公开(公告)号：CN102388499A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201180002555.4

申请日：2011-02-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 本乡广生 ,  工藤耕治 ,  佐久间寿人 ,  栗林亮介

IPC: H01M10/44 ,  H02J7/00

CPC classification number: H02J7/0026 ,  H01M4/505 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/441 ,  Y02T10/7011 ,  Y02T10/7055

Abstract: 预先设定比逐渐劣化的SOC低的预设第一阈值以及比逐渐劣化的SOC大的预设第二阈值，所述逐渐劣化的SOC是当锂离子二次电池被存储时锂离子二次电池的电池性能劣化的SOC。计算机对电线与锂离子二次电池之间提供的开关、用于提供对锂离子二次电池进行充电所必需的电力的电力电源、以及消耗从与电线相连接的锂离子二次电池放出的电力的负载进行控制，使得基于锂离子二次电池的SOC的值，当锂离子二次电池充电时，用于锂离子二次电池的充电操作从所述第一阈值持续到所述第二阈值，从用于对锂离子二次电池的SOC的值进行检测的监控设备来传送所述SOC的值，并且用于对开关进行控制，使得当锂离子二次电池放电时，用于锂离子二次电池的放电操作从第二阈值持续到第一阈值。

公开(公告)号：CN102388499B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201180002555.4

申请日：2011-02-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 本乡广生 ,  工藤耕治 ,  佐久间寿人 ,  栗林亮介

IPC: H01M10/44 ,  H02J7/00

CPC classification number: H02J7/0026 ,  H01M4/505 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/441 ,  Y02T10/7011 ,  Y02T10/7055

Abstract: 预先设定比逐渐劣化的SOC低的预设第一阈值以及比逐渐劣化的SOC大的预设第二阈值，所述逐渐劣化的SOC是当锂离子二次电池被存储时锂离子二次电池的电池性能劣化的SOC。计算机对电线与锂离子二次电池之间提供的开关、用于提供对锂离子二次电池进行充电所必需的电力的电力电源、以及消耗从与电线相连接的锂离子二次电池放出的电力的负载进行控制，使得基于锂离子二次电池的SOC的值，当锂离子二次电池充电时，用于锂离子二次电池的充电操作从所述第一阈值持续到所述第二阈值，从用于对锂离子二次电池的SOC的值进行检测的监控设备来传送所述SOC的值，并且用于对开关进行控制，使得当锂离子二次电池放电时，用于锂离子二次电池的放电操作从第二阈值持续到第一阈值。

公开(公告)号：CN100456321C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200480037973.7

申请日：2004-12-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 服部涉 ,  本乡广生 ,  二瓶史行 ,  砂村润

IPC: G06K19/073 ,  G06K19/077 ,  G06F12/14 ,  H01H43/32 ,  H01H43/02

CPC classification number: G06K19/0723 ,  G06K19/073 ,  G06K19/07345 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/07779 ,  G06K19/07783 ,  G08B13/2417 ,  Y10T307/951

Abstract: 本发明涉及一种具有无效(nullification)单元的ID标签。当在电极(302)之间施加预定电压时，金属离子淀积在固态电解质(308)中，由此在其中形成导电沟道(310)。固态电解质开关(300)因此被导通。因为该淀积机理是可逆的，在已经导通的固态电解质开关300的电极之间施加反向电压可以使已淀积的金属原子迁移进入固态电解质中，由此导电沟道300减薄，从而沟道最终消失，固态电解质开关300转变为非导电状态。该开关的使用成功地实现了可以被自动地无效而无需人为无效的IC标签。

公开(公告)号：CN1894707A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200480037973.7

申请日：2004-12-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 服部涉 ,  本乡广生 ,  二瓶史行 ,  砂村润

IPC: G06K19/073 ,  G06K19/077 ,  G06F12/14 ,  H01H43/32 ,  H01H43/02

CPC classification number: G06K19/0723 ,  G06K19/073 ,  G06K19/07345 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/07779 ,  G06K19/07783 ,  G08B13/2417 ,  Y10T307/951

Abstract: 本发明涉及一种具有无效(nullification)单元的ID标签。当在电极(302)之间施加预定电压时，金属离子淀积在固态电解质(308)中，由此在其中形成导电沟道(310)。固态电解质开关(300)因此被导通。因为该淀积机理是可逆的，在已经导通的固态电解质开关300的电极之间施加反向电压可以使已淀积的金属原子迁移进入固态电解质中，由此导电沟道300减薄，从而沟道最终消失，固态电解质开关300转变为非导电状态。该开关的使用成功地实现了可以被自动地无效而无需人为无效的IC标签。

公开(公告)号：CN1826286A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480020799.5

申请日：2004-07-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 石田真彦 ,  本乡广生 ,  藤田淳一

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/46

CPC classification number: H01L21/321 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/36 ,  G03F7/0047 ,  H01L21/76876 ,  H01L2221/1094

Abstract: 公开的是一种将金属粒子粘附到衬底上的预定位置的方法。在衬底(101)上形成其中分散有金属化合物的抗蚀剂膜。用光刻法将抗蚀剂膜形成图案。在氧气气氛中加热其上形成有组成图案的抗蚀剂的衬底(101)，以将金属粒子(106)粘附到衬底(101)表面上，同时除去组成图案的抗蚀剂中的树脂。

公开(公告)号：CN1720606A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200380104626.7

申请日：2003-12-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 阪本利司 ,  川浦久雄 ,  马场寿夫 ,  二瓶史行 ,  落合幸德 ,  本乡广生

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76838 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 按比例缩小设计已经提出的问题在于，互连结构的电阻值增大和对电迁移和应力迁移的抵抗力减小。本发明提供一种高可靠性半导体器件的互连结构和制造该互连结构的方法，该半导体器件即使在按比例缩小设计的情况下仍具有低电阻值并且不产生电迁移或应力迁移。提供一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法，该半导体器件在形成于其上形成半导体器件元件的衬底上的绝缘膜上的互连沟槽或通孔中具有由金属和碳纳米管的混合物构成的互连或连接栓。