·古拉迪雅 ,  罗伯特·简·维瑟

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/32135 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6838

摘要： 本文提供用于相对于暴露的或下方的介电或金属层选择性移除金属氮化物的改良方法和设备。在一些实施方式中，一种蚀刻在基板顶上的金属氮化物层的方法包括以下步骤：(a)氧化金属氮化物层以在该金属氮化物层的表面形成金属氮氧化物层(MN1‑xOx)，其中M为钛或钽中的一种并且x为从0.05至0.95的整数；以及(b)使该金属氮氧化物层(MN1‑xOx)暴露于处理气体，其中该金属氮氧化物层(MN1‑xOx)与该处理气体反应以形成挥发性化合物，该挥发性化合物从该金属氮化物层的该表面解吸。

公开(公告)号：CN116324020A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180063210.3

申请日：2021-08-11

申请人： 应用材料公司

发明人： 吉蒂卡·巴贾 ,  达尔尚·撒卡尔 ,  普莉娜·古拉迪雅 ,  罗伯特·詹·维瑟 ,  杨逸雄 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔

IPC分类号： C23C16/18

摘要： 本发明描述了通过将基板表面暴露于卤化物前驱物和有机硅烷反应物来沉积金属膜的方法。该卤化物前驱物包含具有以下通式(I)的化合物：MQzRm，其中M是金属，Q是选自Cl、Br、F或I的卤素，z是自1至6，R选自烷基、CO，和环戊二烯基，并且m是0至6。铝反应物包含具有以下通式(II)或通式(III)的化合物，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、Ra、Rb、Rc、Rd、Re，和Rf独立的选自氢(H)、被取代烷基或未被取代烷基；并且X、Y、X'，和Y’独立地选自氮(N)和碳(C)。

公开(公告)号：CN108431934A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680075366.2

申请日：2016-12-22

申请人： 应用材料公司

发明人： 尤吉塔·巴瑞克 ,  吉蒂卡·巴贾 ,  普莉娜·古拉迪雅 ,  安库尔·凯达姆 ,  拜平·塔库尔

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/68757 ,  H01L21/6719

摘要： 本文提供一种半导体处理设备的耐腐蚀涂层与制造半导体处理设备的耐腐蚀涂层的方法。在某些实施方式中，一种处理半导体处理腔室部件的方法包括：在包含中性电解质与阻抗材料的阳极处理溶液中，阳极处理包含含铝主体的半导体处理腔室部件，以在含铝主体顶上形成耐腐蚀涂层。在某些实施方式中，一种处理半导体处理腔室部件的方法包括：在中性电解质溶液中，阳极处理包含含铝主体的半导体处理腔室部件，以在含铝主体的表面上形成氧化铝层；及将经阳极处理的半导体处理腔室部件浸入阻抗材料溶液中，以在氧化铝层顶上形成阻抗材料层。

公开(公告)号：CN107406977A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680011976.6

申请日：2016-02-25

申请人： 应用材料公司

发明人： 塔帕什·查克拉博蒂 ,  普莉娜·古拉迪雅 ,  罗伯特·简·维瑟

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  C30B25/165 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636

摘要： 本文提供了使用自组装单层(self-assembled monolayer；SAM)的选择性电介质沉积的方法。一种在具有暴露的硅表面和暴露的含硅表面的基板顶上选择性沉积低k电介质层的方法，包括：(a)在暴露的含硅表面顶上生长基于有机硅烷的自组装单层，其中基于有机硅烷的自组装单层在大于约300摄氏度的第一温度下是热稳定的；以及(b)在基板的暴露的硅表面顶上选择性地沉积低k电介质层，其中基于有机硅烷的自组装单层抑制低k电介质层沉积在含硅表面顶上。

公开(公告)号：CN109923653B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201780068574.4

申请日：2017-11-07

申请人： 应用材料公司

发明人： 普莉娜·古拉迪雅 ,  阿维舍克·古什 ,  罗伯特·简·维瑟

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 用于鉴定半导体清洁溶液中的污染物的方法及设备，包括：使半导体清洁溶液接触半导体制造部件以形成含有一种或多种不溶性待测分析物的排出液；使该含有一种或多种不溶性待测分析物的排出液接触一光学设备，该光学设备经构造以感测来自该一种或多种待测分析物的荧光及可选的拉曼信号，其中该设备包括电子倍增电荷耦合器件及光栅光谱仪，以用来对该荧光进行光谱色散并将该荧光投射在该电子倍增电荷耦合器件上；及鉴定该一种或多种待测分析物。

公开(公告)号：CN114424676A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080066006.2

申请日：2020-09-28

申请人： 应用材料公司

发明人： 加亚特里·纳图 ,  吉蒂卡·巴贾 ,  普莉娜·古拉迪雅 ,  达尔尚·撒卡尔 ,  大卫·芬威克 ,  何晓明 ,  桑尼·塞帕埃莱 ,  珍妮弗·孙 ,  拉尹库曼·塔努 ,  杰弗里·赫金斯 ,  卡鲁帕萨米·穆图卡马特兹 ,  阿伦·达雅兰

IPC分类号： H05F1/02 ,  C23C16/06 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H01L21/677 ,  B25J18/00 ,  B25J19/00

摘要： 在一些实施方式中揭露了一种用超薄电气耗散材料涂覆以提供从涂层到接地的耗散路径的腔室部件(例如终端受动器主体)。所述涂层可以经由化学前驱物沉积来沉积以用高成本效益的方式提供均匀、保形、且不含孔隙的涂层。在所述腔室部件包括终端受动器主体的一个实施方式中，所述终端受动器主体可以进一步包括可替换接触垫以用于支撑基板，且接触垫头的接触表面也可以用电气耗散材料涂覆。

公开(公告)号：CN107848029A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680037934.X

申请日：2016-05-20

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿耶·M·乔希 ,  阿莎瓦尼·塔马尔 ,  卡斯拉曼·克里沙南 ,  奈格·B·帕蒂班德拉 ,  兰加·拉奥·阿内帕利 ,  普莉娜·古拉迪雅

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F9/20 ,  B33Y70/00

CPC分类号： B22F1/0007 ,  B22F1/0011 ,  B22F1/025 ,  B22F3/1055 ,  B22F2999/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  Y02P10/295 ,  B22F9/24 ,  C23C16/00 ,  C25D1/00

摘要： 一种用于增材制造的前驱物包括金属微粒状粉末，每个微粒具有金属核，所述金属核具有在10μm与150μm之间的平均直径，所述金属核具有第一熔化温度；并且所述金属核各自具有官能化的表面，所述官能化的表面包括金属材料，所述金属材料具有比所述第一熔点更低的第二熔点。