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公开(公告)号:CN105408252B
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201480042492.9
申请日:2014-08-01
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: C01B33/12
CPC classification number: C01B33/18
Abstract: 向通过导入碎解用容器内的气体而产生的旋流中供给煅烧工序中经煅烧的二氧化硅粒子,进行碎解。由此,实现可容易地碎解、兼顾低吸湿性和高树脂分散性的碎解二氧化硅粒子。另外,如果碎解时导入除湿空气(气体),则吸湿性低,在树脂中的分散性大幅提高。另外,如果碎解后再次进行加热处理(煅烧),碎解二氧化硅粒子的表面被改性,吸湿性和在树脂中的分散性大幅提高。包含由此而得的碎解二氧化硅粒子的树脂组合物在用于半导体的底部填充材料、液晶显示装置的面内用间隔物或密封用间隔物时的注入性、过滤性良好。
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公开(公告)号:CN104870183B
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201380067551.3
申请日:2013-12-24
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
CPC classification number: C09K3/18 , B05D7/50 , B32B3/30 , B32B9/00 , B32B2307/412 , B32B2307/73 , B32B2605/00 , C03C17/3411 , C03C2217/42 , C03C2217/76 , Y10T428/24364
Abstract: 本发明提供拒水性高、与基材的密合性、耐磨损性、耐擦伤性等提高了的拒水性透明被膜。一种带有拒水性透明被膜的基材,其特征是,由基材、和该基材表面的拒水性透明被膜构成,上述拒水性透明被膜由包含无机氧化物微粒的无机氧化物微粒层、和该无机氧化物微粒层上的保护涂层构成,拒水性透明被膜表面具有凹凸结构,该凸部的平均高度(TF)在30~500nm的范围,平均凸部间距离(间距宽度)(WF)在50~1000nm的范围,与水的接触角在130~180°的范围。上述平均高度(TF)和上述平均凸部间距离(WF)的比值(TF)/(WF)在0.1~10的范围。上述凹凸结构的凸部的表面还具有微细凹凸,该微细凸部的平均高度(TFF)在3~50nm的范围,平均凸部间距离(WFF)比上述凸部的平均凸部间距离(WF)小,且在3~50nm的范围。
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公开(公告)号:CN105408252A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201480042492.9
申请日:2014-08-01
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: C01B33/12
CPC classification number: C01B33/18
Abstract: 向通过导入碎解用容器内的气体而产生的旋流中供给煅烧工序中经煅烧的二氧化硅粒子,进行碎解。由此,实现可容易地碎解、兼顾低吸湿性和高树脂分散性的碎解二氧化硅粒子。另外,如果碎解时导入除湿空气(气体),则吸湿性低,在树脂中的分散性大幅提高。另外,如果碎解后再次进行加热处理(煅烧),碎解二氧化硅粒子的表面被改性,吸湿性和在树脂中的分散性大幅提高。包含由此而得的碎解二氧化硅粒子的树脂组合物在用于半导体的底部填充材料、液晶显示装置的面内用间隔物或密封用间隔物时的注入性、过滤性良好。
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公开(公告)号:CN104870183A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201380067551.3
申请日:2013-12-24
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
CPC classification number: C09K3/18 , B05D7/50 , B32B3/30 , B32B9/00 , B32B2307/412 , B32B2307/73 , B32B2605/00 , C03C17/3411 , C03C2217/42 , C03C2217/76 , Y10T428/24364
Abstract: 本发明提供拒水性高、与基材的密合性、耐磨损性、耐擦伤性等提高了的拒水性透明被膜。一种带有拒水性透明被膜的基材,其特征是,由基材、和该基材表面的拒水性透明被膜构成,上述拒水性透明被膜由包含无机氧化物微粒的无机氧化物微粒层、和该无机氧化物微粒层上的保护涂层构成,拒水性透明被膜表面具有凹凸结构,该凸部的平均高度(TF)在30~500nm的范围,平均凸部间距离(间距宽度)(WF)在50~1000nm的范围,与水的接触角在130~180°的范围。上述平均高度(TF)和上述平均凸部间距离(WF)的比值(TF)/(WF)在0.1~10的范围。上述凹凸结构的凸部的表面还具有微细凹凸,该微细凸部的平均高度(TFF)在3~50nm的范围,平均凸部间距离(WFF)比上述凸部的平均凸部间距离(WF)小,且在3~50nm的范围。
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