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公开(公告)号：CN103354955A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201180066899.1
申请日：2011-12-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/405 , H01L33/50 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在使用大型粘贴半导体发光元件的半导体发光元件中，使光取出效率提高的技术。本发明的半导体发光装置（90）包含：半导体发光元件（1），其具有依次层积有p型半导体层（43）、活性层（42）以及n型半导体层（41）的半导体层积体（40）和接合于所述半导体层积体（40）的所述p型半导体层（43）侧的导电性支承基板（10）；透光性密封树脂（92），其覆盖所述半导体层积体（40）；荧光体粒子（93），其被包含在所述透光性密封树脂（92）中，其中，所述半导体层积体（40）通过贯通所述p型半导体层（43）、所述活性层（42）以及所述n型半导体层（41）的槽（2）而被分割成至少两个半导体块（45a～45d），所述槽（2）的宽度（W）比所述荧光体粒子（93）的平均粒径小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102760814A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210125497.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/03 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2224/0345 , H01L2224/03472 , H01L2224/0401 , H01L2224/05564 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/06102 , H01L2224/11462 , H01L2224/13007 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供具有厚膜的金属凸块且可靠性高的倒装片式安装型的氮化物半导体发光元件和提高了生产率的其制造方法。氮化物半导体发光元件(1)中，在氮化物半导体发光元件结构(10)的n侧电极连接面(10a)上和p侧电极连接面(10b)上将具有开口部(30a、30b)的第1抗蚀图形(30)作为掩蔽而除去保护层(20)后，不除去第1抗蚀图形(30)而形成成为n侧电极(21)、p侧电极(22)的第1金属层(25)。接着，不除去第1抗蚀图形(30)而在开口部(30a、30b)上形成具有开口部(31a、31b)的第2抗蚀图形(31)，通过将第1金属层(25)作为电极的电镀而形成成为金属凸块(23、24)的第2金属层(26a、26b)。其后，除去第2抗蚀图形(31)和第2抗蚀图形(32)。
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公开(公告)号：CN1866560A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082714.7
申请日：2006-05-18
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L23/482
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有导电性氧化物膜的高可靠性氮化物半导体元件。是一种具有氮化物半导体层的氮化物半导体元件，其中在氮化物半导体层上依次具有导电性氧化物膜、焊盘电极，而且，焊盘电极具有相接于导电性氧化物膜的包括第一金属的接合层和包括第二金属的焊盘层。
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公开(公告)号：CN102760814B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210125497.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/03 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2224/0345 , H01L2224/03472 , H01L2224/0401 , H01L2224/05564 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/06102 , H01L2224/11462 , H01L2224/13007 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供具有厚膜的金属凸块且可靠性高的倒装片式安装型的氮化物半导体发光元件和提高了生产率的其制造方法。氮化物半导体发光元件(1)中，在氮化物半导体发光元件结构(10b)上将具有开口部(30a、30b)的第1抗蚀图形(30)作为掩蔽而除去保护层(20)后，不除去第1抗蚀图形(30)而形成成为n侧电极(21)、p侧电极(22)的第1金属层(25)。接着，不除去第1抗蚀图形(30)而在开口部(30a、30b)上形成具有开口部(31a、31b)的第2抗蚀图形(31)，通过将第1金属层(25)作为电极的电镀而形成成为金属凸块(23、24)的第2金属层(26a、26b)。其后，除去第2抗蚀图形(31)和第2抗蚀图形(32)。(10)的n侧电极连接面(10a)上和p侧电极连接面
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公开(公告)号：CN103354955B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180066899.1
申请日：2011-12-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/405 , H01L33/50 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在使用大型粘贴半导体发光元件的半导体发光元件中，使光取出效率提高的技术。本发明的半导体发光装置（90）包含：半导体发光元件（1），其具有依次层积有p型半导体层（43）、活性层（42）以及n型半导体层（41）的半导体层积体（40）和接合于所述半导体层积体（40）的所述p型半导体层（43）侧的导电性支承基板（10）；透光性密封树脂（92），其覆盖所述半导体层积体（40）；荧光体粒子（93），其被包含在所述透光性密封树脂（92）中，其中，所述半导体层积体（40）通过贯通所述p型半导体层（43）、所述活性层（42）以及所述n型半导体层（41）的槽（2）而被分割成至少两个半导体块（45a～45d），所述槽（2）的宽度（W）比所述荧光体粒子（93）的平均粒径小。
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公开(公告)号：CN100555683C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610082714.7
申请日：2006-05-18
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L23/482
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有导电性氧化物膜的高可靠性氮化物半导体元件。是一种具有氮化物半导体层的氮化物半导体元件，其中在氮化物半导体层上依次具有导电性氧化物膜、焊盘电极，而且，焊盘电极具有相接于导电性氧化物膜的包括第一金属的接合层和包括第二金属的焊盘层。
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