公开(公告)号：CN116195045A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180064405.X

申请日：2021-08-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿部忍 ,  申昌憙 ,  栗田真一 ,  小若雅彦

IPC分类号： H01L21/687

摘要： 公开了一种组装的网格托盘，包括框架，所述框架用于保持多个基板托盘以形成用于半导体处理工具中的更大的托盘。所述框架可包括两个外框架构件，所述两个外框架构件保持一个或多个托盘，每个外框架构件都具有与磁悬浮系统一起使用的磁轨。所述框架可进一步包括定位在所述外框架构件之间的内框架构件，所述内框架构件也可包括磁轨，其中这些框架构件由一个或多个外梁构件保持在适当位置。这些框架构件可由热膨胀与放置在所述框架中的托盘类似的材料制成。

公开(公告)号：CN109690728A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780055121.8

申请日：2017-07-31

申请人： 应用材料公司

发明人： 盛殊然 ,  阿部忍 ,  桑原庆太 ,  崔苏河

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32715 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32577

摘要： 本文公开的实施方式总体涉及用于改变在等离子体处理腔室中沉积的薄膜的均匀性图案的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括至少一个VHF功率发生器，所述至少一个VHF功率发生器耦接到所述等离子体处理腔室内的扩散器。每个VHF功率发生器的馈送位置偏移以及经由相位调制和扫描而对每个VHF功率发生器进行的控制通过补偿因驻波效应引起的由所述腔室产生的薄膜图案的不均匀性来允许等离子体均匀性改善。可以通过对施加在不同的耦接点处的VHF功率之间的动态相位调制而产生耦接到背板上的不同位置和/或设置在所述背板上的不同位置处的所述多个VHF功率发生器之间的功率分配。

公开(公告)号：CN115335977A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202080098832.5

申请日：2020-03-26

申请人： 应用材料公司

发明人： 栗田真一 ,  阿部忍 ,  申昌憙 ,  小若雅彦 ,  蔡容基

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/673

摘要： 提供用于基板处理系统的传送机器人的方法和设备，基板处理系统包括耦接到多个处理腔室的传送腔室。传送腔室包含：传送机器人，传送机器人包含基底，基底耦接至支撑杆；以及托盘盒，托盘盒固定至基底，其中托盘盒包含第一托盘载体与第二托盘载体，第一托盘载体用于固持第一托盘并将第一托盘从托盘盒传送至多个处理腔室中的一个处理腔室中的基座，第二托盘载体堆叠在第一托盘载体上，第二托盘载体用于固持第二托盘，其中第一托盘载体与第二托盘载体中的每一个包含多个摩擦减小装置。

公开(公告)号：CN116783695A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202180090121.8

申请日：2021-01-12

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿部忍 ,  陈裕超

IPC分类号： H01L21/687

摘要： 一种基板载体，包括：载体底座；基板接收区域，在载体底座中；及夹持机构，设置在载体底座上且与基板接收区域的第一侧相邻。夹持机构包括可通过插入到基板接收区域中的基板而压缩的材料，以对基板施加大致水平的力。大致水平的力用以将基板压抵在基板接收区域的与基板接收区域的第一侧相对的第二侧上，以将基板固定到基板载体。

公开(公告)号：CN110168749A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201780082518.6

申请日：2017-11-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 金庆泰 ,  周素镐 ,  北村典彦 ,  阿部忍 ,  盛殊然

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 在一个实施方式中，提供了腔室，所述腔室包括：腔室主体和盖，所述腔室主体和所述盖限定内部容积；框架，所述框架在所述内部容积内，所述框架被设定尺寸以接收在第一取向上的多个衬底；以及旋转驱动组件，所述旋转驱动组件耦接到所述框架以用于旋转所述框架并将所述多个衬底中的每个衬底翻转到与所述第一取向不同的第二取向。

公开(公告)号：CN109690728B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201780055121.8

申请日：2017-07-31

申请人： 应用材料公司

发明人： 盛殊然 ,  阿部忍 ,  桑原庆太 ,  崔苏河

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本文公开的实施方式总体涉及用于改变在等离子体处理腔室中沉积的薄膜的均匀性图案的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括至少一个VHF功率发生器，所述至少一个VHF功率发生器耦接到所述等离子体处理腔室内的扩散器。每个VHF功率发生器的馈送位置偏移以及经由相位调制和扫描而对每个VHF功率发生器进行的控制通过补偿因驻波效应引起的由所述腔室产生的薄膜图案的不均匀性来允许等离子体均匀性改善。可以通过对施加在不同的耦接点处的VHF功率之间的动态相位调制而产生耦接到背板上的不同位置和/或设置在所述背板上的不同位置处的所述多个VHF功率发生器之间的功率分配。

公开(公告)号：CN104704141B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201380051375.4

申请日：2013-09-16

申请人： 应用材料公司

发明人： 大桥贤吾 ,  桥本孝男 ,  阿部忍

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/04

摘要： 本发明一般提供一种具有遮覆框支撑件的处理腔室，遮覆框支撑件导引清洁气体流至腔室的角落。遮覆框支撑件沿着部分的腔室壁设置，因此遗留角落成空着的状态。在清洁期间，遮覆框以置于基板支撑件与遮覆框支撑件上的方式设置。因此，沿着腔室壁流动的清洁气体由遮覆框支撑件阻挡，且由于遮覆框支撑件没有延伸到角落，清洁气体被迫使到角落。

公开(公告)号：CN104704141A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380051375.4

申请日：2013-09-16

申请人： 应用材料公司

发明人： 大桥贤吾 ,  桥本孝男 ,  阿部忍

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/04

摘要： 本发明一般提供一种具有遮覆框支撑件的处理腔室，遮覆框支撑件导引清洁气体流至腔室的角落。遮覆框支撑件沿着部分的腔室壁设置，因此遗留角落成空着的状态。在清洁期间，遮覆框以置于基板支撑件与遮覆框支撑件上的方式设置。因此，沿着腔室壁流动的清洁气体由遮覆框支撑件阻挡，且由于遮覆框支撑件没有延伸到角落，清洁气体被迫使到角落。