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公开(公告)号：CN108292582A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068256.3
申请日：2016-11-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文所公开的实施方式大致涉及一种等离子体处理腔室和用于发弧事件的检测设备。在一个实施方式中，本文公开一种发弧检测设备。发弧检测设备包含探针、检测电路和数据记录系统。探针定位为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间。检测电路配置成从探针接收模拟信号并且输出按比例缩放在模拟信号中呈现的事件的输出信号。数据记录系统经通信耦合以从检测电路接收输出信号。数据记录系统配置成跟踪内部空间中发生的发弧事件。
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公开(公告)号：CN111508811A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010242936.0
申请日：2016-11-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文所公开的实施方式大致涉及一种等离子体处理腔室和用于发弧事件的检测设备。在一个实施方式中，本文公开一种发弧检测设备。发弧检测设备包含探针、检测电路和数据记录系统。探针定位为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间。检测电路配置成从探针接收模拟信号并且输出按比例缩放在模拟信号中呈现的事件的输出信号。数据记录系统经通信耦合以从检测电路接收输出信号。数据记录系统配置成跟踪内部空间中发生的发弧事件。
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公开(公告)号：CN108292582B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201680068256.3
申请日：2016-11-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文所公开的实施方式大致涉及一种等离子体处理腔室和用于发弧事件的检测设备。在一个实施方式中，本文公开一种发弧检测设备。发弧检测设备包含探针、检测电路和数据记录系统。探针定位为部分地暴露于等离子体处理腔室的内部空间。检测电路配置成从探针接收模拟信号并且输出按比例缩放在模拟信号中呈现的事件的输出信号。数据记录系统经通信耦合以从检测电路接收输出信号。数据记录系统配置成跟踪内部空间中发生的发弧事件。
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公开(公告)号：CN108140588A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680033926.8
申请日：2016-08-31
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01L21/67253 , C23C16/50 , C23C16/52 , G05B19/41875 , G05B19/4189 , G05B2219/37008 , G05B2219/45032 , G05B2219/50388 , H01J37/32091 , H01J37/3211 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32935 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323
摘要： 本发明的实施方式提供匹配及校准处理腔室中的处理腔室性能的方法。在一个实施方式中，用于校准用于半导体制造处理的处理腔室的方法包含以下步骤：在处理腔室中执行第一预定处理，在执行预定处理的同时收集第一组信号(第一组信号由设置在处理腔室中的第一组传感器传输至控制器)，分析所收集的第一组信号，将所收集的第一组信号与储存在控制器中的数据库比较以检查来自第一组传感器的传感器响应，当发现失配传感器响应时基于所收集的第一组信号来校准传感器，随后在处理腔室中执行第一系列处理，及在执行系列处理的同时收集第二组信号(第二组信号由传感器传输至控制器)。
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公开(公告)号：CN108292588B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201680025485.7
申请日：2016-10-26
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/205
摘要： 本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP‑CVD、PECVD、PE‑ALD及蚀刻腔室中)腔室电弧放电的装置及涂覆方法。所述装置包括用于涂覆材料的原位沉积的环形气体分配器，及包括环形气体分配器的处理腔室。所述环形气体分配器包括环形主体，所述环形主体具有设置于环形主体的第一侧面上的至少一个气体进口及设置在环形主体的第一表面上的多个气体分配口。所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中。所述多个均匀分布的行的第一行中的多个气体分配口被调适为以与多个均匀分布的行的第二行中的多个气体分布口的出口角不同的出口角引导气体。
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公开(公告)号：CN109075030A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027736.X
申请日：2017-04-11
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本公开内容的实施方式包括用于半导体基板制造工艺的等离子体处理腔室的原位腔室清洁效率提高工艺的方法。在一个实施方式中，用于在清洁等离子体工艺之后执行等离子体处理工艺的方法包括以下步骤：在没有设置在等离子体处理腔室上的基板的情况下，在等离子体处理腔室中执行清洁工艺；随后将包括至少含氢气体和/或含氧气体的等离子体处理气体混合物供应到等离子体处理腔室中；将RF源功率施加到处理腔室，以由等离子体处理气体混合物形成等离子体；和等离子体处理处理腔室的内表面。
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公开(公告)号：CN109075030B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201780027736.X
申请日：2017-04-11
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本公开内容的实施方式包括用于半导体基板制造工艺的等离子体处理腔室的原位腔室清洁效率提高工艺的方法。在一个实施方式中，用于在清洁等离子体工艺之后执行等离子体处理工艺的方法包括以下步骤：在没有设置在等离子体处理腔室上的基板的情况下，在等离子体处理腔室中执行清洁工艺；随后将包括至少含氢气体和/或含氧气体的等离子体处理气体混合物供应到等离子体处理腔室中；将RF源功率施加到处理腔室，以由等离子体处理气体混合物形成等离子体；和等离子体处理处理腔室的内表面。
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公开(公告)号：CN114551206A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210097874.8
申请日：2016-10-26
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/40
摘要： 本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP‑CVD、PECVD、PE‑ALD及蚀刻腔室中)腔室电弧放电的装置及涂覆方法。所述装置包括用于涂覆材料的原位沉积的环形气体分配器，及包括环形气体分配器的处理腔室。所述环形气体分配器包括环形主体，所述环形主体具有设置于环形主体的第一侧面上的至少一个气体进口及设置在环形主体的第一表面上的多个气体分配口。所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中。所述多个均匀分布的行的第一行中的多个气体分配口被调适为以与多个均匀分布的行的第二行中的多个气体分布口的出口角不同的出口角引导气体。
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公开(公告)号：CN108140588B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680033926.8
申请日：2016-08-31
申请人： 应用材料公司
摘要： 本发明的实施方式提供匹配及校准处理腔室中的处理腔室性能的方法。在一个实施方式中，用于校准用于半导体制造处理的处理腔室的方法包含以下步骤：在处理腔室中执行第一预定处理，在执行预定处理的同时收集第一组信号(第一组信号由设置在处理腔室中的第一组传感器传输至控制器)，分析所收集的第一组信号，将所收集的第一组信号与储存在控制器中的数据库比较以检查来自第一组传感器的传感器响应，当发现失配传感器响应时基于所收集的第一组信号来校准传感器，随后在处理腔室中执行第一系列处理，及在执行系列处理的同时收集第二组信号(第二组信号由传感器传输至控制器)。
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公开(公告)号：CN108292588A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680025485.7
申请日：2016-10-26
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4558 , C23C16/34 , C23C16/403 , C23C16/4404 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要： 本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP-CVD、PECVD、PE-ALD及蚀刻腔室中)腔室电弧放电的装置及涂覆方法。所述装置包括用于涂覆材料的原位沉积的环形气体分配器，及包括环形气体分配器的处理腔室。所述环形气体分配器包括环形主体，所述环形主体具有设置于环形主体的第一侧面上的至少一个气体进口及设置在环形主体的第一表面上的多个气体分配口。所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中。所述多个均匀分布的行的第一行中的多个气体分配口被调适为以与多个均匀分布的行的第二行中的多个气体分布口的出口角不同的出口角引导气体。
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