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公开(公告)号：CN106067500A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610708521.1
申请日：2011-08-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , Y10T428/24 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可构成光提取效率优异的氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光元件用的蓝宝石基板。该蓝宝石基板是在一主面包含多个凸部，在该一主面成长氮化物半导体而形成氮化物半导体发光元件，且将多个凸部以如下方式配置：在包含多个凸部的底面的平面内在任意位置向任意方向画直线时，该直线通过至少任一凸部内。
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公开(公告)号：CN103069541B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180038776.7
申请日：2011-08-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , Y10T428/24 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可构成光提取效率优异的氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光元件用的蓝宝石基板。该蓝宝石基板是在一主面包含多个凸部，在该一主面成长氮化物半导体而形成氮化物半导体发光元件，且将多个凸部以如下方式配置：在包含多个凸部的底面的平面内在任意位置向任意方向画直线时，该直线通过至少任一凸部内。
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公开(公告)号：CN106067502A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610711173.3
申请日：2011-08-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , Y10T428/24 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可构成光提取效率优异的氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光元件用的蓝宝石基板。该蓝宝石基板是在一主面包含多个凸部，在该一主面成长氮化物半导体而形成氮化物半导体发光元件，且将多个凸部以如下方式配置：在包含多个凸部的底面的平面内在任意位置向任意方向画直线时，该直线通过至少任一凸部内。
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公开(公告)号：CN106067501A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610709257.3
申请日：2011-08-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , Y10T428/24 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可构成光提取效率优异的氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光元件用的蓝宝石基板。该蓝宝石基板是在一主面包含多个凸部，在该一主面成长氮化物半导体而形成氮化物半导体发光元件，且将多个凸部以如下方式配置：在包含多个凸部的底面的平面内在任意位置向任意方向画直线时，该直线通过至少任一凸部内。
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公开(公告)号：CN101237013A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810000273.0
申请日：2008-01-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其对设在发光构造外的电极使用透光性电极，以实现元件的低电阻化、高输出化、电能高效化、高量产性低成本化的目的。本发明的半导体发光元件具有：发光构造部；分别设在第1导电型半导体层、发光构造部的第2导电型半导体层上的第1电极、第2电极；及形成在第2导电型半导体层至少一部分上的透光性绝缘膜，第2电极具有：被覆第2导电型半导体层至少一部分的透光性导电膜的第1层；及设在透光性绝缘膜至少一部分上且和第1层导通的第2层，第1层的表面侧、及透光性绝缘膜和半导体构造的边界区域上，分别形成光反射部，透光性绝缘膜的第2层侧表面比第1层的表面更远离半导体构造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111599831A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010103392.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用微型LED作为像素，制造成本低的显示装置以及其制造方法。显示装置(1)的制造方法，具备如下工序：准备基板(20)和发光元件(30)的工序，在所述基板设定了子像素(11)并按每个子像素(11)设置了第一布线(21)，在所述发光元件的下表面设置了第一电极(35)并在相互交叉的至少两个侧面设置了第二电极(33)；在基板(20)上搭载发光元件(30)，并将第一电极(35)与第一布线(21)电连接的工序；在基板(20)上形成覆盖发光元件(30)的树脂构件(23)的工序；通过除去树脂构件(23)的上部，使第二电极(33)的一部分从树脂构件(23)的上表面(23a)露出的工序；以及在树脂构件(23)上形成网格状的第二布线(24)以使一部分配置于发光元件(30)上，并将第二布线(24)与第二电极(33)电连接的工序。
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公开(公告)号：CN102132426B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980133530.0
申请日：2009-08-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/12032 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种当透光性电极层发生断线时，可以确保电流路径而避免半导体发光元件自身发生接通不良的半导体发光元件。半导体发光元件(10)包含：基板(11)上的第1半导体层(12)；第1半导体层(12)上的发光层(13)；发光层(13)上的第2半导体层(14)；绝缘体层(15)，其设置于第2半导体层(14)上的一部分区域并且包含孔部(19)；透光性电极层(16)，其没有覆盖孔部(19)而覆盖绝缘体层(15)的上面以及第2半导体层(14)；以及第2焊垫电极(18)，其通过孔部(19)而与第2半导体层(14)相接触，并且在夹着透光性电极层(16)而与绝缘体层(15)相对向的位置上与透光性电极层(16)相接触。第2焊垫电极(18)与第2半导体层(14)的接触电阻大于透光性电极层(16)与第2半导体层(14)的接触电阻。
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公开(公告)号：CN111599831B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010103392.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用微型LED作为像素，制造成本低的显示装置以及其制造方法。显示装置(1)的制造方法，具备如下工序：准备基板(20)和发光元件(30)的工序，在所述基板设定了子像素(11)并按每个子像素(11)设置了第一布线(21)，在所述发光元件的下表面设置了第一电极(35)并在相互交叉的至少两个侧面设置了第二电极(33)；在基板(20)上搭载发光元件(30)，并将第一电极(35)与第一布线(21)电连接的工序；在基板(20)上形成覆盖发光元件(30)的树脂构件(23)的工序；通过除去树脂构件(23)的上部，使第二电极(33)的一部分从树脂构件(23)的上表面(23a)露出的工序；以及在树脂构件(23)上形成网格状的第二布线(24)以使一部分配置于发光元件(30)上，并将第二布线(24)与第二电极(33)电连接的工序。
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公开(公告)号：CN103069541A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180038776.7
申请日：2011-08-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , Y10T428/24 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可构成光提取效率优异的氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光元件用的蓝宝石基板。该蓝宝石基板是在一主面包含多个凸部，在该一主面成长氮化物半导体而形成氮化物半导体发光元件，且将多个凸部以如下方式配置：在包含多个凸部的底面的平面内在任意位置向任意方向画直线时，该直线通过至少任一凸部内。
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公开(公告)号：CN102779918A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210243985.1
申请日：2008-01-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/02 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其对设在发光构造外的电极使用透光性电极，以实现元件的低电阻化、高输出化、电能高效化、高量产性低成本化的目的。本发明的半导体发光元件具有：发光构造部；分别设在第1导电型半导体层、发光构造部的第2导电型半导体层上的第1电极、第2电极；及形成在第2导电型半导体层至少一部分上的透光性绝缘膜，第2电极具有：被覆第2导电型半导体层至少一部分的透光性导电膜的第1层；及设在透光性绝缘膜至少一部分上且和第1层导通的第2层，第1层的表面侧、及透光性绝缘膜和半导体构造的边界区域上，分别形成光反射部，透光性绝缘膜的第2层侧表面比第1层的表面更远离半导体构造。
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