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公开(公告)号：CN106062921A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580008206.1
申请日：2015-02-16
申请人： 应用材料公司
发明人： 西蒙·尼古拉斯·宾斯 , 布赖恩·T·韦斯特 , 罗纳德·维恩·肖尔 , 罗杰·M·约翰逊 , 迈克尔·S·考克斯
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/203
CPC分类号： H01J37/3476 , H01J37/32935 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3479
摘要： 处理腔室包括腔室主体、一或多个监控装置，及一或多个天线，腔室主体具有设置于腔室主体上的腔室盖组件，一或多个监控装置与腔室盖组件耦接，一或多个天线邻近于与一或多个监控装置通信的腔室盖组件设置。
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公开(公告)号：CN105452522A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044214.7
申请日：2014-07-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3405 , H01J23/05 , H01J23/10 , H01J25/50 , H01J25/587 , H01J37/345 , H03B9/10 , H03C3/32 , H03C5/04
摘要： 本发明的实施方式大体提供由耐受热及水的材料封装的磁控管。所述封装的磁控管被描述于上以及所附附件中。在一个实施方式中，整个磁控管被封装。在另一个实施方式中，磁控管包含磁极片，且磁极片未被封装材料覆盖。
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公开(公告)号：CN113795608A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080031477.X
申请日：2020-03-31
申请人： 应用材料公司
发明人： 布赖恩·T·韦斯特 , 米罗斯拉夫·盖洛 , 严·罗赞松 , 罗杰·M·约翰逊 , 马克·科温顺 , 桑德拉贾·吉姆布林甘姆 , 西蒙·尼古拉斯·宾斯 , 维韦克·维尼特
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/34 , H01L21/687
摘要： 本文描述的实施方式提供了用于等离子体处理腔室的基座提升组件及其使用方法。基座提升组件具有压板，压板配置成耦合设置在等离子体处理腔室中的基座的轴。绝对线性编码器耦合到固定框架，其中绝对线性编码器配置成检测压板的增量移动。提升杆附接于压板上。移动组件耦合到固定框架并且可移动地耦合到提升杆，移动组件配置成使提升杆沿第一方向和第二方向移动，其中提升杆的移动导致压板相对于固定框架垂直行进。
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公开(公告)号：CN106062925B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580012315.0
申请日：2015-02-09
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。
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公开(公告)号：CN111508809A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010085736.9
申请日：2015-02-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J27/08 , H05H1/46 , H01L21/02 , C23C16/54 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44 , H05H1/24
摘要： 本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。
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公开(公告)号：CN105452522B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201480044214.7
申请日：2014-07-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3405 , H01J23/05 , H01J23/10 , H01J25/50 , H01J25/587 , H01J37/345 , H03B9/10 , H03C3/32 , H03C5/04
摘要： 本发明的实施方式大体提供由耐受热及水的材料封装的磁控管。在一个实施方式中，整个磁控管被封装。在另一个实施方式中，磁控管包含磁极片，且磁极片未被封装材料覆盖。
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公开(公告)号：CN113795608B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202080031477.X
申请日：2020-03-31
申请人： 应用材料公司
发明人： 布赖恩·T·韦斯特 , 米罗斯拉夫·盖洛 , 严·罗赞松 , 罗杰·M·约翰逊 , 马克·科温顺 , 桑德拉贾·吉姆布林甘姆 , 西蒙·尼古拉斯·宾斯 , 维韦克·维尼特
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/34 , H01L21/687
摘要： 本文描述的实施方式提供了用于等离子体处理腔室的基座提升组件及其使用方法。基座提升组件具有压板，压板配置成耦合设置在等离子体处理腔室中的基座的轴。绝对线性编码器耦合到固定框架，其中绝对线性编码器配置成检测压板的增量移动。提升杆附接于压板上。移动组件耦合到固定框架并且可移动地耦合到提升杆，移动组件配置成使提升杆沿第一方向和第二方向移动，其中提升杆的移动导致压板相对于固定框架垂直行进。
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公开(公告)号：CN116194250A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180065654.0
申请日：2021-09-24
申请人： 应用材料公司
发明人： 吴正勋 , 杰米•斯图尔特•莱顿 , 罗杰·M·约翰逊 , 范•H•阮
IPC分类号： B24B37/10
摘要： 公开一种用于依序施加清洁流体以用于化学机械抛光(CMP)系统的强化维护的装置及方法。一种方法包括将第一基板传送至多个抛光站中的第一抛光站，在第一抛光站处抛光第一基板，将第一基板传送至第二抛光站，及将第二基板传送至第一抛光站。该方法包括通过自多个喷嘴中的第一一个或多个喷嘴施配第一清洁流体以将第一清洁流体导向至第一表面，以及自第一一个或多个喷嘴施配第二清洁流体以将第二清洁流体导向至第一表面上来清洁抛光系统的多个表面中的第一表面，其中第二清洁流体与第一清洁流体不同。
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公开(公告)号：CN111508809B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010085736.9
申请日：2015-02-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J27/08 , H05H1/46 , H01L21/02 , C23C16/54 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44 , H05H1/24
摘要： 本公开内容涉及霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统。本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。
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