公开(公告)号：CN103354955B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180066899.1

申请日：2011-12-27

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 姥原伸公 ,  出口宏一郎 ,  山田孝夫

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L33/405 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在使用大型粘贴半导体发光元件的半导体发光元件中，使光取出效率提高的技术。本发明的半导体发光装置（90）包含：半导体发光元件（1），其具有依次层积有p型半导体层（43）、活性层（42）以及n型半导体层（41）的半导体层积体（40）和接合于所述半导体层积体（40）的所述p型半导体层（43）侧的导电性支承基板（10）；透光性密封树脂（92），其覆盖所述半导体层积体（40）；荧光体粒子（93），其被包含在所述透光性密封树脂（92）中，其中，所述半导体层积体（40）通过贯通所述p型半导体层（43）、所述活性层（42）以及所述n型半导体层（41）的槽（2）而被分割成至少两个半导体块（45a～45d），所述槽（2）的宽度（W）比所述荧光体粒子（93）的平均粒径小。

公开(公告)号：CN103354955A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201180066899.1

申请日：2011-12-27

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 姥原伸公 ,  出口宏一郎 ,  山田孝夫

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L33/405 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在使用大型粘贴半导体发光元件的半导体发光元件中，使光取出效率提高的技术。本发明的半导体发光装置（90）包含：半导体发光元件（1），其具有依次层积有p型半导体层（43）、活性层（42）以及n型半导体层（41）的半导体层积体（40）和接合于所述半导体层积体（40）的所述p型半导体层（43）侧的导电性支承基板（10）；透光性密封树脂（92），其覆盖所述半导体层积体（40）；荧光体粒子（93），其被包含在所述透光性密封树脂（92）中，其中，所述半导体层积体（40）通过贯通所述p型半导体层（43）、所述活性层（42）以及所述n型半导体层（41）的槽（2）而被分割成至少两个半导体块（45a～45d），所述槽（2）的宽度（W）比所述荧光体粒子（93）的平均粒径小。