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公开(公告)号：CN105017952A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510459653.0
申请日：2011-12-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D175/04 , C09D163/00 , C09D7/12 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , C08G12/26 , C08G18/3851 , C08G18/8061 , Y02E10/50 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的课题是提供可以有助于提高太阳能电池的最大输出的、用于太阳能电池的新的材料。作为解决本发明课题的手段涉及形成膜的材料以及将由该形成膜的材料制作的固化膜被覆在透明电极的表面上而成的太阳能电池，所述形成膜的材料是形成太阳能电池的透明电极上的聚光膜的材料，其在633nm的波长下具有1.5～2.0的折射率，且相对于400nm的波长的光具有95％以上的透射率，并包含具有芳香族基的有机系高分子化合物(A)。
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公开(公告)号：CN101523292B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200780037889.9
申请日：2007-10-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供在半导体器件的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层中使用的叠层体和使用该叠层体的半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件的制造方法包括下述工序：在半导体基板上按照有机下层膜(A层)、含硅的硬掩模(B层)、有机防反射膜(C层)和光致抗蚀剂膜(D层)的顺序叠层各层的工序。包括使光致抗蚀剂膜(D层)形成抗蚀剂图形，按照抗蚀剂图形来蚀刻有机防反射膜(C层)，利用构图化了的有机防反射膜(C层)来蚀刻含硅的硬掩模(B层)，利用构图化了的含硅的硬掩模(B层)来蚀刻有机下层膜(A层)，利用构图化了的有机下层膜(A层)来加工半导体基板的工序。
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公开(公告)号：CN101523292A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037889.9
申请日：2007-10-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供在半导体器件的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层中使用的叠层体和使用该叠层体的半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件的制造方法包括下述工序：在半导体基板上按照有机下层膜(A层)、含硅的硬掩模(B层)、有机防反射膜(C层)和光致抗蚀剂膜(D层)的顺序叠层各层的工序。包括使光致抗蚀剂膜(D层)形成抗蚀剂图形，按照抗蚀剂图形来蚀刻有机防反射膜(C层)，利用构图化了的有机防反射膜(C层)来蚀刻含硅的硬掩模(B层)，利用构图化了的含硅的硬掩模(B层)来蚀刻有机下层膜(A层)，利用构图化了的有机下层膜(A层)来加工半导体基板的工序。
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公开(公告)号：CN105017952B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201510459653.0
申请日：2011-12-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08G18/80 , C09D175/04 , C09D163/00 , C09D7/12 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02168 , C08G12/26 , C08G18/3851 , C08G18/8061 , Y02E10/50 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的课题是提供可以有助于提高太阳能电池的最大输出的、用于太阳能电池的新的材料。作为解决本发明课题的手段涉及形成膜的材料以及将由该形成膜的材料制作的固化膜被覆在透明电极的表面上而成的太阳能电池，所述形成膜的材料是形成太阳能电池的透明电极上的聚光膜的材料，其在633nm的波长下具有1.5～2.0的折射率，且相对于400nm的波长的光具有95％以上的透射率，并包含具有芳香族基的有机系高分子化合物(A)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103339533B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180066623.3
申请日：2011-12-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L31/02168 , C08G12/26 , C08G18/3851 , C08G18/8061 , Y02E10/50 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的课题是提供可以有助于提高太阳能电池的最大输出的、用于太阳能电池的新的材料。作为解决本发明课题的手段涉及形成膜的材料以及将由该形成膜的材料制作的固化膜被覆在透明电极的表面上而成的太阳能电池，所述形成膜的材料是形成太阳能电池的透明电极上的聚光膜的材料，其在633nm的波长下具有1.5～2.0的折射率，且相对于400nm的波长的光具有95%以上的透射率，并包含具有芳香族基的有机系高分子化合物(A)。
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公开(公告)号：CN103339533A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201180066623.3
申请日：2011-12-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L31/02168 , C08G12/26 , C08G18/3851 , C08G18/8061 , Y02E10/50 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的课题是提供可以有助于提高太阳能电池的最大输出的、用于太阳能电池的新的材料。作为解决本发明课题的手段涉及形成膜的材料以及将由该形成膜的材料制作的固化膜被覆在透明电极的表面上而成的太阳能电池，所述形成膜的材料是形成太阳能电池的透明电极上的聚光膜的材料，其在633nm的波长下具有1.5～2.0的折射率，且相对于400nm的波长的光具有95%以上的透射率，并包含具有芳香族基的有机系高分子化合物(A)。
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公开(公告)号：CN101790704B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880104686.1
申请日：2008-08-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , C08G77/60 , C09D183/16 , G03F7/0752
Abstract: 本发明的目的在于得到一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其可以进行均匀涂布，并且抑制热固化时升华物的产生。进一步的目的在于，得到一种用于形成相对于上层抗蚀剂、具有较大的干蚀刻选择比的抗蚀剂下层膜的组合物。本发明提供了一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有聚硅烷化合物和有机溶剂，所述聚硅烷化合物具有下述式(1)所示的结构单元，式中，R1和R2分别独立地表示-X-Y所示的基团，或R1和R2中的一者表示所述-X-Y所示的基团，另一者表示芳基、甲基、乙基或碳原子数3～6的环状烷基，其中，X表示氧原子、碳原子数1～18的亚烷基或-OCnH2n-(式中，n表示1～18的整数。)，Y表示内酯环或金刚烷环。
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公开(公告)号：CN102203951A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143218.X
申请日：2009-10-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
Inventor： 今村光
IPC: H01L31/04 , C08L101/02 , C09K11/06
CPC classification number: H01L31/055 , C08J5/18 , C08J2300/10 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/145 , Y02E10/52 , Y02E10/542
Abstract: 本发明的课题是，通过应用不分散波长转换物质且不使用稀土类而形成的波长转换膜，来提高光电转换效率。提供用于通过旋涂等方式简易地形成这样的波长转换膜的组合物。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种形成光电转换装置用波长转换膜的组合物，其含有导入了荧光部位的聚合物或低聚物、以及溶剂。荧光部位被导入聚合物或低聚物的主链或侧链。另外，还提供由该形成波长转换膜的组合物形成的光电转换装置用波长转换膜。
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公开(公告)号：CN101790704A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200880104686.1
申请日：2008-08-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , C08G77/60 , C09D183/16 , G03F7/0752
Abstract: 本发明的目的在于得到一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其可以进行均匀涂布，并且抑制热固化时升华物的产生。进一步的目的在于，得到一种用于形成相对于上层抗蚀剂、具有较大的干蚀刻选择比的抗蚀剂下层膜的组合物。本发明提供了一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有聚硅烷化合物和有机溶剂，所述聚硅烷化合物具有下述式(1)所示的结构单元，式中，R1和R2分别独立地表示-X-Y所示的基团，或R1和R2中的一者表示所述-X-Y所示的基团，另一者表示芳基、甲基、乙基或碳原子数3～6的环状烷基，其中，X表示氧原子、碳原子数1～18的亚烷基或-OCnH2n-(式中，n表示1～18的整数。)，Y表示内酯环或金刚烷环。
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