公开(公告)号：CN112074938A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201980029240.5

申请日：2019-04-03

申请人： 应用材料公司

发明人： 张宇星 ,  S·巴录佳 ,  A·K·班塞尔 ,  T·A·恩古耶 ,  T·乌拉维 ,  G·克里希纳

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

摘要： 兹公开一种气体分配装置。该装置包括面板及阻隔板。调节机构耦合至阻隔板，且可操作以相对于面板定位阻隔板，以便修改所穿过的气体流动的流动轮廓。亦公开一种使用气体分配处理基板的方法。

公开(公告)号：CN110071057A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910064123.4

申请日：2019-01-23

申请人： 应用材料公司

发明人： 张宇星 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  K·高希 ,  S·巴录佳 ,  D·黄

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C16/455

摘要： 本文的实施方式涉及用于处理腔室中的气体分配的设备。更具体地，本公开内容的方面涉及一种陶瓷面板。所述面板一般具有陶瓷主体。在所述面板主体的上表面中形成凹槽。多个孔隙穿过面板在所述凹槽中形成。在所述凹槽中可选地设置加热器以加热所述面板。

公开(公告)号：CN107460451A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710307714.0

申请日：2017-05-04

申请人： 应用材料公司

发明人： S·H·金 ,  张宇星 ,  M·嘉德瑞 ,  S·巴录佳

IPC分类号： C23C16/46 ,  C23C14/50

CPC分类号： H05B1/0233 ,  H05B3/24 ,  C23C16/46 ,  C23C14/50

摘要： 本发明涉及自居中底座加热器。本发明提供了一种底座，所述底座包括：主体；加热器，嵌入在主体中；支撑凹槽，在主体内形成，具有安置在第一平面中的表面；周边表面，安置在第二平面中，包围支撑凹槽；以及多个定心凸片，定位在支撑凹槽与周边表面之间，每个定心凸片具有安置在第三平面中的表面，第三平面在第一平面和第二平面两者之间。

公开(公告)号：CN117295845A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280034142.2

申请日：2022-03-09

申请人： 应用材料公司

发明人： 张宇星 ,  T·A·恩古耶 ,  A·K·班塞尔 ,  N·帕塔克 ,  S·拉斯 ,  T·鲁比奥 ,  U·S·科塔基 ,  B·N·拉马穆尔蒂 ,  D·R·斯里车南姆

IPC分类号： C23C16/44

摘要： 本公开内容涉及用于基板处理腔室的清洁组件、清洁组件的部件以及与清洁组件相关联的方法。在一个示例中，用于基板处理腔室的清洁组件包括分配环。分配环包括具有入口和出口的主体。出口经由基板处理腔室的侧壁流体耦接至基板处理腔室的内部容积。清洁组件包含清洁导管，所述清洁导管配置成将气体歧管流体耦接至分配环，以用于将清洁流体的第一部分从气体歧管转向分配环。

公开(公告)号：CN117203749A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280030924.9

申请日：2022-03-18

申请人： 应用材料公司

发明人： S·拉斯 ,  T·A·恩古耶 ,  A·班塞尔 ,  张宇星 ,  B·N·拉马穆尔蒂 ,  N·帕塔克 ,  A·A·哈贾 ,  S·M·博贝克

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 示例性半导体处理系统可包括限定至少一个等离子体出口的输出歧管。系统可包括设置在输出歧管下方的气箱。气箱可包括面向输出歧管的入口侧和与入口侧相对的出口侧。气箱可包括限定中心流体管腔的内壁。内壁可从入口侧到出口侧向外逐渐变细。系统可包括设置在气箱下方的环形间隔件。环形间隔件的内径可大于中心流体管腔的最大内径。系统可包括设置在环形间隔件下方的面板。面板可限定延伸穿过面板厚度的多个孔。

公开(公告)号：CN114174554A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080054583.X

申请日：2020-07-23

申请人： 应用材料公司

发明人： N·帕塔克 ,  张宇星 ,  T·A·恩古耶 ,  K·高希 ,  A·班塞尔 ,  J·C·罗查

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32

摘要： 处理腔室可以包括气体分配构件、基板支撑件、以及泵送衬垫。气体分配构件与基板支撑件可以至少部分定义处理容积。泵送衬垫可以定义经由围绕处理容积周向设置的泵送衬垫的多个孔隙而与处理容积流体连通的内部容积。处理腔室可以进一步包括流量控制机构，流量控制机构可操作以在从气体分配构件进入处理容积的流体分配期间经由泵送衬垫的多个孔隙的子集将流体流从泵送衬垫的内部容积引导进入处理容积。

公开(公告)号：CN114174554B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202080054583.X

申请日：2020-07-23

申请人： 应用材料公司

发明人： N·帕塔克 ,  张宇星 ,  T·A·恩古耶 ,  K·高希 ,  A·班塞尔 ,  J·C·罗查

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32

摘要： 处理腔室可以包括气体分配构件、基板支撑件、以及泵送衬垫。气体分配构件与基板支撑件可以至少部分定义处理容积。泵送衬垫可以定义经由围绕处理容积周向设置的泵送衬垫的多个孔隙而与处理容积流体连通的内部容积。处理腔室可以进一步包括流量控制机构，流量控制机构可操作以在从气体分配构件进入处理容积的流体分配期间经由泵送衬垫的多个孔隙的子集将流体流从泵送衬垫的内部容积引导进入处理容积。

公开(公告)号：CN107460451B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201710307714.0

申请日：2017-05-04

申请人： 应用材料公司

发明人： S·H·金 ,  张宇星 ,  M·嘉德瑞 ,  S·巴录佳

IPC分类号： C23C16/46 ,  C23C14/50

摘要： 本发明涉及自居中底座加热器。本发明提供了一种底座，所述底座包括：主体；加热器，嵌入在主体中；支撑凹槽，在主体内形成，具有安置在第一平面中的表面；周边表面，安置在第二平面中，包围支撑凹槽；以及多个定心凸片，定位在支撑凹槽与周边表面之间，每个定心凸片具有安置在第三平面中的表面，第三平面在第一平面和第二平面两者之间。

公开(公告)号：CN112714948A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201980060100.4

申请日：2019-08-20

申请人： 应用材料公司

发明人： P·达舍 ,  蒋志钧 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  Q·马 ,  K·高希 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  张宇星 ,  D·黄 ,  S·贾法里

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 本文中讨论了用于工艺腔室的系统和方法，所述系统和方法降低了由于松动的积垢而导致的基板缺陷的严重性和发生。气体分配组件设置在工艺腔室中，并包括面板和第二构件，面板具有穿过面板形成的多个孔。面板耦接至第二构件，第二构件被配置成耦接至面板以减小面板的暴露面积并使在向工艺腔室中释放气体期间用于材料积聚的可用面积最小化。第二构件被进一步配置成改善前驱物到工艺腔室中的辉光。气体分配组件可在工艺腔室操作之前和期间被加热，并且可在工艺腔室操作之间保持加热。

公开(公告)号：CN110808201A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201910717559.9

申请日：2019-08-05

申请人： 应用材料公司

发明人： D·黄 ,  张宇星 ,  K·高希 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  A·K·班塞尔

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 公开了一种用于处理腔室的面板。所述面板具有主体，所述主体具有多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成。挠曲件形成在所述主体中，部分地包围所述多个孔隙。切口在与所述挠曲件的公共半径上穿过所述主体形成。一个或多个孔口从所述切口的径向内表面延伸到所述主体的外表面。加热器设置在所述挠曲件与所述多个孔隙之间。所述挠曲件和所述切口是限制来自所述加热器的热传递从其经过的热扼流器。