公开(公告)号：CN117616589A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048800.3

申请日：2022-05-26

申请人： 应用材料公司

发明人： 杨子浩 ,  周孟南 ,  朱明伟 ,  戴维·马萨尤基·石川 ,  奈格·帕蒂班德拉

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/12

摘要： 形成LED结构的示例性处理方法可包括经由物理气相沉积工艺在基板上沉积氮化铝层。这些方法可包括将氮化铝层加热到大于或约为1500℃的温度。这些方法可包括利用金属有机化学气相沉积或分子束外延形成上覆于氮化铝层上的紫外发光二极管结构。

公开(公告)号：CN114641591A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202080074677.3

申请日：2020-09-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 杨子浩 ,  朱明伟 ,  奈格·B·帕蒂班德拉 ,  曹勇 ,  张书锚 ,  陈哲擘 ,  陆勤 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  唐先敏

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302

摘要： 本文所述的实施方式包括用于在控制基板的弓形弯曲和材料层的表面粗糙度的同时在基板上沉积材料层的方法。调整当沉积材料层时施加至基板的偏压以控制基板的弓形弯曲。在材料层上执行轰击工艺以改善材料层的表面粗糙度。偏压和轰击工艺改善材料层的均匀性，且减少由基板的弓形弯曲造成的材料层破裂的发生。

公开(公告)号：CN113614275A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080023276.5

申请日：2020-03-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 朱明伟 ,  杨子浩 ,  奈格·B·帕蒂班德拉 ,  卢多维克·戈代 ,  曹勇 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  陈哲擘

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/00 ,  C23C14/22 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32 ,  H01L39/00

摘要： 通过以下步骤来在工件上形成包括金属氮化物层的结构：在将所述工件安置在包括金属靶的腔室中之前，通过将氮气及惰性气体以第一流率比流动到所述腔室中，及在所述腔室中点燃等离子体，来预调节所述腔室；在所述预调节步骤之后将所述腔室排气；在所述预调节步骤之后将所述工件安置在所述腔室中的工件支撑件上；及通过将氮气及所述惰性气体以第二流率比流动到所述腔室中，及在所述腔室中点燃等离子体，来在所述腔室中的所述工件上执行金属氮化物层的物理气相沉积。所述第二流率比小于所述第一流率比。

公开(公告)号：CN117616590A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048805.6

申请日：2022-06-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 法比奥·贝亚雷斯 ,  朱明伟 ,  杨子浩 ,  赵亮 ,  杰弗里·L·富兰克林 ,  浩·T·黃 ,  奈格·帕蒂班德拉

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/46 ,  H01L33/32 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L27/15

摘要： 示例性处理方法包括在基板层上形成一组LED结构，以形成图案化的LED基板。可在图案化的LED基板上沉积光吸收屏障。该方法可进一步包括将图案化的LED基板曝露于光。与基板层及光吸收屏障接触的LED结构的表面可以吸收光。该方法仍可进一步包括分离基板层的LED结构。LED结构与基板层之间的接合可因与基板层接触的LED结构的表面的光吸收而减弱。

公开(公告)号：CN113614274A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080023267.6

申请日：2020-03-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 朱明伟 ,  杨子浩 ,  奈格·B·帕蒂班德拉 ,  卢多维克·戈代 ,  曹勇 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  陈哲擘

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/56 ,  C23C14/34 ,  C23C14/00 ,  C23C14/58 ,  H01J37/32 ,  H01L39/00

摘要： 一种物理气相沉积系统包括：腔室；三个用于靶的靶支撑件；可动屏蔽物，定位为具有穿过所述可动屏蔽物的开口；工件支撑件，用来将工件固持在所述腔室中；气体供应器，用来向所述腔室输送氮气及惰性气体；电源；及控制器。所述控制器被配置为：移动所述屏蔽物以轮流将所述开口定位成与每个靶相邻，及在每个靶处，使所述电源施加足以在所述腔室中点燃等离子体的电力，以分别造成沉积缓冲层、在所述缓冲层上沉积第一材料的器件层、及沉积覆盖层，所述第一材料是在超过8°K的温度下适合用作超导体的金属氮化物。

公开(公告)号：CN113330544A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980088226.2

申请日：2019-10-30

申请人： 应用材料公司

发明人： 朱明伟 ,  杨子浩 ,  奈格·B·帕蒂班德拉 ,  丹尼尔·迪尔 ,  曹勇 ,  曾为民 ,  郑仁婧 ,  爱德华·布迪亚图 ,  S·K·古鲁萨米 ,  托德·伊根 ,  尼兰詹·R·哈斯基瓦莱

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  H01L21/66

摘要： 提供了一种用于形成具有均匀且精确的层的光学堆叠的方法和设备。用于形成光学堆叠的处理工具在封闭环境中包括第一移送腔室、机载计量单元和第二移送腔室。第一多个处理腔室耦接至第一移送腔室或第二移送腔室。机载计量单元设置在第一移送腔室和第二移送腔室之间。机载计量单元被配置为测量光学堆叠的各个层的一种或多种光学性质，而不将各层暴露于周围环境。

公开(公告)号：CN118974308A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380032484.5

申请日：2023-02-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 杨子浩 ,  朱明伟 ,  巴拉特瓦·罗摩克里希南 ,  汪荣军 ,  罗伯特·詹·维瑟 ,  奈格·B·帕蒂班德拉

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

摘要： 本文所述的实施方式涉及制造钙钛矿膜装置的方法。该方法包括对在处理系统内的基板加热与除气；使用处理腔室内的多阴极溅射沉积在基板的表面上方沉积第一钙钛矿膜层，使用处理腔室内的多阴极溅射沉积在第一钙钛矿膜层上方沉积第二钙钛矿膜层；和对具有设置在基板上的第一钙钛矿膜层与第二钙钛矿膜层的基板退火。第一钙钛矿膜层包括第一钙钛矿材料。第二钙钛矿膜层包括第二钙钛矿材料。

公开(公告)号：CN113614275B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202080023276.5

申请日：2020-03-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 朱明伟 ,  杨子浩 ,  奈格·B·帕蒂班德拉 ,  卢多维克·戈代 ,  曹勇 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  陈哲擘

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/00 ,  C23C14/22 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32 ,  H10N60/85

摘要： 通过以下步骤来在工件上形成包括金属氮化物层的结构：在将所述工件安置在包括金属靶的腔室中之前，通过将氮气及惰性气体以第一流率比流动到所述腔室中，及在所述腔室中点燃等离子体，来预调节所述腔室；在所述预调节步骤之后将所述腔室排气；在所述预调节步骤之后将所述工件安置在所述腔室中的工件支撑件上；及通过将氮气及所述惰性气体以第二流率比流动到所述腔室中，及在所述腔室中点燃等离子体，来在所述腔室中的所述工件上执行金属氮化物层的物理气相沉积。所述第二流率比小于所述第一流率比。