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公开(公告)号：CN116462702A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310441035.8
申请日：2023-04-19
申请人： 新疆晶硕新材料有限公司 , 新特能源股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种苯基三氯硅烷的制备方法及制备系统，该制备方法，包括以下步骤：以三氯氢硅和氯苯为原料，在催化剂氯仿的催化下，加热反应生成苯基三氯硅烷，制备得到产物。本发明中的苯基三氯硅烷的制备方法，以三氯氢硅和氯苯为原料，在催化剂氯仿的催化下，反应生成苯基三氯硅烷产品，实现了三氯氢硅单耗小于1，得到的产物中苯基三氯硅烷产品含量≥99.5mas％，苯基三氯硅烷产品收率在85％左右，适于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN109019682B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810947672.1
申请日：2018-08-20
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新疆晶硕新材料有限公司
IPC分类号： C01G25/00
摘要： 本发明公开了一种氧氯化锆及其制备方法，该方法包括以下步骤：1)将由氯化法制备的粗四氯化锆在氢气气氛下加热，粗四氯化锆中的氯化铁与氢气反应生成氯化亚铁；2)在第一预设温度下加热，使得粗四氯化锆中低于四氯化锆的沸点的杂质气化；3)在第二预设温度下加热，使得粗四氯化锆中的四氯化锆升华，将升华的四氯化锆水解，生成氧氯化锆。本发明中的氧氯化锆的制备方法，可以有效的去除杂质，将粗四氯化锆中的氯化铁还原成氯化亚铁，可以防止四氯化锆升华时混入氯化铁杂质，进而生产出高纯度的氧氯化锆产品，氧氯化锆的纯度不低于95mas％。
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公开(公告)号：CN109019684A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811173417.2
申请日：2018-10-09
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新疆晶硕新材料有限公司
IPC分类号： C01G25/04 , C01G25/00 , C01B33/107 , C01B33/12 , C01B7/03 , C01B11/06 , C01D3/04 , C01B32/40
CPC分类号： C01G25/04 , C01B7/035 , C01B11/062 , C01B32/40 , C01B33/10721 , C01B33/10778 , C01B33/12 , C01D3/04 , C01G25/00 , C01P2006/80
摘要： 本发明公开了一种四氯化锆合成气的分离方法，四氯化锆合成气由氯化法制备四氯化锆得到，包括以下步骤：1)将四氯化锆合成气降温至150～180℃，析出第一粗四氯化锆，得到第一合成气；2)将第一合成气降温至80～120℃，析出第二粗四氯化锆，得到第二合成气。本发明中的四氯化锆合成气的分离方法及装置，该方法通过分步降温分别冷却析出第一粗四氯化锆、第二粗四氯化锆，第一粗四氯化锆、第二粗四氯化锆均可作为粗产品使用，降温析出第一粗四氯化锆所用的温度更低，且析出了四氯化锆合成气中的大部分四氯化锆，大大节约了冷量，降低了四氯化锆合成气的分离成本。
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公开(公告)号：CN109019684B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201811173417.2
申请日：2018-10-09
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新疆晶硕新材料有限公司
IPC分类号： C01G25/04 , C01G25/00 , C01B33/107 , C01B33/12 , C01B7/03 , C01B11/06 , C01D3/04 , C01B32/40
摘要： 本发明公开了一种四氯化锆合成气的分离方法，四氯化锆合成气由氯化法制备四氯化锆得到，包括以下步骤：1)将四氯化锆合成气降温至150～180℃，析出第一粗四氯化锆，得到第一合成气；2)将第一合成气降温至80～120℃，析出第二粗四氯化锆，得到第二合成气。本发明中的四氯化锆合成气的分离方法及装置，该方法通过分步降温分别冷却析出第一粗四氯化锆、第二粗四氯化锆，第一粗四氯化锆、第二粗四氯化锆均可作为粗产品使用，降温析出第一粗四氯化锆所用的温度更低，且析出了四氯化锆合成气中的大部分四氯化锆，大大节约了冷量，降低了四氯化锆合成气的分离成本。
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公开(公告)号：CN113877295A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111281611.4
申请日：2021-11-01
申请人： 新疆晶硕新材料有限公司 , 新特能源股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种过滤装置，包括：壳体，壳体上设有腔室；隔板将腔室隔离为上腔室与下腔室，隔板上设有多个安装孔，滤板设置于安装孔中，滤板的下端与连接座的上端连接，连接座的中部设有凸台；滤板处于第一位置时，滤板的下端位于下腔室中，连接座的下端止抵下腔室的底内侧壁，滤板的上端置于安装孔中，滤板与安装孔的内侧壁之间密封；滤板处于第二位置时，滤板位于上腔室中，连接座的上端置于安装孔中，凸台止抵隔板的下侧面且凸台与隔板的下侧面之间密封。本过滤装置更换滤板的效率较高，在清理滤板的过程中可以继续过滤，提高过滤效率。
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公开(公告)号：CN109205669A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811375200.X
申请日：2018-11-19
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新疆晶硕新材料有限公司
IPC分类号： C01G25/04 , C01B33/107
摘要： 本发明公开了一种四氯化锆及四氟化硅的联合制备方法，该方法包括以下步骤：将锆英砂与干燥剂混合，向锆英砂与干燥剂的混合物中通入氟化氢，加热，锆英砂中的二氧化硅与氟化氢反应生成四氟化硅气体，得到提纯的锆英砂和干燥剂的混合物以及气相物，气相物包括四氟化硅；将提纯的锆英砂和干燥剂的混合物进行分离提纯，得到提纯的锆英砂；将提纯的锆英砂与氯气、反应原料活性炭反应，生成四氯化锆。上述制备方法利用锆英砂中的二氧化硅组分与氟化氢气体实现锆英砂的提纯，制备出了四氯化锆，同时副产四氟化硅，实现锆、硅元素的充分利用，提纯后的锆英砂中氧化锆纯度大大提升，杂质含量降低，提高了后续的氯化反应效率，降低了四氯化锆的分离难度。
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公开(公告)号：CN109019682A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810947672.1
申请日：2018-08-20
申请人： 新特能源股份有限公司 , 新疆晶硕新材料有限公司
IPC分类号： C01G25/00
摘要： 本发明公开了一种氧氯化锆及其制备方法，该方法包括以下步骤：1)将由氯化法制备的粗四氯化锆在氢气气氛下加热，粗四氯化锆中的氯化铁与氢气反应生成氯化亚铁；2)在第一预设温度下加热，使得粗四氯化锆中低于四氯化锆的沸点的杂质气化；3)在第二预设温度下加热，使得粗四氯化锆中的四氯化锆升华，将升华的四氯化锆水解，生成氧氯化锆。本发明中的氧氯化锆的制备方法，可以有效的去除杂质，将粗四氯化锆中的氯化铁还原成氯化亚铁，可以防止四氯化锆升华时混入氯化铁杂质，进而生产出高纯度的氧氯化锆产品，氧氯化锆的纯度不低于95mas％。
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公开(公告)号：CN218840012U
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202320005436.4
申请日：2023-01-03
申请人： 新疆晶硕新材料有限公司 , 新特能源股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种包装系统，包括：真空包装机与真空装置，真空包装机具有包装腔，包装腔与真空装置连通；供袋机邻近真空包装机设置；搬运机构邻近供袋机与真空包装机设置，搬运机构用于搬运供袋机上的包装袋至真空包装机；第一传输带的一端邻近搬运机构设置，搬运机构用于搬运真空包装机中填充有物料的包装袋至第一传输带；封口机邻近第一传输带的一端设置，封口机用于为填充有物料的包装袋封口；封口机、复检称与第一整形机沿第一传输带的长度方向间隔设置，复检称设置于封口机与第一整形机之间。包装系统可应用于气相二氧化硅的包装工艺，在包装腔中填充气相二氧化硅，减少粉尘，减少粉尘对人员的伤害，降低工作强度，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN106554017A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510627167.5
申请日：2015-09-28
申请人： 新特能源股份有限公司
IPC分类号： C01B33/035
摘要： 本发明公开了一种提升生产多晶硅内在品质的方法，包括以下步骤：多晶硅生产过程中，当生产多晶硅所用的原料氢气的品质优于原料三氯氢硅时，增大氢气︰三氯氢硅的摩尔配比，则提升生产多晶硅内在品质；当生产多晶硅所用的原料三氯氢硅的品质优于原料氢气时，减少氢气︰三氯氢硅的摩尔配比，则提升生产多晶硅内在品质。通过本发明的提升生产多晶硅内在品质的方法，在原料氢气和原料三氯氢硅中杂质含量已定的前提下，通过品质较优的原料比例增加可以稀释品质略差的原料中的杂质浓度，降低气相沉积过程中的杂质和多晶硅棒表面碰撞的几率，从而减少杂质沉积。降低了化学还原气相沉积(CVD)多晶硅中的杂质沉积，提升了生产多晶硅内在品质。
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公开(公告)号：CN103588170B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310569193.8
申请日：2013-11-15
申请人： 新特能源股份有限公司
IPC分类号： C01B3/50 , C01B33/021
摘要： 本发明涉及气体分离净化工程领域，在电子级多晶硅生产中对回收氢气的净化，采用活性炭吸附，但氢气中的BCl3、硼烷、磷烷、PCl5、POCl3等杂质含量无法有效降低，影响了电子级多晶硅的生产，本发明提供的净化方案包括将回收氢气预冷，再冷，使氢气温度降到0℃以下，然后进入改性氧化铝吸附器进行吸附杂质，再经过滤器过过滤，使氢气纯度达到99.999%（V/V），达到生产电子级多晶硅的需要，本发明还具有工艺简单，易于操作，净化效果明显等有益效果。
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