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公开(公告)号：CN103354955B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180066899.1
申请日：2011-12-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/405 , H01L33/50 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在使用大型粘贴半导体发光元件的半导体发光元件中，使光取出效率提高的技术。本发明的半导体发光装置（90）包含：半导体发光元件（1），其具有依次层积有p型半导体层（43）、活性层（42）以及n型半导体层（41）的半导体层积体（40）和接合于所述半导体层积体（40）的所述p型半导体层（43）侧的导电性支承基板（10）；透光性密封树脂（92），其覆盖所述半导体层积体（40）；荧光体粒子（93），其被包含在所述透光性密封树脂（92）中，其中，所述半导体层积体（40）通过贯通所述p型半导体层（43）、所述活性层（42）以及所述n型半导体层（41）的槽（2）而被分割成至少两个半导体块（45a～45d），所述槽（2）的宽度（W）比所述荧光体粒子（93）的平均粒径小。
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公开(公告)号：CN1845346A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200510128773.9
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件的制造方法，该半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其中，所述制造方法包括下列步骤：形成所述半导体叠层结构的步骤；第二电极材料形成步骤，用于在所述p型半导体层上形成包含从铬、镍、金、钛、铂构成的一组材料中选出的至少两种材料的电极材料；以及热处理退火步骤，通过对所述第二电极材料和所述半导体叠层结构进行热处理，降低第二电极的接触电阻。
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公开(公告)号：CN1240142C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN03145867.X
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化镓系化合物半导体发光器件，在绝缘衬底上至少依次层叠的n型氮化镓系化合物半导体层和p型氮化镓系化合物半导体层，所述p型氮化镓系化合物半导体层的侧面为发光观察面，其特征在于：在所述p型氮化镓系化合物半导体层的整个表面上形成有透光的第一电极，同时在所述第一电极上形成有贯通该第一电极的一部分的切口状窗口；在所述窗口上形成有与第一电极电连接的焊接用第二电极，以及所述第二电极与p型氮化镓系化合物半导体层粘结得比第一电极牢固。
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公开(公告)号：CN103682038B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201310381486.3
申请日：2013-08-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L2224/16 , H01L2933/0066
Abstract: 提供一种将发光元件倒装式安装于支撑体的发光装置的制造方法，能够实现具有高的光提取效率和高的可靠性双方的发光装置。准备构造体（7），该构造体（7）具有：基板（1）、形成在基板（1）上的半导体层（5）、形成在半导体层（5）上的p侧电极（6a）以及n侧电极（6b）；准备在同一面上具有p侧布线（11a）以及n侧布线（11b）的支撑体（20）；使用包含导电性粒子（21）以及第一树脂（22）的各向异性导电材料（23）将构造体（7）的p侧电极（6a）以及n侧电极（6b）和支撑体（20）的p侧布线（11a）以及n侧布线（11b）分别电连接，之后，从构造体（7）去除基板（1）后，形成发光元件（9’）。
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公开(公告)号：CN1897317A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610100207.1
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；和形成在所述衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构；其中，所述p型半导体层设置在所述n型半导体层上，且平面为矩形形状；所述p型半导体层的平面矩形的对角线上的角部、存在露出所述n型半导体层的n型半导体的露出部分；在所述n型半导体层的露出部分中设置有第一电极，以及在所述p型半导体层中设置有透光性的第二电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1240143C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN03145869.6
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，其特征在于包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；以及形成在所述p型半导体层上的第二电极；其中，所述第二电极具有从由铬、镍、金、钛、铂构成的一组中选出的至少二种材料的金属材料。
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公开(公告)号：CN1484327A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03145870.X
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/324
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面上、形成第一电极的n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和形成第二电极的p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其特征在于：对所述第二电极在形成金属层之后进行热处理，以改善透光性和欧姆性能。
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公开(公告)号：CN101772846A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880101844.8
申请日：2008-07-31
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/301 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/0201 , B82Y20/00 , H01L33/0095 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，使蓝宝石晶片形成芯片时，能够以极高的成品率正确地形成芯片。该半导体发光元件的制造方法是从具有定位面的蓝宝石基板上叠层了氮化镓类化合物半导体的晶片制造半导体发光元件的方法，其具有如下的工序：在平行所述定位面的方向(Xo)具有偏移角(θ)的蓝宝石基板的第1主面上叠层半导体层，在所述半导体层侧，形成第1切断槽，所述第1切断槽在大致垂直所述方向(Xo)的方向(Y)上延伸，在所述蓝宝石基板的内部，平行所述第1切断槽，并且对应偏移角(θ)的倾斜度，从第1切断槽内的分割预定线向±Xo方向移动规定距离，从而形成第2切断线，沿着所述第1以及/或者第2切断线分割晶片。
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公开(公告)号：CN100459189C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200480034097.2
申请日：2004-11-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明涉及半导体元件及其制造方法，该半导体元件具有：具有相对置的一对主面的基板(11)；层叠在基板(11)的一方主面上的第一传导型半导体层；层叠在第一传导型半导体层上的第二传导型半导体层；形成于第一传导型半导体层与第二传导型半导体层之间的活性层(14)；以及形成于第二传导型半导体层上，反射从活性层(14)朝向第二传导型半导体层的光的反射层(16)。该氮化物半导体发光元件将上述基板11的另一方的主面作为主光取出面可以安装在布线基板上。再者，在反射层(16)与第二传导型半导体层之间形成有透光性导电层(17)，在透光性导电层(17)与反射层(16)的界面形成有凹凸面(22)。
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公开(公告)号：CN100397670C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610100207.1
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；和形成在所述衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；其中，所述p型半导体层设置在所述n型半导体层上，且平面为矩形形状；所述p型半导体层的平面矩形的对角线上的角部、存在露出所述n型半导体层的n型半导体的露出部分；在所述n型半导体层的露出部分中设置有第一电极，以及在所述p型半导体层中设置有透光性的第二电极。
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